(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210896480.9 (22)申请日 2022.07.27 (71)申请人 广东工业大 学 地址 510062 广东省广州市越秀区东 风东 路729号 (72)发明人 陈云　李彪　宋奥柯　董善坤　 赖声宝　侯茂祥　陈新　 (74)专利代理 机构 佛山市禾才知识产权代理有 限公司 4 4379 专利代理师 张晓婷　朱培祺 (51)Int.Cl. H01L 41/25(2013.01) H01L 41/312(2013.01) H01L 41/09(2006.01) B06B 1/06(2006.01)B08B 3/12(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 一种薄膜振动装置及其制备方法、 应用其的 清洗装置 (57)摘要 本发明公开了一种薄膜振动装置的制备方 法， 包括以下步骤： 对硅晶片的表面进行光刻； 刻 蚀硅晶片上的铝层； 对硅晶片进行刻蚀， 得到多 孔硅晶片； 将PET薄片 粘附在多孔硅晶片， 以多 孔 硅晶片为掩膜板， 击穿PET薄片， 得到多孔PET薄 膜； 将PVDF薄膜粘附在多孔硅晶片的下方， 并在 多孔硅晶片上方抽真空， 同时在 多孔硅晶片的下 方加热PVDF薄膜， 得到 具有圆顶微结构的PVDF薄 膜； 将两块多孔PET薄膜层压在具有圆顶微结构 的PVDF薄膜 的两侧， 得到薄膜振动装置。 所述清 洗装置具有清洗速度快、 清洗效果好、 能够清洗 各种复杂形状的精密零件表面、 易于实现遥控和 自动化、 减少化学清洁试剂 对环境污染以及没有 噪声污染的特点， 解决了现有超声清洗机功耗 大、 成本高和噪声大等问题。 权利要求书2页 说明书10页 附图4页 CN 115207205 A 2022.10.18 CN 115207205 A 1.一种薄膜振动装置的制备 方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： S1： 对硅晶片的表面进行光刻， 在硅晶片表面 光刻出圆孔阵列； S2： 刻蚀硅晶片上的铝 层； S3： 对硅晶片进行刻蚀， 形成通 孔阵列， 得到多孔硅晶片； S4： 将PET薄片粘附在多孔硅晶片的一面， 使用带有通孔 阵列的多孔硅晶片为掩膜板， 击穿PET薄片， 得到多孔PET薄膜； S5： 将PVDF薄膜粘附在多孔硅晶片的下方， 并在多孔硅晶片上方抽真空， 同时在多孔硅 晶片的下 方加热PVDF薄膜， 得到具有圆顶微结构的PVDF薄膜； S6： 将两块多孔PET薄膜层压在具有圆顶微结构的PVDF薄膜的两侧， 得到薄膜振动装 置。 2.根据权利要求1所述的一种薄膜振动装置的制备方法， 其特征在于， 所述步骤S1包括 以下步骤： 在硅晶片上沉积铝膜， 使硅晶片的表面形成铝 层； 将光刻胶涂在铝膜顶部， 并软烘焙， 在 铝层的表面形成光刻 胶层； 通过光刻对光刻 胶层进行图形化， 并在曝光后使用显影剂显影。 3.根据权利要求1所述的一种薄膜振动装置的制备方法， 其特征在于， 所述步骤S2包括 以下步骤： 将光刻后的硅晶片烘干； 将光刻后的硅晶片浸 入铝刻蚀剂中， 刻蚀暴露于刻蚀剂的铝 层。 4.根据权利要求1所述的一种薄膜振动装置的制备方法， 其特征在于， 所述步骤S3包括 以下步骤： 使用等离 子体反应对多孔硅晶片进行蚀刻； 剥离光刻 胶层； 用铝刻蚀剂刻蚀剩余的铝 层， 得到多孔硅晶片。 5.根据权利要求1所述的一种薄膜振动装置的制备方法， 其特征在于， 所述步骤S4包括 以下步骤： 将PET薄片粘附在多孔硅晶片的一 面， 所述PET薄片厚度为 45～55um； 使用多孔硅晶片为掩膜板， 通过激光光栅击穿PET薄片， 将被击穿的PET薄片和多孔硅 晶片分离， 得到多孔PET薄膜。 6.根据权利要求1所述的一种薄膜振动装置的制备方法， 其特征在于， 所述步骤S5 中加 热PVDF薄膜包括 三次退火 冷却过程， 所述退火 冷却过程包括： 将PVDF薄膜的下方加热至75～85℃， 加热 时间为4～6min， 在PVDF薄膜的上方保持真空 的条件下， 冷却至室温。 7.根据权利要求1所述的一种薄膜振动装置的制备方法， 其特征在于， 所述PVDF薄膜的 厚度为8um～12um。 8.根据权利要求1所述的一种薄膜振动装置的制备方法， 其特征在于， 所述PVDF薄膜的 两侧均沉积有银电极层， 所述银电极层的厚度为6 0～80nm。 9.一种薄膜振动装置， 其特征在于， 所述薄膜振动装置通过权利要求1～8任一项所述 的薄膜振动装置的制备方法制成， 包括第一多孔P ET薄膜、 第二多孔PET薄膜和PVDF薄膜， 所权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115207205 A 2述第一多孔PET薄膜和第二多孔PET薄膜夹住PVDF薄膜； 所述第一多孔PET薄膜和第二多孔 PET薄膜结构相同； 所述第一多孔P ET薄膜位于所述PVDF薄膜的上方， 所述第二多孔P ET薄膜 位于所述PVDF薄膜的下 方； 所述PVDF薄膜设有与通孔阵列相适配的多个与圆顶微结构， 所述圆顶微结构并嵌入所 述第一多孔PET薄膜的通 孔中； 所述PVDF薄膜的两侧均沉积有银电极层。 10.一种清洗装置， 其特征在于， 所述清洗装置包括清洗容器、 控制面板和权利要求9所 述的薄膜振动装置， 所述薄膜振动装置设置于所述清洗容器的底部， 所述薄膜振动装置与 控制面板电性连接 。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115207205 A 3