(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 20212345 3045.9 (22)申请日 2021.12.31 (73)专利权人 南京酷科电子科技有限公司 地址 210046 江苏省南京市经济技 术开发 区恒泰路8号汇智科技园A1栋16层 (72)发明人 邓世国　余培　李伟强　李佳春　 (74)专利代理 机构 常州众慧之星知识产权代理 事务所(普通 合伙) 32458 专利代理师 郭云梅 (51)Int.Cl. H05K 7/20(2006.01) H05K 7/02(2006.01) H05K 9/00(2006.01) (54)实用新型名称 一种新型高功率密度电源 (57)摘要 本实用新型提供了一种新型高功率密度电 源， 包括： 第一PCBA板， 包括第一PCB板以及设置 于其上的电子 元器件， 第二PCB A板， 包括第二PCB 板以及设置于其上的电子元器件， 以垂直于所述 第一PCBA板的方向布置于所述第一PCBA板的一 侧； 设置于所述第一PCB板一个表面上的电子元 器件包括整流开关， 设置于所述第二PCB板一个 表面上的电子元器件包括功率开 关， 所述整流开 关在所述第一PCBA板上的投影位置与所述功率 开关在所述第二PCBA板上的投影位置是相 互错 开的。 此3D布板设计结构简易、 抗干扰能力强、 散 热效果好。 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 CN 216532441 U 2022.05.13 CN 216532441 U 1.一种新型高功率密度电源， 其特 征在于， 包括： 第一PCBA板， 包括第一PCB板以及设置 于其上的电子元器件， 第二PCBA板， 包括第二PCB板以及设置于其上的电子元器件， 以垂直于所述第一PCBA板 的方向布置 于所述第一PCBA板的一侧； 设置于所述第一PCB板一个表面上的电子元器件包括整流开关， 设置于所述第二PCB板 一个表面上的电子元器件包括功 率开关， 所述整流开关在所述第一P CBA板上的投影位置与 所述功率 开关在所述第二PCBA板上的投影位置是相互错 开的。 2.根据权利要求1所述的新型高功率密度电源， 其特征在于， 所述第一PCB板布置有所 述整流开关的表面朝向所述电源的外壳， 所述第二P CBA板布置有 所述功率开关的表面朝向 所述电源的外壳。 3.根据权利要求1所述的新型高功率密度电源， 其特征在于， 设置于所述第一PCB板另 一个表面上的电子元器件包括输入接口、 输出接口、 Y电容和滤波电感， 所述输入接口和输 出接口分别布置在所述第一PCB板的两端， 所述滤波电感布置在所述输入接口和输出接口 之间， 所述Y电容布置在所述滤波电感和输出接口之间， 且所述Y电容直接跨接在所述输入 接口和输出接口的两端， 所述滤波电感与所述输入接口之间、 所述滤波电感与所述输出接 口之间均留有一定的空间。 4.根据权利要求3所述的新型高功率密度电源， 其特征在于， 所述整流开关包括同步整 流MOS管和整流桥， 所述同步整流MOS管布置在所述输出接口一端， 所述整流桥布置在所述 输入接口一端。 5.根据权利要求4所述的新型高功率密度电源， 其特征在于， 设置于所述第二PCB板另 一个表面上的电子元器件包括变压器和储能电容， 所述变压器和储能电容分别布置在所述 第二PCB板的两端。 6.根据权利要求5所述的新型高功率密度电源， 其特征在于， 所述变压器和储能电容基 本平行于所述第一P CB板并在所述第一P CB板的上方延伸， 且所述储能电容布置在所述滤波 电感与所述输入接口之 间留有的空间上方， 所述变压器布置在所述滤波电感与所述输出接 口之间留有的空间上 方。 7.