(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111546352.3 (22)申请日 2021.12.16 (71)申请人 上海集成电路装备 材料产业创新中 心有限公司 地址 201821 上海市嘉定区叶城路128 8号6 幢JT2216室 申请人 上海集成电路研发中心有限公司 (72)发明人 时雪龙　夏铭阳　燕燕　李琛　 (74)专利代理 机构 北京同立钧成知识产权代理 有限公司 1 1205 代理人 吴梅锡　臧建明 (51)Int.Cl. G06F 30/27(2020.01) G06K 9/62(2022.01) G06F 119/02(2020.01) (54)发明名称 光刻热点检测方法、 装置、 电子设备及可读 存储介质 (57)摘要 本申请提供一种光刻热点检测方法、 装置、 电子设备及可读存储介质， 该方法包括： 获取光 刻的掩膜图案， 并将掩膜图案经过N个通信信道 的处理， 得到N个本征图像； 将N个本征图像输入 经过预先训练的机器学习模型中进行预测， 得到 预测光刻胶结构图； 使用指定的光刻胶厚度从预 测光刻胶结构图中提取轮廓图， 并将指定的光刻 胶厚度对应的轮廓图与预测光刻胶结构图底部 的轮廓图相比较来查找光刻胶的光刻热点。 这 样， 可以节省计算时间， 以实现全芯片光刻胶结 构相关的光刻热点检测； 进一步的， 可 以提高查 找光刻热点的准确率。 权利要求书2页 说明书15页 附图8页 CN 114239398 A 2022.03.25 CN 114239398 A 1.一种光刻热点检测方法， 其特 征在于， 所述方法包括： 获取光刻的掩膜图案， 并将所述掩膜图案经 过N个通信 信道的处 理， 得到N个本征图像； 将所述N个本征图像输入经过预先训练的机器学习模型中进行预测， 得到预测光刻胶 结构图； 使用指定的光刻胶厚度从所述预测光刻胶结构图中提取轮廓图， 并将所述轮廓图与 所 述预测光刻 胶结构图底部的轮廓图相比较来 查找光刻 胶的光刻热点。 2.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 将所述掩膜图案经过N个通信信道的处理， 得到N个本征图像， 包括： 提取所述掩膜图案的成像条件， 基于所述成像条件确定所述掩膜图案的特 征函数集； 基于成像方程将所述特 征函数集分解成N个通信 信道的特 征函数信息； 获取所述掩膜图案的掩膜传输函数， 并基于所述掩膜传输函数和N个所述特征函数信 息分别计算所述掩膜图案的近似信息， 得到N个本征图像。 3.根据权利要求2所述的方法， 其特 征在于， 所述本征图像通过以下公式确定： 其中， Si(x， y； z＝z0)代表第i个本征图像， 代表任意一个深度z0的第i 个通信信道的特 征函数信息， M(x,y)代 表所述掩膜图案的掩膜传输函数， 表示卷积运 算。 4.根据权利要求1所述的方法， 其特 征在于， 还 包括： 获取数据集， 所述数据集包括训练子集、 验证子集和测试子集； 其中， 所述数据集中的 每一子集包括： 经 过通信信道处理的多个本征图像和其对应的光刻 胶结构图； 根据所述数据集， 对机器学习模型进行训练； 相应的， 将所述N个本征图像输入经过预先训练的机器学习模型中进行预测， 得到预测 光刻胶结构图， 包括： 将所述N个本征图像输入通过所述数据集训练得到的机器学习模型中进行预测， 预测 出所述N个本征图像合成的预测光刻 胶结构图。 5.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述方法还包括： 验证所述预测光刻胶结 构图与实验或严格模拟获得的光刻 胶结构图的匹配度； 相应的， 所述匹配度通过以下公式确定： 其中， NCC代表匹配度， G(i， j)代表预测光刻胶结构图的第i 行第j列的光刻胶厚度值， 代表预测光刻胶结构图的光刻胶厚度值的均值， g(i， j)代表实验或严格模拟获得的光刻胶 结构图的第i行第j列的光刻胶厚度值， 代表实验或严格模拟获得的光刻胶结构图的光刻 胶厚度值的均值， m， n代 表光刻胶结构图的m行n列。 6.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 将所述轮廓图与 所述预测光刻胶结构图底 部的轮廓图相比较来 查找光刻 胶的光刻热点， 包括： 分别计算所述轮廓图与所述预测光刻 胶结构图底部的轮廓图的轮廓变化度；权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114239398 A 2若所述轮廓图与所述预测光刻胶结构图底部的轮廓图的轮廓变化度小于预设阈值， 则 所检测的区域 不存在光刻热点； 若所述轮廓图与所述预测光刻胶结构图底部的轮廓图的轮廓变化度在某个位置大于 预设阈值， 则这个位置存在光刻热点； 并发送提示信息， 用于提醒用户基于所述位置查找 光 刻掩膜数据的光刻热点。 7.根据权利要求1 ‑6任一项所述的方法， 其特 征在于， 还 包括： 若确定光刻掩膜数据存在光刻热点， 则对光学邻 近校正OPC配方进行调整， 以修复检测 到的光刻热点； 所述OPC配方为预设的旨在将芯片设计图案转换为掩膜图案的一系列的软 件计算操作指令， 其产生的光刻掩膜数据， 用于确定光刻 胶的曝光图案 。 8.一种光刻热点检测装置， 其特 征在于， 所述装置包括： 获取模块， 用于获取光刻的掩膜图案， 并将所述掩膜图案经过N个通信信道 的处理， 得 到N个本征图像； 预测模块， 用于将所述N个本征图像输入经过预先训练的机器学习模型中进行预测， 得 到预测光刻 胶结构图； 查找模块， 用于使用指定的光刻胶厚度从所述预测光刻胶结构图中提取轮廓图， 并将 所述轮廓图与所述预测光刻 胶结构图底部的轮廓图相比较来 查找光刻 胶的光刻热点。 9.一种电子设备， 其特征在于， 包括： 处理器， 存储器以及计算机程序； 其中， 所述计算 机程序被存储在所述存储器中， 并且被配置为由所述处理器执行， 所述计算机程序包括用 于执行如权利要求1 ‑7任一项所述的光刻热点检测方法的指令 。 10.一种计算机可读存储介质， 其特征在于， 所述计算机可读存储介质存储有计算机执 行指令， 所述计算机执行指令被处理器执行时用于实现如权利要求1 ‑7任一项所述的光刻 热点检测方法。 11.一种计算机程序产品， 其特征在于， 包括程序代码， 当计算机运行所述计算机程序 时， 所述程序代码执 行如权利要求1 ‑7任一项所述的方法。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114239398 A 3