(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210078937.5 (22)申请日 2022.01.24 (71)申请人 广东金仕伦清洗技 术有限公司 地址 523770 广东省东莞 市大朗镇松木山 黄金湖工业 一路6号101室 (72)发明人 郑国绍　曾志家　梁小龙　黄建军　 (74)专利代理 机构 深圳市精英专利事务所 44242 专利代理师 曹祥波 (51)Int.Cl. B08B 3/12(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 一种倒装芯片封装底部清洗方法 (57)摘要 本发明实施例提供了一种倒装芯片封装底 部清洗方法， 其包括以下步骤： 利用超声波真空 喷流装置对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗； 对超声波真空喷流清洗后的倒装芯片进行化学 喷洗或纯水喷洗； 对喷洗后的倒装芯片进行除液 风切处理； 对除液风切后的倒装芯片进行纯水喷 洗； 对纯水喷洗后的倒装芯片进行烘干处理。 本 发明的实施例提供了一种倒装芯片封装底部清 洗方法， 其通过超声波真空喷流和群组微型增压 喷嘴结合， 并改进清洗参数， 提高了清洗效果和 清洗效率， 使得清洗后的倒装芯片与基板间的污 染， 在200X电子显微镜下观察没有残留， 离子污 染度小于0.4μg  per cm2， 较现有清洗方 式效率 提升较高， 清洗效果显著， 洁净效果优良。 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 CN 114472350 A 2022.05.13 CN 114472350 A 1.一种倒装芯片封装底部清洗方法， 其特 征在于， 包括以下步骤： 步骤一、 利用超声 波真空喷流装置对倒装芯片进行超声 波真空喷流清洗； 步骤二、 对 超声波真空喷流清洗后的倒装芯片进行化学喷洗或纯 水喷洗； 步骤三、 对喷洗后的倒装芯片进行除液风切处 理； 步骤四、 对除液风切后的倒装芯片进行 纯水喷洗； 步骤五、 对纯 水喷洗后的倒装芯片进行烘干处 理。 2.根据权利要求1所述的倒装芯片封装底部清洗方法， 其特征在于， 所述利用超声波真 空喷流装置对倒装芯片进行超声 波真空喷流清洗的步骤 包括以下步骤： 第一步、 将待清洗的倒装芯片送入清洗室， 所述清洗室被 配置为真空超声 波清洗环境； 第二步、 启动循环加热箱， 将清洗液加热至设定温度后送至所述清洗室； 第三步、 在清洗室内对倒装芯片进行超声 波真空喷流清洗； 第四步、 将所述清洗室内的清洗液回流至所述循环加热箱； 第五步、 循环所述第三 步和第四步至设定时间。 3.根据权利要求2所述的倒装芯片封装底部清洗方法， 其特征在于， 所述启动循环加热 箱， 将清洗液加热至设定温度后送至清洗 室的在步骤中还包括启动鼓泡管对清洗液进 行鼓 泡的步骤。 4.根据权利要求2所述的倒装芯片封装底部清洗方法， 其特征在于， 所述在清洗室内对 倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤中还包括启动旋转机构， 同步带动待清洗的倒装 芯片旋转的步骤。 5.根据权利要求2所述的倒装芯片封装底部清洗方法， 其特征在于， 所述在清洗室内对 倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤中采用群组微型增压 喷嘴将清洗液喷洒至倒装 芯片。 6.根据权利要求5所述的倒装芯片封装底部清洗方法， 其特征在于， 所述群组微型增压 喷嘴的流量为5‑15L/min， 压力为0.3 ‑0.8Mpa。 7.根据权利要求6所述的倒装芯片封装底部清洗方法， 其特征在于， 所述群组微型增压 喷嘴距离倒装芯片的表面距离为5 ‑100mm。 8.根据权利要求7所述的倒装芯片封装底部清洗方法， 其特征在于， 所述在清洗室内对 倒装芯片进行超声 波真空喷流清洗步骤中， 清洗室内的真空值 为‑20000pa。 9.根据权利要求8所述的倒装芯片封装底部清洗方法， 其特征在于， 所述在清洗室内对 倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤中超声波的功率为400 ‑1500W， 超声波的频率为 40‑80khz。 10.根据权利要求9所述的倒装芯片封装底部清洗方法， 其特征在于， 所述启动循环加 热箱， 将清洗液加热至 设定温度后送至所述清洗 室的步骤中， 清洗液被加热的温度为55 ‑75 ℃。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114472350 A 2一种倒装芯片封 装底部清洗方 法 技术领域 [0001]本发明涉及集成芯片清洗技 术领域， 尤其涉及一种倒装芯片封装底部清洗方法。 背景技术 [0002]电子元器件小型化高密度形式越来越多， 小型化高密度的出现， 对相关工艺设备 的配合也变得相当关键， 针对贴片 完成后底部间隙里的助焊剂(flux)、 有机物、 无机物等污 染物的清洗也极具有挑战， 现有的清洗设备清洗效率低、 洁净度差 。 发明内容 [0003]本发明的实施例提供了一种倒装芯片封装底部清洗方法， 旨在 提高对倒装芯片封 装底部的清洗效率和洁净度。 [0004]为达到上述目的， 本发明所提出的技 术方案为： [0005]本发明实施例提供了一种倒装芯片封装底部清洗方法， 其包括以下步骤： [0006]步骤一、 利用超声 波真空喷流装置对倒装芯片进行超声 波真空喷流清洗； [0007]步骤二、 对 超声波真空喷流清洗后的倒装芯片进行化学喷洗或纯 水喷洗； [0008]步骤三、 对喷洗后的倒装芯片进行除液风切处 理； [0009]步骤四、 对除液风切后的倒装芯片进行 纯水喷洗； [0010]步骤五、 对纯 水喷洗后的倒装芯片进行烘干处 理。 [0011]其中， 所述利用超声波真空喷流装置对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤 包括以下步骤： [0012]第一步、 将待清洗 的倒装芯片送入清洗室， 所述清洗室被配置为真空超声波清洗 环境； [0013]第二步、 启动循环加热箱， 将清洗液加热至设定温度后送至所述清洗室； [0014]第三步、 在清洗室内对倒装芯片进行超声 波真空喷流清洗； [0015]第四步、 将所述清洗室内的清洗液回流至所述循环加热箱； [0016]第五步、 循环所述第三 步和第四步至设定时间。 [0017]其中， 所述启动循环加热箱， 将清洗液加热至设定温度后送至清洗室的在步骤中 还包括启动鼓泡管对清洗液进行鼓泡的步骤。 [0018]其中， 所述在清洗室内对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤中还包括启动 旋转机构， 同步带动待清洗的倒装芯片旋转的步骤。 [0019]其中， 所述在清洗室内对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤中采用群 组微 型增压喷 嘴将清洗液喷洒至倒装芯片。 [0020]其中， 所述群组微型增压喷 嘴的流量为5‑15L/min， 压力为0.3 ‑0.8Mpa。 [0021]其中， 所述群组微型增压喷 嘴距离倒装芯片的表面距离为5 ‑100mm。 [0022]其中， 所述在清洗室内对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗步骤中， 清洗室内的 真空值为‑20000pa。说　明　书 1/4 页 3 CN 114472350 A 3