(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111659038.6 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 英特尔产品 （成 都） 有限公司 地址 611731 四川省成 都市高新 技术开发 区西区科新路8-1号 申请人 英特尔公司 (72)发明人 刘倩　郭绍寅　 (74)专利代理 机构 北京永新同创知识产权代理 有限公司 1 1376 代理人 于景辉　李文彪 (51)Int.Cl. G01B 21/30(2006.01) G06K 9/62(2022.01) (54)发明名称 用于检测芯片基板平整度异常的方法和装 置 (57)摘要 提供了用 于检测芯片基板平整度异常的方 法和装置。 根据本公开的一个方面的一种方法包 括： 针对每一个被测芯片， 获取所述被测芯片的 基板的平整度数据， 其中， 所述被测芯片采用球 栅阵列封装， 所述平整度数据具有多个维度， 每 一个维度指示焊接在所述基板上的多个焊球中 的一个焊球的高度测量值； 将所述被测芯片的平 整度数据投影到预先确定的主成分集合上以得 到投影结果， 其中， 所述主成分集合是基于一组 参考芯片的平整度数据采用主成分分析法来确 定的； 以及至少部分地基于所述投影结果来判断 所述被测芯片的基 板的平整度是否存在异常。 权利要求书3页 说明书13页 附图5页 CN 114264277 A 2022.04.01 CN 114264277 A 1.一种用于检测芯片基板平整度异常的方法， 包括： 针对每一个被测芯片， 获取所述被测芯片的基板的平整度数据， 其中， 所述被测芯片采 用球栅阵列封装， 所述平整度数据具有多个维度， 每一个维度指示焊接在所述基板上 的多 个焊球中的一个 焊球的高度测量 值； 将所述被测芯片的平整度数据投影到预先确定的主成分集合上以得到投影结果， 其 中， 所述主成分集 合是基于一组参 考芯片的平整度数据采用主成分 分析法来确定的； 以及 至少部分地基于所述投影结果 来判断所述被测芯片的基板的平整度是否存在异常。 2.根据权利要求1所述的方法， 还 包括： 将多个被测芯片中经判断平整度存在异常的被测芯片划分为 一个或多个子集； 以及 对于所述一个或多个子集中的每一个子集， 结合被测芯片的工艺信 息来进行共性分析 以识别该子集中的被测芯片的基板平整度异常的可能成因。 3.根据权利要求1所述的方法， 其中， 基于一组参考芯片的平整度 数据采用主成分分析 法来确定所述主成分集 合包括： 对所述一组参考芯片的平整度数据进行中心化处 理； 计算经中心化处 理后的所述 一组参考芯片的平整度数据的协方差矩阵； 通过对所计算的协方差矩阵进行特征分解来得到多个特征值以及对应的多个特征向 量； 以及 将与所述多个特 征值中最大的一组特 征值相对应的一组特 征向量确定为主成分集 合。 4.根据权利要求3所述的方法， 其中， 将与 所述多个特征值中最大的一组特征值相对应 的一组特 征向量确定为主成分集 合包括： 将所述多个特 征值从大到小 进行排序； 计算与排序后的前p个特征值相对应的p个特征向量的累积方差贡献率， 其中， p是大于 等于1的整数； 以及 响应于所计算的累积方差贡献率达到预设的贡献率阈值， 将相应的p个特征向量确定 为所述主成分集 合。 5.根据权利要求3所述的方法， 其中， 将与 所述多个特征值中最大的一组特征值相对应 的一组特 征向量确定为主成分集 合包括： 将所述多个特 征值从大到小 进行排序； 按照排序后的顺序计算累积方差贡献率； 识别出利用所计算的累积方差贡献率构造的贡献率曲线中的拐点， 其中， 所述拐点指 示与排序后的前q个特 征值相对应的q个特 征向量， q是 大于等于1的整数； 以及 将相应的q个特 征向量确定为所述主成分集 合。 