根据权利要求5所述的新型高功率密度电源， 其特征在于， 所述功率开关布置在所述 变压器和储能电容之间， 且与所述滤波电感近似位于同一水平高度上。 8.根据权利要求7所述的新型高功率密度电源， 其特征在于， 所述滤波电感和同步整流 MOS管布置在所述第二PCBA板垂直插入所述第一PCBA板一侧的相对一侧， 使得所述滤波电 感、 同步整流MOS管、 整流 桥、 变压器和功率 开关相互远离且横竖交错。 9.根据权利要求5所述的新型高功率密度电源， 其特征在于， 所述第二PCBA板还包括散 热铜箔， 所述散热铜箔布置在所述第二PCB板的一个表面上， 且位于所述变压器一端。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216532441 U 2一种新型高功率密 度电源 技术领域 [0001]本实用新型 涉及电源设计领域， 具体的涉及一种3D布板的新型高功率密度电源。 背景技术 [0002]随着功率半导体的飞速发展和器件集成度的不断提高， 智能手机及笔记本电脑的 电源适配器正在不断向小型化和便携化发展。 然而， 小型化的同时带来了更加 严重的电磁 干扰(EMI)、 电磁屏蔽(EMS)和散热问题。 为了解决这一问题， 现有技术中的电源多采用多层 PCB板堆叠的结构设计方式， 但这种方式容易引起各层器件之间的相互干扰， 这会使得EMI 及EMS问题处理起来相对困难， 甚至有些仅能满足最基本的安规要求。 因此， 设计开发一种 结构简易、 抗干扰能力强、 散热效果好的新型高功率密度电源是本领域技术人员重要的改 进目标。 实用新型内容 [0003]本实用新型的目的在于克服现有技 术的缺陷， 提供一种新型高功率密度电源。 [0004]为了实现以上目的及其他目的， 本实用新型是通过以下技术方案实现的： 一种新 型高功率密度电源， 其特征在于， 包括： 第一PCBA板， 包括第一PCB板以及设置于其上的电子 元器件， 第二PCBA板， 包括第二PCB板以及设置于其上的电子元器件， 以垂直于所述第一 PCBA 板的方向布置于所述第一PCBA板的一侧； 设置于所述第一P CB板一个表 面上的电子元 器件包括整流开关， 设置于所述第二P CB板一个表面上的电子元器件包括功 率开关， 所述整 流开关在所述第一PCBA板上的投影位置与所述功率开关在所述第二PCBA板上的投影位置 是相互错 开的。 [0005]在一实施例中， 所述第一PCB板布置有所述整流开关的表面朝向所述电源的外壳， 所述第二PCBA板布置有所述功率 开关的表面朝向所述电源的外壳。 [0006]在一实施例中， 设置于所述第一PCB 板另一个表面上的电子元器件包括输入接口、 输出接口、 Y电容和滤波电感， 所述输入接口和输出接口分别布置在所述第一P CB板的两端， 所述滤波电感布置在所述输入接口和输出接口之间， 所述Y电容布置在所述滤波电感和输 出接口之 间， 且所述Y电容直接跨接在所述输入接口和输出接口的两端， 所述滤波电感与所 述输入接口之间、 所述滤波电感与所述输出接口之间均留有一定的空间。 [0007]在一实施例中， 所述整流开关包括同步整流MOS管和整流桥， 所述同步整流MOS管 布置在所述输出接口一端， 所述整流 桥布置在所述输入接口一端。 [0008]在一实施例中， 设置于所述第二PCB板另一个表面上的电子元器件包括变压器和 储能电容， 所述变压器和储能电容分别布置在所述第二PCB板的两端。 [0009]在一实施例中， 所述变压器和储能电容基本平行于所述第一PCB板并在所述第一 PCB板的上方延伸， 且所述储能电容布置在所述滤波电感与所述输入接口之间留有的空间 上方， 所述变压器布置在所述滤波电感与所述输出接口之间留有的空间上 方。 [0010]在一实施例中， 所述功率开关布置在所述变压器和储能电容之间， 且与所述滤波说　明　书 1/4 页 3 CN 216532441 U 3