(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210910159.1 (22)申请日 2022.07.29 (71)申请人 西安微电子技 术研究所 地址 710000 陕西省西安市雁塔区太白南 路198号 (72)发明人 袁金焕　王艳玲　周煦林　杨巧　 殷丽丽　刘宗溪　张萍　成洁　 陈靖　 (74)专利代理 机构 西安通大专利代理有限责任 公司 6120 0 专利代理师 房鑫 (51)Int.Cl. G06F 30/398(2020.01) G06F 30/20(2020.01) G06F 115/12(2020.01) (54)发明名称 一种微系统模块中DDR3信号PI和SI仿真分 析方法 (57)摘要 本发明公开了一种微系统模块中DDR3信号 PI和SI仿真分析方法， 实现了微系统模块的电源 完整性仿真分析及信号完整性仿真分析， 并提供 了仿真判定标准， 提高仿真精度。 包括将硅基板 和管壳合并后进行直流压降仿真的步骤， 步骤如 下： 将管壳和硅基板的版图导入到仿真软件中并 进行仿真参数设置； 在芯片的电源引脚和地引脚 之间添加电压源和电流源后， 启动仿真软件进行 直流压降仿真并运算求解， 获取仿真结果； 根据 仿真标准判断仿真结果是否满足要求， 若满足要 求， 则仿真完成； 若不满足要 求， 则定位版图中不 满足仿真标准的项目， 对不满足仿真标准的项目 进行版图更改， 直至满足要求， 仿真完成。 权利要求书2页 说明书14页 附图8页 CN 115270703 A 2022.11.01 CN 115270703 A 1.一种微系 统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法， 其特征在于， 包括将硅基板和管 壳合并后进行直 流压降仿真的步骤， 步骤如下： 将管壳和硅基板的版图导入到 仿真软件中并进行仿真参数设置； 在芯片的电源引脚和地引脚之间添加电压源和电流源后， 启动仿真软件进行直流压降 仿真并运 算求解， 获取仿真结果； 根据仿真标准判断仿真结果是否满足要求， 若满足要求， 则仿真完成； 若不满足要求， 则定位版图中不满足仿真标准的项目， 对不满足仿真标准的项目进行 版图更改， 直至满足要求， 仿真完成。 2.根据权利要求1所述的一种微系 统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法， 其特征在 于， 所述将硅基板和管壳合并包括： 对控制器TSV基板和管壳的工程文件进行合并以及对DDR3颗粒TSV基板微模组件和管 壳的工程文件进行合并。 3.根据权利要求1所述的一种微系 统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法， 其特征在 于， 所述仿真参数包括材 料电导率、 介质介电常数、 损耗角正切 和芯片对应的焊 球。 4.根据权利要求1所述的一种微系 统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法， 其特征在 于， 所述在芯片的电源引脚和地引脚之间添加电压源和电流源具体包括： 在裸芯片TOP层设置电流源， 在裸芯片BOT TOM层BGA焊盘位置处的供电端设置电压源。 5.根据权利要求1所述的一种微系 统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法， 其特征在 于， 所述仿真标准包括 直流电压损耗标准和电流密度标准， 其中， 所述直流电压损耗标准为微系统模块中电源 网络产生的直流压降不超过芯片供 电电压的3％， 所述电流密度标准中仿真电流密度不超过限定电流子 。 6.根据权利要求1所述的一种微系 统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法， 其特征在 于， 所述直流压降仿真的步骤后， 还 包括交流阻抗仿真的步骤， 步骤如下： 将芯片的电源引脚接在一 起形成电源引脚组， 地引脚接在一 起形成地引脚组； 在供电芯片的电源引脚组与地引脚组之间添加一个电阻， 在用电芯片的电源引脚组与 地引脚组之间添加一个接口； 仿真软件设置Compute  SYZ参数后进行交流阻抗仿真并运算求解， 获取用电芯片接口 处的目标阻抗曲线； 根据目标阻抗标准判断获取的仿真结果是否满足要求， 若满足要求， 则仿真完成； 若不满足要求， 则定位不满足目标阻抗标准， 对微系统模块电源网络中的去耦网络进 行修改， 直至满足要求， 仿真完成。 7.根据权利要求6所述的一种微系 统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法， 其特征在 于， 所述电源网络的去 耦网络获取包括如下步骤： 提取PCB板的供电端到微系统模块封装后的电源网络的信号 参数模型； 在仿真软件中搭建构建P DN全链路； 在PDN全链路的模块端接入芯片CPM模型； 基于去耦电容优化和时域仿真， 获取电源网络的去 耦网络。权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115270703 A 28.根据权利要求1所述的一种微系 统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法， 其特征在 于， 所述直流压降仿真的步骤后， 还 包括信号完整性仿真的步骤， 步骤如下： 提取控制器裸芯片焊 盘到TSV引出脚之间互连线的信号 参数； 提取TSV引出脚到DDR3颗粒裸芯片焊盘和匹配阻容IPD裸芯片焊盘之间互连线的信号 参数； 提取控制器TSV引出脚到D DR3颗粒TSV引出脚之间互连线的信号 参数； 级联提取的信号 参数， 导入芯片模型， 建立时域 求解， 得到D DR3信号SI仿真结果； 根据标准判断获取的D DR3信号SI仿真结果是否满足要求， 若满足要求， 则仿真完成； 若不满足要求， 则 定位版图中不满足标准的项目， 对不满足标准的项目进行版图更改， 直至满足要求， 仿真完成。 9.根据权利要求8所述的一种微系 统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法， 其特征在 于， 所述D DR3信号SI仿真结果包括D DR3信号的频域、 时域、 电平、 边沿、 时序和眼 图。 10.根据权利 要求8所述的一种微系统模块中DDR3信号PI和SI仿真分析方法， 其特征在 于， 所述D DR3信号SI仿真结果中D DR3信号的时序采用内嵌D DR3脚本进行计算。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115270703 A 3