(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211503481.9 (22)申请日 2022.11.29 (71)申请人 杭州博日科技股份有限公司 地址 310000 浙江省杭州市滨江区高新 技 术产业开发区滨安路1 192号 (72)发明人 余海　杨智　李冬　贺贤汉　 (74)专利代理 机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通 合伙) 11463 专利代理师 董艳芳 (51)Int.Cl. G06K 9/62(2022.01) G06K 9/00(2022.01) (54)发明名称 熔解曲线优化方法、 装置、 电子设备及存储 介质 (57)摘要 本发明提供了一种熔解曲线优化方法、 装 置、 电子设备及存储介质， 涉及PCR检测技术领 域， 本发明在基于现有 方法获得的初始熔解曲线 的基础上， 基于预设规则将初始熔解曲线分为目 标阴性熔解曲线和待去除杂峰的候选熔解曲线， 然后基于与目标阴性熔解曲线之间的相似性， 有 针对性的去除候选熔解曲线的杂峰， 如此实现了 熔解曲线中杂峰的有效去除， 易于理解， 容易实 现。 权利要求书3页 说明书10页 附图3页 CN 115545123 A 2022.12.30 CN 115545123 A 1.一种熔解曲线优化方法， 其特 征在于， 包括： 获取待处理的荧光强度数据对应的初始熔解曲线及初始Tm值； 其中， 所述初始熔解曲 线包括存在初始Tm值的第一熔解曲线、 不存在初始Tm值且存在极大值点的第二熔解曲线， 以及不存在 初始Tm值且不存在极大值 点的初始阴性熔解曲线； 基于预设规则， 对所述第 一熔解曲线的初始Tm值和所述第 二熔解曲线的极大值点进行 聚类分析， 得到目标阴性熔解曲线和待去除杂峰的候选熔解曲线； 其中， 所述预设规则与熔 解曲线定义有关； 基于与所述目标阴性熔解曲线之间的相似性， 对所述候选熔解曲线进行杂峰去 除， 得 到优化后的目标 熔解曲线。 2.根据权利要求1所述的熔解曲线优化方法， 其特征在于， 所述基于预设规则， 对所述 第一熔解曲线的初始Tm值和所述第二熔解曲线的极大值点进 行聚类分析， 得到目标阴性熔 解曲线和待 去除杂峰的候选熔解曲线， 包括： 根据所述预设规则， 从所述第一熔解曲线的初始Tm值中筛 选出杂峰对应的Tm值； 对聚类集合进行基于轮廓系数的聚类分析， 得到聚类结果； 其中， 所述聚类集合包括所 述第一熔解 曲线中除所述杂峰对应的Tm值外的初始Tm值的幅值和所述第二熔解 曲线中极 大值点的幅值； 根据所述聚类结果， 得到目标 阴性熔解曲线和待 去除杂峰的候选熔解曲线。 3.根据权利要求2所述的熔解曲线优化方法， 其特征在于， 所述根据所述预设规则， 从 所述第一熔解曲线的初始Tm值中筛 选出杂峰对应的Tm值， 包括： 将所述第 一熔解曲线中不满足熔解峰发生在荧光强度下降区域的初始Tm值， 确定为杂 峰对应的Tm值。 4.根据权利要求2所述的熔解曲线优化方法， 其特征在于， 所述根据所述聚类结果， 得 到目标阴性熔解曲线和待 去除杂峰的候选熔解曲线， 包括： 根据所述聚类结果， 从所述聚类集合对应的初始Tm值和极大值点中， 筛选出目标Tm值、 候选Tm值和目标极大值点； 其中， 所述目标Tm值为轮廓系数大于设定阈值的幅值对应的初 始Tm值， 所述候选Tm值为轮廓系数小于或等于所述设定阈值的幅值对应的初始Tm值， 所述 目标极大值 点为轮廓系数 大于所述设定阈值的幅值对应的极大值 点； 将所有极大值点均为所述目标极大值点的第 二熔解曲线和所述初始阴性熔解曲线， 确 定为目标 阴性熔解曲线； 将包含所述杂峰对应的Tm值或所述候选Tm值的第一熔解曲线确定为待去除杂峰的候 选熔解曲线。 5.