(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 20221042838 8.X (22)申请日 2022.04.22 (71)申请人 福建北电新材 料科技有限公司 地址 362200 福建省泉州市晋 江市陈埭镇 江浦社区企业 运营中心大厦 (72)发明人 邹爱平　蔡文必　林武庆　 (74)专利代理 机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通 合伙) 11463 专利代理师 梁晓婷 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B08B 3/08(2006.01) B08B 3/10(2006.01) B08B 3/12(2006.01) B08B 13/00(2006.01)H01L 21/67(2006.01) (54)发明名称 晶片清洗方法和装置 (57)摘要 本发明涉及晶片清洗技术领域， 具体而言， 涉及一种晶片清洗方法和装置。 该晶片清洗方法 的步骤包括： 预清洗工序， 在预清洗工序中， 采用 温度为T1的第一清洗液对晶片 进行喷淋清洗； 脱 胶清洗工序， 在脱胶清洗工序中， 采用温度为T2 的第一清洗液至少浸没粘结层； 药液清洗工序， 在药液清洗工序中， 采用温度为T2的第二清洗液 浸没所述晶片， 第二清洗液包括碱性清洗剂； 以 及纯水清洗工序， 在纯水清洗工序中， 使用温度 为T2的第一清洗液浸没晶片； 通过上述步骤， 能 够更有效率的去除晶片表面的脏污、 颗粒和有机 物等杂质， 进而得到稳定的高品质的晶片， 又降 低了晶片脱胶时的质量 风险， 提高了生产效率。 权利要求书2页 说明书7页 附图1页 CN 114769199 A 2022.07.22 CN 114769199 A 1.一种晶片清洗方法， 其特 征在于， 所述晶片清洗方法的步骤 包括： 预清洗工序， 在所述预清洗工序中， 将通过粘结层固定于第一载具的晶片放置于第一 清洗槽中， 采用温度为T1的第一清洗液对所述晶片进行喷淋清洗； 脱胶清洗工序， 在所述脱胶清洗工序中， 将所述晶片和第 一载具放置于第 二清洗槽 中， 在所述第二清洗槽中采用温度为T2的第一清洗液至少浸没所述粘结层， 用于软化所述粘结 层并使所述晶片脱离所述粘结层； 药液清洗工序， 在所述药液清洗工序中， 将所述晶片放置于第三清洗槽中， 在所述第三 清洗槽中采用温度为T2的第二清洗液浸没所述晶片， 所述第二清洗液包括碱性清洗剂； 以及纯水清洗工序， 在所述纯水清洗工序中， 将所述晶片转移至第四清洗槽 中， 在所述 第四清洗 槽中使用温度为T2的第一清洗液浸没所述晶片； 所述粘结层的软化温度为T0， 且T2＞T0＞T1。 2.根据权利要求1所述的 晶片清洗方法， 其特 征在于： 在所述预清洗工序后， 所述脱胶清洗工序 前， 还包括浸泡清洗工序； 在所述浸泡清洗工 序中， 将所述晶片和第一载具 由所述第一清洗槽转移至第 五清洗槽中， 且所述晶片浸没于 所述第五清洗 槽中的纯 水中， 使得 所述晶片在第五清洗 槽中抛动； 在所述浸泡清洗 工序中， 所述第五清洗 槽中的纯 水温度为T1。 3.根据权利要求1所述的 晶片清洗方法， 其特 征在于： 所述晶片清洗方法的步骤 还包括： 在所述脱胶清洗工序后， 在所述药液清洗工序前， 将脱离所述粘结层的所述晶片插入 第二载具。 4.根据权利要求1所述的 晶片清洗方法， 其特 征在于： 所述晶片清洗方法的步骤 还包括： 在所述药液清洗工序后， 在所述纯水清洗工序前， 将片盒中的所述晶片转移至第三载 具中， 使得 所述第三载 具在所述第三清洗 槽中摆动， 并进行超声 波清洗。 5.根据权利要求1所述的 晶片清洗方法， 其特 征在于： 所述晶片清洗方法的步骤 还包括： 在所述纯水清洗工序后， 将所述晶片由所述第 四清洗槽转移至烘干槽内， 将所述晶片 烘干。 6.根据权利要求1 ‑5中任意一项所述的 晶片清洗方法， 其特 征在于： 所述第一清洗液为纯 水或去离 子水。 7.根据权利要求1 ‑5中任意一项所述的 晶片清洗方法， 其特 征在于： 所述T1为 45±2℃； 所述T2为90 ±2℃。 8.根据权利要求1 ‑5中任意一项所述的 晶片清洗方法， 其特 征在于： 所述第二清洗槽包括 限位件， 在所述脱胶清洗工序中， 所述将所述晶片和所述第一载 具放置于第二清洗槽中时， 采用所述限位件与所述晶片抵接， 所述限位件用于对所述晶片 进行限位。 9.一种晶片清洗装置， 用于实施如权利要求1 ‑8中任意一项所述的晶片清洗方法， 其特 征在于： 所述晶片清洗装置包括第一清洗槽、 第二清洗槽、 第三清洗槽、 第四清洗槽、 第五清洗权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114769199 A 2槽、 烘干槽以及机械臂； 所述第一清洗槽、 所述第五清洗槽、 所述第二清洗槽、 所述第三清洗 槽及所述第四清洗 槽内均设置有加热 单元， 且所述第三清洗 槽内设置有超声 波发生器； 所述机械臂用于在所述第 一清洗槽、 所述第二清洗槽、 所述第三清洗槽、 所述第四清洗 槽、 所述第五清洗 槽及所述烘干 槽中的任意两者之间转移所述晶片。 10.根据权利要求9所述的 晶片清洗装置， 其特 征在于： 所述第五清洗槽、 所述第三清洗槽及所述第 四清洗槽内均设置有摆动机构， 所述摆动 机构用于带动所述晶片在槽体内摆动。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114769199 A 3