(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210889527.9 (22)申请日 2022.07.27 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址 201203 上海市浦东 新区康桥 东路298 号1幢1060室 (72)发明人 王菲菲　 (74)专利代理 机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 3121 1 专利代理师 刘昌荣 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B08B 3/08(2006.01) B08B 13/00(2006.01) H01L 21/67(2006.01) (54)发明名称 湿法清洗装置及其清洗方法 (57)摘要 本发明提供一种单片湿 法清洗装置及方法， 提供用于向晶圆上喷洒溶液的第一喷头和第二 喷头， 未启动时均停置在初始位置； 用于控制第 一、 二喷头的控制器； 其中， 晶圆在清洗腔中固定 后， 首先第一喷头移动到晶圆表 面并启动向晶圆 上喷淋冲洗， 第一喷头还未到设定结束时间时， 第二喷头即提前启动， 移动到晶圆表 面进行喷淋 冲洗， 即两步骤有一定的重叠清洗时间。 然后第 一喷头到设定时间后结束清洗复位， 最后第二喷 头继续清洗至设定时间后复位。 本发 明可以有效 保证在清洗过程中晶圆表面始终有一层液膜保 护， 防止晶圆局部变干或者水膜变薄， 防止残留 物回粘和产生水印， 从而可以有效减少缺陷的发 生。 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 CN 115283333 A 2022.11.04 CN 115283333 A 1.一种湿法清洗方法， 其特 征在于， 包括： 提供固定 机构， 所述固定 机构用于固定晶圆； 第一、 二移动机构以及分别设于所述第一、 二移动机构上， 用于向所述晶圆上喷洒溶液 的第一、 二喷头， 所述第一、 二喷头未启动时， 所述第一、 二移动机构分别停置在所述晶圆外 的初始位置； 用于控制所述第一、 二移动机构以及所述第一、 二喷头的控制器； 其中， 所述控制器用于在所述晶圆固定在所述固定机构后， 控制所述第一移动机构带 动其上的所述第一喷头移动至所述晶圆表面， 之后启动所述第一喷头， 所述第一喷头还未 到第一设定结束时间时， 所述第二移动机构提前启动， 带动其上 的所述第二喷头移至晶圆 表面， 之后启动所述第二喷头， 所述第一喷头到达所述第一设定结束时间则停止清洗并复 位， 所述第二喷头继续喷洒液体直到第二设定结束时间 复位。 2.根据权利要求1所述的湿法清洗方法， 其特征在于： 所述第 一喷头用于向所述晶圆上 喷洒清洗液。 3.根据权利要求2所述的湿法清洗方法， 其特征在于： 所述第 一喷头的清洗时间控制在 30‑120s； 流量控制在10 00ml～2000ml。 4.根据权利要求2所述的湿法清洗方法， 其特征在于： 所述清洗液为酸液、 碱液或有机 溶液中的一种。 5.根据权利要求1所述的湿法清洗方法， 其特征在于： 所述第 二喷头用于向所述晶圆上 喷洒去离 子水溶液。 6.根据权利要求5所述的湿法清洗方法， 其特征在于： 所述第二喷头清洗时间控制在 30‑120s； 流量控制在10 00ml～2000ml。 7.根据权利要求1所述的湿法清洗方法， 其特征在于： 所述第 二喷头在所述第 一喷头离 开前3至6秒移动至所述晶圆处并启动。 8.根据权利要求1所述的湿法清洗方法， 其特征在于： 所述第一、 二移动机构均为机械 臂。 9.根据权利要求1至8任一项所述湿法清洗方法的湿法清洗装置， 其特征在于： 所述湿 法清洗方法用于所述湿法清洗装置 。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115283333 A 2湿法清洗装 置及其清洗方 法 技术领域 [0001]本发明涉及半导体技 术领域， 特别是 涉及一种湿法清洗装置及其清洗方法。 背景技术 [0002]进入28nm及以下技术节点以后， 由于工艺复杂性提高， 在先前技术节点对良率没 有影响的残留缺陷在进入28nm技术节点以后可能会对良率及可靠度有着 重大的影响。 随着 大规模集成电路临界尺寸的不断减小， 水的表面张力及水印形成的影响成为一个重要问 题。 当疏水硅表面在湿法清洗过程中干燥时， 很容易产生水印。 硅在冲洗过程中被溶解在去 离子水中的氧氧化， 这种氧化物溶解在水中。 当晶圆片上的水层或水滴变薄时， 溶解的二氧 化硅和/或硅酸沉淀在晶圆片上， 形成的水印可能会造成不同类型的缺陷。 避免水中的氧气 和干燥过程中的蒸发是防止水印形成的关键因素。 [0003]现有技术中的清洗步骤是， 在清洗腔体中， 第一步清洗完成后， 喷头从晶圆上移开 回到初始 位置， 下一步的另一喷头从初始 位置移到晶圆上， 开始第二步清洗， 两步骤之 间有 时间差， 晶圆表面有局部 干燥的风险， 可能会形成缺陷。 [0004]为解决上述问题， 需要一种新型的湿法清洗装置及其清洗方法。 发明内容 [0005]鉴于以上所述现有技术的缺点， 本发明的目的在于提供一种湿法清洗装置及 其清 洗方法， 用于解决现有技术中在晶圆的清洗过程中， 在清洗腔体中， 第一步清洗完成后， 喷 头从晶圆上移开回到初始位置， 下一步的另一喷头从初始位置移到晶圆上， 开始第二步清 洗， 由于存在机械臂移 位及喷头 打开时间， 两步骤之间有时间差， 晶圆表面有局部干燥的风 险， 可能会形成缺陷的问题。 [0006]为实现上述目的及其 他相关目的， 本发明提供一种湿法清洗方法， 包括： [0007]提供固定 机构， 所述固定 机构用于固定晶圆； [0008]第一、 二移动机构以及分别设于所述第一、 二移动机构上， 用于向所述晶圆上喷洒 溶液的第一、 二喷头， 所述第一、 二喷头未启动时， 所述第一、 二移动机构分别停置在所述晶 圆外的初始位置； [0009]用于控制所述第一、 二移动机构以及所述第一、 二喷头的控制器； [0010]其中， 所述控制器用于在所述晶圆固定在所述固定机构后， 控制 所述第一移动机 构带动其上 的所述第一喷头移动至所述晶圆表面， 之后启动所述第一喷头， 所述第一喷头 还未到第一设定结束时间时， 所述第二移动机构提前启动， 带动其上 的所述第二喷头移至 晶圆表面， 之后启动所述第二喷头， 所述第一喷头到达所述第一设定结束时间则停止清洗 并复位， 所述第二喷头继续喷洒液体直到第二设定结束时间 复位。 [0011]优选地， 所述第一喷头用于向所述晶圆上喷洒清洗液。 [0012]优选地， 所述清洗液为 酸液、 碱液或有机溶 液中的一种。 [0013]优选地， 所述第一喷头的清洗时间控制在3 0‑120s； 流量控制在10 00ml～2000ml。说　明　书 1/3 页 3 CN 115283333 A 3