(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210127124.0 (22)申请日 2022.02.11 (71)申请人 华虹半导体 （无锡） 有限公司 地址 214028 江苏省无锡市新吴区新洲路 30号 (72)发明人 江阔　胡新建　王泽飞　 (74)专利代理 机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 3121 1 专利代理师 戴广志 (51)Int.Cl. H01L 21/687(2006.01) H01L 21/67(2006.01) B08B 3/02(2006.01) (54)发明名称 晶片夹具清洗装置和清洗方法 (57)摘要 本申请涉及半导体制造技术领域， 具体涉及 一种晶片夹清洗装置和清洗方法。 晶片夹具清洗 装置包括： 清洗腔， 清洗腔连通上液装置和排液 装置， 上液装置用于将清洗液输送至清洗腔中， 排液装置用于将清洗腔中的清洗液排出； 烘干 腔， 烘干腔位于清洗腔上部， 且与清洗腔连通； 烘 干腔中设有能够喷出烘干气体的烘干装置。 使用 所述晶片夹具清洗装置对晶片夹具进行清洗， 晶 片夹具清洗方法包括以下步骤： 使得上液装置将 清洗液输送至清洗腔中； 使 得晶片夹具穿过烘干 腔向下进入清洗腔后， 浸泡在清洗腔的清洗液 中； 使得晶片夹具离开清洗腔， 向上进入烘干腔； 启动烘干装置， 向晶片夹具的第一夹爪和第二夹 爪喷射出烘干气体， 烘干晶片夹具的第一夹爪和 第二夹爪。 权利要求书2页 说明书4页 附图2页 CN 114582786 A 2022.06.03 CN 114582786 A 1.一种晶片夹具清洗装置， 其特 征在于， 所述晶片夹具清洗装置包括： 清洗腔， 所述清洗腔连通上液装置和排液装置， 所述上液装置用于将清洗液输送至所 述清洗腔中， 所述 排液装置用于将所述清洗腔中的清洗液排出； 烘干腔， 所述烘干腔位于所述清洗腔上部， 且与所述清洗腔连通； 所述烘干腔中设有能够喷出烘干气体的烘干装置 。 2.如权利要求1所述的晶片夹具清洗装置， 其特征在于， 所述晶片夹具清洗装置用于清 洗材质为聚四氟乙烯的 晶片夹具。 3.如权利要求1所述的晶片夹具清洗装置， 其特征在于， 所述烘干腔包括第 一烘干腔和 第二烘干腔； 所述第一烘干腔和所述第 二烘干腔分别位于所述清洗腔上部的两侧， 且分别与所述清 洗腔连通； 所述第一烘干腔用于烘干所述晶片夹具的第一夹爪； 所述第二烘干腔用于烘干所述晶片夹具的第二夹爪。 4.如权利要求3所述的晶片夹具清洗装置， 其特征在于， 所述第 一烘干腔相对的两侧分 别设有烘干装置； 所述第二烘干腔相对的两侧分别设有烘干装置 。 5.如权利要求1至4中任意一项权利要求所述的晶片夹具清洗装置， 其特征在于， 所述 烘干装置的烘干角度可调； 所述烘干装置包括旋转调整座和喷头； 所述旋转调整座 安装在所述烘干腔的侧壁上； 所述喷头安装在所述旋转调整座上， 通过旋转调整所述旋转调整座， 使得所述喷头以 特定方向 向所述烘干腔中喷射烘干气体。 6.如权利要求5所述的晶片夹具清洗装置， 其特征在于， 所述喷头喷射所述烘干气体的 方向与水平面之间的夹角范围为2 °至5°。 7.一种晶片夹具清洗方法， 其特征在于， 使用 如权利要求1至6中任意一项权利要求所 述的晶片夹具清洗装置对晶片夹具进行清洗， 所述晶片夹具清洗方法包括以下步骤： 使得所述上液装置将清洗液输送至清洗腔中； 使得所述晶片夹具穿过所述烘干腔向下进入所述清洗腔后， 浸泡在所述清洗腔的清洗 液中； 使得所述晶片夹具离开所述清洗腔， 向上进入所述烘干腔； 启动所述烘干装置， 向所述晶片夹具的第一夹爪和第二夹爪喷射出烘干气体， 烘干所 述晶片夹具的第一夹爪和第二夹爪。 8.如权利要求7所述的晶片夹具清洗方法， 其特征在于， 所述使得所述晶片夹具穿过所 述烘干腔向下进入所述清洗腔后， 浸泡在所述清洗腔的清洗液中的步骤， 包括： 使得所述晶片夹具穿过所述烘干腔向下进入所述清洗腔后， 浸泡在所述清洗腔的清洗 液中持续20秒至 30秒的时间。 9.如权利要求7所述的晶片夹具清洗方法， 其特征在于， 所述启动所述烘干装置， 向所 述晶片夹具的第一夹爪和 第二夹爪喷射出烘干气体， 烘干所述晶片夹具的第一夹爪和 第二 夹爪的步骤， 包括：权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114582786 A 2启动所述烘干装置， 向所述晶片夹具的第一夹爪和第 二夹爪喷射出烘干气体持续40秒 至60秒的时间， 以烘干所述晶片夹具的第一夹爪和第二夹爪。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114582786 A 3