根据权利要求1所述的熔解曲线优化方法， 其特征在于， 所述基于与 所述目标阴性熔 解曲线之 间的相似性， 对所述候选熔解曲线进行杂峰去除， 得到优化后的目标熔解曲线， 包 括： 确定所述候选熔解曲线对应的目标相关系数和相关阴性熔解曲线； 其中， 所述目标相 关系数为所述候选熔解曲线对应的荧光强度曲线与各个所述目标阴性熔解曲线对应的荧 光强度曲线之 间的相关系数的最大值， 所述相关阴性熔解曲线为与所述目标相关系数对应 的目标阴性熔解曲线； 根据所述目标相关系数所属的阈值区间和所述候选熔解曲线对应的相关阴性熔解曲权　利　要　求　书 1/3 页 2 CN 115545123 A 2线， 确定所述 候选熔解曲线中的目标杂峰； 采用预设的滤波算法， 对所述候选熔解曲线进行所述目标杂峰的平滑处理， 得到优化 后的目标 熔解曲线。 6.根据权利要求5所述的熔解曲线优化方法， 其特征在于， 所述根据所述目标相关系数 所属的阈值区间和所述候选熔解曲线对应的相关阴性熔解曲线， 确定所述候选熔解曲线中 的目标杂峰， 包括： 当所述目标相关系数属于第 一阈值区间时， 将所述候选熔解曲线中的所有初始Tm值对 应的熔解峰均确定为目标杂峰； 当所述目标相关系数属于第 二阈值区间时， 按照幅值从大到小的顺序依次对所述候选 熔解曲线中的候选Tm值进 行杂峰考察， 得到所述候选熔解曲线中的目标杂峰； 其中， 所述第 二阈值区间内的任意数值小于所述第一阈值区间内的任意数值， 所述候选Tm值为尚未确定 是否属于杂峰的初始Tm值， 所述目标杂峰包括不满足预设的熔解峰要求的候选Tm值对应的 熔解峰， 所述熔解峰要求与已确定的目标Tm值 集合有关； 当所述目标相关系数属于第 三阈值区间时， 基于所述候选熔解曲线中的候选Tm值的最 大幅值与所述相关阴性熔解曲线对应位置的幅值的大小关系， 确定所述候选熔解曲线中的 目标杂峰； 其中， 所述第三阈值区间内的任意数值小于所述第二阈值区间内的任意数值； 当所述目标相关系数属于第 四阈值区间时， 确定所述候选熔解曲线的目标杂峰为空； 其中， 所述第四阈值区间内的任意数值小于所述第三阈值区间内的任意数值。 7.根据权利要求6所述的熔解曲线优化方法， 其特征在于， 所述熔解峰要求包括在所述 已确定的目标Tm值集合中， 存在至少预设数量个、 位于所述候选Tm值的预设范围内、 大于所 述候选Tm值的幅值的相关Tm值， 并且所述 候选Tm值大于所述相关Tm值中最小幅值的一半； 所述基于所述候选熔解曲线中的候选Tm值的最大幅值与所述相关阴性熔解曲线对应 位置的幅值的大小关系， 确定所述 候选熔解曲线中的目标杂峰， 包括： 当所述候选熔解曲线中的候选Tm值的最大幅值小于或等于所述相关阴性熔解曲线对 应位置的幅值时， 按照幅值 从大到小的顺序依次对 所述候选熔解曲线中的候选Tm值进行杂 峰考察， 得到所述 候选熔解曲线中的目标杂峰； 当所述候选熔解曲线中的候选Tm值的最大幅值大于所述相关阴性熔解曲线对应位置 的幅值时， 确定所述 候选熔解曲线的目标杂峰为空。 8.一种熔解曲线优化装置， 其特 征在于， 包括： 获取模块， 用于获取待处理的荧光强度数据对应的初始熔解曲线及初始Tm值； 其中， 所 述初始熔解曲线包括存在初始Tm值的第一熔解曲线、 不存在初始Tm值且存在极大值点的第 二熔解曲线， 以及不存在 初始Tm值且不存在极大值 点的初始阴性熔解曲线； 分析模块， 用于基于预设规则， 对所述第一熔解曲线的初始Tm值和所述第二熔解曲线 的极大值点进 行聚类分析， 得到目标阴性熔解曲线和待去除杂峰 的候选熔解曲线； 其中， 所 述预设规则与熔解曲线定义有关； 优化模块， 用于基于与所述目标阴性熔解曲线之间的相似性， 对所述候选熔解曲线进 行杂峰去除， 得到优化后的目标 熔解曲线。 9.一种电子设备， 包括存储器、 处理器， 所述存储器中存储有可在所述处理器上运行的 计算机程序， 其特征在于， 所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求 1‑7中任一项 所权　利　要　求　书 2/3 页 3 CN 115545123 A 3