(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211243213.8 (22)申请日 2022.10.11 (71)申请人 锦州神工半导体股份有限公司 地址 121000 辽宁省锦州市太和区中信路 46号甲 (72)发明人 谢岩　张海波　王楠　宋洋　高哲　 (74)专利代理 机构 北京易捷胜知识产权代理有 限公司 1 1613 专利代理师 薛晓萌 (51)Int.Cl. B08B 3/12(2006.01) B08B 3/14(2006.01) B08B 3/08(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 一种用于对硅 部件表面和气孔的清洗方法 (57)摘要 本发明涉及一种用于对硅部件表面和气孔 的清洗方法， 包括： S1、 将硅部件放入第一清洗 槽， 第一清洗液在第一清洗槽内外循环， 在第一 设定温度下进行第一预设时间段的超声清洗， 对 硅部件进行第二预设时间段的兆声清洗； S2、 用 超纯水溢流冲洗硅部件第三预设时间段； S3、 将 经S2清洗的硅部件放入第二清洗槽， 第二清洗液 在第二清洗槽内外循环， 对硅部件进行第三预设 时间段的超声清洗， 对硅部件进行第四预设时间 段的兆声清 洗； S4、 使用QDR方法对硅部件进行清 洗； S5、 将硅部件放入第三清洗槽中， 用超纯水溢 流冲洗S4清洗后硅部件第五预设时间段， 同时进 行第六预设时间段的兆声清洗； S6、 通过烘干槽 将经过S5清洗的硅 部件进行烘干 。 权利要求书2页 说明书7页 附图1页 CN 115532721 A 2022.12.30 CN 115532721 A 1.一种用于对硅 部件表面和气孔的清洗方法， 其特 征在于， 包括： S1、 将硅部件放入盛装有第一清洗液的第一清洗槽内， 使第一清洗液通过带有滤芯的 管泵组件在第一清洗槽内外循环， 并在第一设定温度下使用第一清洗槽两侧的超声震板对 硅部件进 行第一预设时间段的超声清洗， 然后使用第一清洗槽的底部兆 声清洗板对硅部件 进行第二预设时间段的兆声清洗； S2、 使用超纯 水溢流冲洗经S1清洗后的硅 部件第三预设时间段； S3、 将经S2清洗的硅部件放入盛装有第二清洗液的第二清洗槽内， 使第二清洗液通过 带有滤芯的管泵组件在第二清洗槽内外循环， 然后在第二设定温度下使用第二清洗槽两侧 的超声震板对硅部件进行第三预设时间段的超声清洗， 然后使用第二清洗槽的底部兆声清 洗板对硅部件进行第四预设时间段的兆声清洗； S4、 使用QDR方法对经 过S3清洗的硅零部件进行清洗； S5、 将S4清洗后硅部件放入第三清洗槽中， 使用超纯水溢流冲洗S4清洗后硅部件第五 预设时间段， 同时采用第三清洗槽的底部兆 声清洗板对硅部件进 行第六预设时间段的兆 声 清洗； S6、 通过烘干 槽将经过S5清洗的硅 部件的表面和气孔进行烘干 。 2.根据权利要求1所述的方法， 其特 征在于， 所述第一清洗液 是氨水、 双氧 水、 超纯水混合得到的清洗溶 液； 其中， 第一清洗液中氨水、 双氧 水、 超纯水的体积比为15:15: 80。 3.根据权利要求2所述的方法， 其特 征在于， 所述第二清洗液 是盐酸、 双氧 水、 超纯水混合得到的清洗溶 液； 其中， 第二清洗液中盐酸、 双氧 水、 超纯水的体积比为15:25: 80。 4.根据权利要求3所述的方法， 其特 征在于， 在S1中， 所述在第一设定温度下使用第一清洗槽两侧的超声震板对硅部件进行第一预 设时间段的超声清洗， 具体包括： 在第一设定温度下使用第一清洗槽两侧的超声震板对硅部件进行第一预设时间段的 第一预设超声频率的超声清洗； 在S1中， 所述使用第一清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第二预设时间段的兆声 清洗， 具体包括： 使用第一清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第二预设时间段的第一兆声频率的 兆声清洗 。 5.根据权利要求 4所述的方法， 其特 征在于， 所述第一设定温度为85℃； 所述第一预设时间段为5mi n～10min； 所述第一预设超声频率 为120KHz； 所述第二预设时间段为5mi n～10min； 所述第一兆声频率75 0KHz。 6.根据权利要求5所述的方法， 其特 征在于 所述第三预设时间段为5mi n～10min。 7.根据权利要求6所述的方法， 其特 征在于，权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115532721 A 2在S3中， 所述在第二设定温度下使用清洗槽两侧的超声震板对硅部件进行第 三预设时 间段的超声清洗， 具体包括： 在第二设定温度下使用清洗槽两侧的超声震板对硅部件进行第三预设时间段的第二 预设超声频率的超声清洗； 在S3中， 所述使用第二清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第四预设时间段的兆声 清洗， 具体包括： 使用第二清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第四预设时间段的第二兆声频率的 兆声清洗 。 8.根据权利要求7 所述的方法， 其特 征在于， 所述第二设定温度为： 85℃； 所述第三预设时间段为5mi n～10min； 所述第四预设时间段为5mi n～10min； 所述第二预设超声频率 为： 120KH z； 所述第二兆声频率 为： 750KHz。 9.根据权利要求8所述的方法， 其特 征在于， 所述第五预设时间段为3mi n～6min。 10.根据权利要求9所述的方法， 其特 征在于， S5中所述采用第三清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第六预设时间段的兆声清 洗， 具体包括： 采用第三清洗槽的底部兆声清洗板对硅部件进行第六预设时间段的以第三兆声频率 的兆声清洗； 所述第三兆声频率 为1000KHz。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115532721 A 3