(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210935065.X (22)申请日 2022.08.05 (71)申请人 华虹半导体 （无锡） 有限公司 地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路 30号 (72)发明人 王振华　闻旭　赵春雨　李华　 徐振康　 (74)专利代理 机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 3121 1 专利代理师 戴广志 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 去除烘烤单 元加热板PI残胶的方法 (57)摘要 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域， 具体涉及一种去除烘烤单元加热板PI残胶的方 法。 去除烘烤单元加热板PI残胶的方法包括： 将 带有PI残胶的烘烤单元加热板设于清洗区域； 将 所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃ 之间的二甲基亚砜溶剂中， 使得所述烘烤单元加 热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中； 清 洁所述烘烤单元加热板以去除溶解有PI残胶的 二甲基亚砜 溶剂。 本申请提供的去除烘烤单元加 热板PI残胶的方法， 可以解决相关技术中烘烤单 元加热板上PI胶残留严重的问题。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 115318717 A 2022.11.11 CN 115318717 A 1.一种去除烘烤单元加热板PI残胶的方法， 其特征在于， 所述去除烘烤单元加热板PI 残胶的方法包括： 将带有PI残胶的烘烤单 元加热板设于清洗区域； 将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中， 使得所述 烘烤单元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中； 清洁所述烘烤单 元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂。 2.如权利要求1所述的去除烘烤单元加热板PI残胶的方法， 其特征在于， 所述将所述烘 烤单元加热板的表面浸泡在60℃至8 0℃之间的二甲基亚砜 溶剂中， 使得所述烘烤 单元加热 板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中的步骤， 包括： 将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中5小时至7 小时， 使得 所述烘烤单 元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中。 3.如权利要求1所述的去除烘烤单元加热板PI残胶的方法， 其特征在于， 所述清洁所述 烘烤单元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂的步骤， 包括： 向所述烘烤单元加热板的表面喷淋去离子水， 以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶 剂； 烘干所述烘烤单 元加热板 。 4.如权利要求1所述的去除烘烤单元加热板PI残胶的方法， 其特征在于， 所述清洁所述 烘烤单元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂的步骤， 包括： 擦拭去除所述烘烤单 元加热板上， 溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂。 5.如权利要求1所述的去除烘烤单元加热板PI残胶的方法， 其特征在于， 所述将所述烘 烤单元加热板的表面浸泡在60℃至8 0℃之间的二甲基亚砜 溶剂中， 使得所述烘烤 单元加热 板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中的步骤， 包括： 将二甲基亚砜溶剂加热至 60℃至80℃； 将加热后的二甲基亚砜溶剂覆盖在烘烤单元加热板的表面， 使得所述烘烤单元加热板 表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115318717 A 2去除烘烤 单元加热板PI残胶的方 法 技术领域 [0001]本申请涉及半导体集成电路制造技术领域， 具体涉及一种去除烘烤单元加热板P I 残胶的方法。 背景技术 [0002]PI(Polyimide， 聚酰亚胺)薄膜在半导体及微电子工业领域应用广泛， 可以用于集 成电路器件的粒子遮挡膜、 钝化层、 缓冲内涂层和用作多层金属互联电路的层 间层间介质 层。 [0003]相关技术中的PI薄膜工艺主要包括： 涂胶和烘烤热固化过程。 但是相关技术在对 晶片进行涂胶操作后， 晶片的边缘会有PI胶残留， 进而在后续工序中通过烘烤单元对带有 PI膜的晶片进行烘烤时， 残留在晶片边缘的PI胶会流至晶片背面沾污烘烤单元的加热板。 随着累积的烘烤作业， 烘烤单元加热板上PI胶残留严重， 会对后续操作的晶片造成不利影 响。 发明内容 [0004]本申请提供了一种去除烘烤单元加热板PI残胶的方法， 可以解决相关技术中烘烤 单元加热板上PI胶残留严重的问题。 [0005]为了解决背景技术中所述的技术问题， 本申请提供一种去除烘烤单元加热板PI残 胶的方法， 所述去除烘烤单 元加热板PI残胶的方法包括： [0006]将带有PI残胶的烘烤单 元加热板设于清洗区域； [0007]将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中， 使得 所述烘烤单 元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中； [0008]清洁所述烘烤单 元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂。 [0009]可选地， 所述将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜 溶剂中， 使得 所述烘烤单 元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中的步骤， 包括： [0010]将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中5小时 至7小时， 使得 所述烘烤单 元加热板表面的PI残胶溶解在二甲基亚砜溶剂中。 [0011]可选地， 所述清洁所述烘烤单元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂的 步骤， 包括： [0012]向所述烘烤单元加热板的表面喷淋去离子水， 以去除溶解有P I残胶的二甲基亚砜 溶剂； [0013]烘干所述烘烤单 元加热板 。 [0014]可选地， 所述清洁所述烘烤单元加热板以去除溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂的 步骤， 包括： [0015]擦拭去除所述烘烤单 元加热板上， 溶解有PI残胶的二甲基亚砜溶剂。 [0016]所述将所述烘烤单元加热板的表面浸泡在60℃至80℃之间的二甲基亚砜溶剂中，说　明　书 1/3 页 3 CN 115318717 A 3