(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210365873.7 (22)申请日 2022.04.08 (71)申请人 安徽富乐德科技发展股份有限公司 地址 244000 安徽省铜陵市金桥经济开发 区 (72)发明人 周伯成　贺贤汉　周毅　 (74)专利代理 机构 铜陵市天 成专利事务所(普 通合伙) 3410 5 专利代理师 李坤 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B08B 3/08(2006.01) B08B 3/12(2006.01) B08B 3/14(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 一种半导体 部件超高压物理去膜方法 (57)摘要 一种半导体部件超高压物理去膜方法。 本发 明提供一种半导体设备Amber  Cu装置部件FO的 清洗方法， 采用超高压水洗的方式去除部件上Cu 的膜层覆盖区域； 将经过超高压水洗之后的部件 采用化学药液进行处理， 去除部件表 面附着的少 量残膜； 采用纯水超声波对经过酸洗的部件进行 清洗。 该设计方法可以有效减少部件在清洗再生 过程中产生的损耗， 从而提高部件的清洗质量和 使用次数， 适于精密设备维护领域大规模推广应 用。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 114749407 A 2022.07.15 CN 114749407 A 1.一种半导体部件 超高压物理去膜方法， 其特 征是： 步骤一、 采用机床加工的方式， 去除部件表面的一定厚度的膜层， 同时将部件表面铜铝 界面暴露出来； 步骤二、 将部件固定在转台上， 通过机械手带动高压水枪， 用高压水柱沿铜铝界面将铝 基材表面的铜膜分离去除； 步骤三、 将部件放入化学清洗 槽中， 用化学清洗的方式去除表面残留的铜膜； 步骤四、 将化学清洗后的部件纯 水冲洗； 步骤五、 把部件放入 超音波槽中超声清洗去除表面残留的颗粒附着物； 步骤六、 烘 箱干燥去除部件表面水分。 2.根据权利要求1所述的一种半导体部件超高压物理去膜方法， 其特征是： 步骤一中， 膜厚为3‑5mm。 3.根据权利要求1所述的一种半导体部件超高压物理去膜方法， 其特征是： 步骤一中， 采用高压水柱剥离 部件表面附着的CU膜， 水枪压力在16 000‑26000psi。 4.根据权利要求1所述的一种半导体部件超高压物理去膜方法， 其特征是： 步骤五中， 将步骤一中经过喷砂处理之后的部件采用超声波清洗工艺进行处理， 超声波频率35 ‑ 40KHz。 5.根据权利要求1所述的一种半导体部件超高压物 理去膜方法， 其特征是： 所述步骤四 中， 清洗后的废水进入处理装置， 所述的处理装置包括调节池、 化学反应池一、 化学反应池 二和沉淀池， 处 理步骤如下： 步骤S1， 处理液废水进入调节池， 废水在调节池中停留8h， 充分调节废水的水质， 控制 进入化学反应池I中的废水pH值调为 4， 并保持水量的平衡； 步骤S2， 调节池的废水进入化学反应池一， 投加CaO试剂， 其浓度为23g/L， 搅拌后投加 PAC试剂， 其浓度为2.2g/L， 反应5 ‑10min后， 投加PAM试剂， 其浓度为1.7g/L， 搅拌并将废水 加热至50℃， 反应3 0‑35min； 步骤S3， 化学反应池一中的废水进入化学反应池二， 加热至沸腾后， 投加(NH4)2SO4， 其 浓度为3.84g/L， 再将温度降至25℃， 以速度为 40 r/min搅拌6h； 步骤S4， 化学反应池二中的废水进入沉淀池， 最后将处 理水排出。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114749407 A 2一种半导体部件超高压物理去膜方 法 技术领域 [0001]本发明涉及一种半导体部件 超高压物理去膜方法。 背景技术 [0002]随着半导体集成电路芯片加工线宽进入纳 米时代， LOW  K技术得到 发挥舞台， 使得   Cu导线技术适用范围越来越广泛。 但是， 由于Cu分子极易扩散， 易造成深层能级缺陷， 故需   要沉积一层T a/TaN的阻挡层来防止Cu的扩散污染， Encore  Ta装置便是半导体集成电路Cu   制程领域的关键设备。 [0003]在常规的清洗工艺中， 采用高浓度的氢氟酸或硝氟酸(硝酸和氢氟酸的混合溶液)   来去除部件表面附着的少量残膜， 该工艺方法虽然清洗效果明显， 但无法避免浓酸对部件 本体铝材质的腐蚀问题。 Encore  Ta腔中部 分部件在传统再生过程中产生较大损耗， 随着再 生次数的增加， 部 分部件会因变形、 变薄、 穿孔等不良， 最 终导 致整套设备部件 无法正常使 用。 [0004]一种半导体设备EncoreTa装置部件清洗保护治具及其洗净方法； 申请公布号： CN107262428A， 主要内容： 本发明提供一种装配有所述的清洗保护治具的半导体设备 Encore Ta装置部件的清洗方法， 采用超高压水洗的方式去除部件上Ta/TaN的膜层覆盖区 域； 将经过超高压水洗之后的部件采用喷砂工艺进 行处理， 去除部件表面附着的少量残膜； 采用纯水超声波对经过喷砂工艺处理后的部件进 行清洗。 该设计方法可以保障部件的装配 区域在清洗过程中不受物理去膜工艺的影响， 有效减少部件在清洗再生过程中产生的损 耗， 从而提高部件的清洗质量和使用次数， 适于精密设备维护领域大规模推广应用， 该技术 存在着下述缺陷： 化学药液去除铝部件表面沉积的铜膜， 消耗药液巨大， 且反应产生的废液 对环境不友好； 使用的硝酸废液， 该废水中含有大量的、 F‑, PO43‑. SO42‑, AI3+等， 成分复 杂， 浓度高， 色度高， 毒性较大， 可生 化性较差。 发明内容 [0005]针对现有技术中的问题， 本发明的提供一种技术方案： 一种半导体部件超高压物 理去膜方法， 其特 征是： 步骤一、 采用机床加工的方式， 去除部件表面的一定厚度的膜层， 同时将部件表面 铜铝界面 暴露出来； 步骤二、 将部件固定在转台上， 通过机械手带动高压水枪， 用高压水柱沿铜铝界面 将铝基材表面的铜膜分离去除； 步骤三、 将部件放入化学清洗 槽中， 用化学清洗的方式去除表面残留的铜膜； 步骤四、 将化学清洗后的部件纯 水冲洗； 步骤五、 把部件放入 超音波槽中超声清洗去除表面残留的颗粒附着物； 步骤六、 烘 箱干燥去除部件表面水分。 [0006]作为本发明的进一 步改进， 步骤一中， 膜厚为3 ‑5mm。说　明　书 1/3 页 3 CN 114749407 A 3