(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 2021234085 57.3 (22)申请日 2021.12.3 0 (73)专利权人 沈阳铸造 研究所有限公司 地址 110000 辽宁省沈阳市铁西区云峰南 街17号 (72)发明人 窦博　张福利　刘静岩　严增男　 张鹏程　 (74)专利代理 机构 沈阳晨创科技专利代理有限 责任公司 210 01 专利代理师 张晨 (51)Int.Cl. H05K 7/20(2006.01) H05K 7/06(2006.01) H05K 7/02(2006.01) (54)实用新型名称 一种IGBT 串联谐振电源双通道逆变 器组件 (57)摘要 本实用新型提供了一种IGBT串联谐振电源 双通道逆变器组件， 主体由多个双通道I GBT模块 并联组成， 外部结构上分为三层结构， 最外层为 直流正极， 向内依次为绝缘层和输出极， 双通道 IGBT模块上设置有冷却水系统， 输 出极上设有 直 流负极， 多个滤波电容并列布置。 本实用新型的 优点： 本实用新型所述的IGBT串联谐振电源双通 道逆变器组件， 逆变单元体积小， 组装简单， 制造 成本低， 冷却水路少， 故障点减少， 设备运行稳定 性提高。 不同功率的电源备件统一， 降低设备维 护成本， 安装方式灵活适用广泛， 元器件货源稳 定。 逆变器组件采用模块化 设计， 结构简单， 制造 成本低， 应用更加广泛， 维护更加方便 。 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 CN 216960609 U 2022.07.12 CN 216960609 U 1.一种IGBT串联谐振电源双通道逆变器组件， 其特征在于： 所述的IGBT串联谐振电源 双通道逆变器组件， 包括直流正极(1)， 绝缘层(2)， 输出极(3)， 双通道IGBT模块(4)， 冷却水 系统(5)， 直 流负极(6)， 滤波电容(7)； 主体由多个双通道IGBT模块(4)并联组成， 外部结构上分为三层结构， 最外层为直流正 极(1)， 向内依次为绝缘层(2)和输出极(3)， 双通道IGBT模块(4)上设置有冷却水系统(5)， 输出极(3)上设有直流负极(6)， 多个滤波电容(7)并列布置； 直流正极(1)与双通道IGBT模 块(4)的输入正极端连接， 直流负极(6)与双通道IGBT模块(4)的输入负极端连接， 输出极 (3)与双通道IGBT模块(4)输出极连接， 滤波电容(7)连接在直流正极(1)与直流负极(6)之 间。 2.根据权利要求1所述的IGBT串联谐振电源双通道逆变器组件， 其特征在于： 所述的双 通道IGBT模块(4)个数为 4～16个。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216960609 U 2一种IGBT串联谐振电源双通道逆变 器组件 技术领域 [0001]本实用新型 涉及电气领域， 特别涉及一种IGBT 串联谐振电源双通道逆变 器组件。 背景技术 [0002]在中频电源的组成部分当中， 逆变单元的构成是整套中频电源的核心部分， 决定 中频电源的构成方式 以及电源所能达到的参数指标。 图1所示为原设计的单通道逆变单元 组件， 外部结构上分为5层结构。 由于每组当中的IGBT模块排布较为紧凑， 所以当其中一个 模块损坏时产生的弧光 易造成相邻较近的模块弧光短路而引起损坏， 增 加维修成本 。 [0003]原单通道IGBT模块逆变器串联谐振电源造价高， 单通道IGBT模块逆变器采用的单 通道IGBT模块， IGBT模块工作时只能工作在半个工作周期。 所以构成串联谐振回路的逆变 单元， 需要由两个单向IGBT模块分别形成上、 下半周的电流回路并由多个这样的回路并联 构成， 形成逆变回路。 由于采用单通道模块， 逆变单元的组装需要分为五层结构(如图1所 示)， 结构比较复杂， 制作工艺要求高， 使用材 料较多， 组装后的逆变单 元体积较大。 [0004]安全性不高， 在原有单通道模块构成的逆变器中， 逆变单元部分为了减少主回路 上的分布电感所以每个模块之间的距离比较近， 在单个IGBT模块损坏时， 模块短路造成的 电弧光会造成多个模块短路损坏， 维修成本增 加。 [0005]安装、 维护成本高、 模块供货不稳定， 大尺寸的逆变器组件也会给拆装带来不便。 另外， 由于目前国内市场生产技术相对于国际市场还有一定的差距， 进口的快速IGBT模块 在供货周期上有不稳定的因素， 会出现断货现象， 这样也会严重影响设备的组装与维修。 实用新型内容 [0006]本实用新型的目的是为了克服上述问题， 特提供了一种IGBT串联谐振电源双通道 逆变器组件。 [0007]本实用新型提供了一种IGBT串联谐振电源双通道逆变器组件， 其特征在于： 所述 的IGBT串 联谐振电源双通道逆变器组件， 包括直流正极(1)， 绝缘层(2)， 输出极(3)， 双通道 IGBT模块(4)， 冷却水系统(5)， 直 流负极(6)， 滤波电容(7)； [0008]主体由多个双通道IGBT模块(4)并联组成， 外部结构上分为三层结构， 最外层为直 流正极(1)， 向内依次为绝缘层(2)和输出极(3)， 双通道IGBT模块(4)上设置有冷却水系统 (5)， 输出极(3)上设有直流负极(6)， 多个滤波电容(7)并列布置； 直流正极(1)与双通道 IGBT模块(4)的输入正极端连接， 直流负极(6)与双通道IGBT模块(4)的输入负极端连接， 输 出极(3)与双通道IGBT模块(4)输出极连接， 滤波电容(7)连接在直流正极(1)与直流负极 (6)之间。 [0009]所述的双通道IGBT模块(4)个数为 4～16个。 [0010]单个的双通道模块在应用上相当于两个单通道的IGBT模块， 使结构上从原有的五 层结构改为三层结构， 逆变单元的组装 上进行了简化； 由于模块使用数量的减少， 模块之间 的距离适当增加， 降低由于模块短路造成的弧光放电烧损相邻近模块的风险大大降低。 逆说　明　书 1/4 页 3 CN 216960609 U 3