6.根据权利要求1所述的方法， 其中， 至少部分地基于所述投影结果来判断所述被测芯 片的基板的平整度是否存在异常包括： 响应于确定所述被测芯片的平整度数据在所述主成分集合中的至少一个主成分上的 投影值不符合与该主成分相对应的正态分布模型， 判定所述被测芯片的基板的平整度存在 异常。 7.根据权利要求1所述的方法， 其中， 至少部分地基于所述投影结果来判断所述被测芯 片的基板的平整度是否存在异常包括：权　利　要　求　书 1/3 页 2 CN 114264277 A 2计算所述被测芯片的平整度数据在投影到所述主成分集 合上之后的残差； 响应于确定所计算的残差与 预先确定的残差均值的比较结果不符合预设的标准， 判定 所述被测芯片的基板的平整度存在异常， 其中， 所述残差均值是基于所述一组参考芯片 中 的每一个参 考芯片的平整度数据在投影之后的残差来确定的。 8.根据权利要求2所述的方法， 其中， 将所述多个被测芯片中经判断平整度存在异常的 被测芯片划分为 一个或多个子集包括： 采用K均值聚类算法， 以所述多个被测芯片中经判断平整度存在异常的被测芯片的平 整度数据作为输入进行聚类分析， 识别出 所述一个或多个子集。 9.根据权利要求2所述的方法， 其中， 结合被测芯片的工艺信 息来进行共性分析以识别 该子集中的被测芯片的基板平整度异常的可能成因包括利用卡方检验来进行所述共性分 析， 并且其中， 所述工艺信息包括指示被测芯片所 经历的工位的信息 。 10.一种计算设备， 包括： 至少一个处 理器； 以及 存储器， 其耦合到所述至少一个处理器并用于存储指令， 其中， 所述指令在由所述至少 一个处理器执行时， 使得 所述至少一个处 理器： 针对每一个被测芯片， 获取所述被测芯片的基板的平整度数据， 其中， 所述被测芯片采 用球栅阵列封装， 所述平整度数据具有多个维度， 每一个维度指示焊接在所述基板上 的多 个焊球中的一个 焊球的高度测量 值； 将所述被测芯片的平整度数据投影到预先确定的主成分集合上以得到投影结果， 其 中， 所述主成分集 合是基于一组参 考芯片的平整度数据采用主成分 分析法来确定的； 以及 至少部分地基于所述投影结果 来判断所述被测芯片的基板的平整度是否存在异常。 11.根据权利要求10所述的计算设备， 其中， 所述指令在由所述至少一个处理器执行 时， 还使得 所述至少一个处 理器： 将多个被测芯片中经判断平整度存在异常的被测芯片划分为 一个或多个子集； 以及 对于所述一个或多个子集中的每一个子集， 结合被测芯片的工艺信 息来进行共性分析 以识别该子集中的被测芯片的基板平整度异常的可能成因。 12.根据权利要求10所述的计算设备， 其中， 基于一组参考芯片的平整度 数据采用主成 分分析法来确定所述主成分集 合包括： 对所述一组参考芯片的平整度数据进行中心化处 理； 计算经中心化处 理后的所述 一组参考芯片的平整度数据的协方差矩阵； 通过对所计算的协方差矩阵进行特征分解来得到多个特征值以及对应的多个特征向 量； 以及 将与所述多个特 征值中最大的一组特 征值相对应的一组特 征向量确定为主成分集 合。 13.根据权利要求12所述的计算设备， 其中， 将与 所述多个特征值中最大的一组特征值 相对应的一组特 征向量确定为主成分集 合包括： 将所述多个特 征值从大到小 进行排序； 计算与排序后的前p个特征值相对应的p个特征向量的累积方差贡献率， 其中， p是大于 等于1的整数； 以及 响应于所计算的累积方差贡献率达到预设的贡献率阈值， 将相应的p个特征向量确定权　利　要　求　书 2/3 页 3 CN 114264277 A 3