(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202123366531.7 (22)申请日 2021.12.28 (73)专利权人 西安奕斯伟材 料科技有限公司 地址 710065 陕西省西安市高新区西沣南 路1888号1-3-029室 (72)发明人 贺云鹏　王贺　 (74)专利代理 机构 西安维英 格知识产权代理事 务所(普通 合伙) 6125 3 专利代理师 李斌栋　姚勇政 (51)Int.Cl. B24B 37/08(2012.01) B24B 37/11(2012.01) B24B 37/34(2012.01) B24B 49/00(2012.01) B24B 47/22(2006.01) (54)实用新型名称 一种双面研磨装置 (57)摘要 本实用新型实施例公开了一种双面研磨装 置， 所述双面研磨装置包括： 对置的一对流体静 压垫； 对置的一对研磨轮， 所述一对研磨轮分别 固定在所述一对流体静压垫上； 夹持装置， 所述 夹持装置用于将待研磨件夹持在所述一对研磨 轮之间； 监测单元， 所述监测单元用于实时监测 所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置并 且在所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位 置超出预定范围时发送监测信号； 调整单元， 所 述调整单元用于基于所述监测信号将所述待研 磨件相对于所述一对研磨轮的位置调整到所述 预定范围内。 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 CN 216542671 U 2022.05.17 CN 216542671 U 1.一种双面研磨装置， 其特 征在于， 所述双面研磨装置包括： 对置的一对流体静压 垫； 对置的一对研磨轮， 所述 一对研磨轮分别固定在所述 一对流体静压 垫上； 夹持装置， 所述夹持装置用于将待研磨件夹持在所述 一对研磨轮之间； 监测单元， 所述监测单元用于实时监测所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置并 且在所述待研磨件相对于所述 一对研磨轮的位置超出 预定范围时发送监测信号； 调整单元， 所述调 整单元用于基于所述监测信号将所述待研磨件相对于所述一对研磨 轮的位置调整到所述预定范围内。 2.根据权利要求1所述的双面研磨装置， 其特征在于， 所述监测单元包括用于感测所述 待研磨件的表面上 的压力的压力传感器， 当所述压力超过预定阈值时， 所述监测单元确定 所述待研磨件相对于所述 一对研磨轮的位置超出 所述预定范围。 3.根据权利要求2所述的双面研磨装置， 其特征在于， 所述监测单元包括两个所述压力 传感器， 两个所述压力传感器设置成分别感测所述待研磨件的两个表面上 的压力， 当两个 所述压力 传感器感测到的压力的差超出预定范围时， 所述监测单元确定所述待研磨件相对 于所述一对研磨轮的位置超出 所述预定范围。 4.根据权利要求3所述的双面研磨装置， 其特征在于， 两个所述压力传感器设置成感测 所述待研磨件上的同一 位置的两个表面上的压力。 5.根据权利要求1所述的双面研磨装置， 其特征在于， 所述监测单元和所述调整单元设 置在所述 一对流体静压 垫上。 6.根据权利要求1所述的双面研磨装置， 其特征在于， 所述调 整单元包括控制器和用于 喷射流体的喷嘴， 其中， 所述控制 器设置成根据所述监测信号控制所述喷嘴向所述待研磨 件的表面喷射流体， 以通过所述流体的压力将所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置 调整到所述预定范围内。 7.根据权利要求1至6中的任一项所述的双面研磨装置， 其特征在于， 所述待研磨件为 硅片。 8.根据权利要求1所述的双面研磨装置， 其特征在于， 所述夹持装置设置成能够沿水平 方向移动， 当所述调整单元调整所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置时， 所述夹持 装置能够与所述待研磨件一 起沿水平方向移动。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216542671 U 2一种双面研磨装 置 技术领域 [0001]本实用新型 涉及半导体制造技 术领域， 尤其涉及一种双面研磨装置 。 背景技术 [0002]研磨工艺是指通过使用研磨轮对硅片的表面进行研磨并产生具有高度平整表面 的硅片。 在研磨期间， 研磨轮由保持装置保持， 并且还需要对研磨轮和硅片提供研磨水， 以 减少对硅片的不必要损伤。 [0003]双面研磨作为一种常规研磨技术由于具有高效的研磨效率而被广泛应用于硅片 制造领域。 双面研磨是指同时对硅片的两个侧面进行研磨并产生具有高度 平整表面的硅片 的技术。 夹持装置通常包括一对流体静压垫和 一对研磨轮。 一对流体静压垫和一对研磨轮 对向设置， 以确保两者之间的硅片保持为竖直方向。 流体静压垫能够在各个垫和硅片表面 之间形成流体屏障， 以便在研磨期间保持住硅片， 并使得硅片以较小的摩擦相对于静压垫 表面在切向上移动(转动)。 因此， 在双面研磨过程中， 令硅片始终位竖直于中央位置， 对提 高研磨精度非常重要。 [0004]然而， 由于研磨过程中飞溅的研磨碎屑会使流体孔道逐渐堵塞， 从左右两侧施加 在硅片表面的力不平衡， 这会引起硅片位置发生偏转。 而且， 流体供应稳定性直接影响硅片 在研磨时的位置状态， 无法进行二次修正。 另外， 由于流体孔道的流量是固定的， 无法在整 个研磨过程中对硅片的研磨位置进行实时监控和调整， 这可能会导致研磨精度恶化， 甚至 可能使硅片在加工过程中破碎。 [0005]综上所述， 如何在双面研磨 过程中执行对硅片位置的监控和校准是本领域亟需解 决的技术问题。 实用新型内容 [0006]为解决上述技术问题， 本实用新型实施例期望提供一种用于控制硅片研磨装置的 变形的系统。 [0007]本实用新型的技 术方案是这样实现的： [0008]本实用新型实施例提供了一种双面研磨装置， 所述双面研磨装置包括： [0009]对置的一对流体静压 垫； [0010]对置的一对研磨轮， 所述 一对研磨轮分别固定在所述 一对流体静压 垫上； [0011]夹持装置， 所述夹持装置用于将待研磨件夹持在所述 一对研磨轮之间； [0012]监测单元， 所述监测单元用于实时监测所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位 置并且在所述待研磨件相对于所述 一对研磨轮的位置超出 预定范围时发送监测信号； [0013]调整单元， 所述调整单元用于基于所述监测信号将所述待研磨件相对于所述一对 研磨轮的位置调整到所述预定范围内。 [0014]本实用新型实施例提供了一种双面研磨装置； 所述研磨装置包括用于监测待研磨 件相对于一对研磨轮的位置的监测单元和基于监测单元的监测信号调整待研磨件相对于说　明　书 1/4 页 3 CN 216542671 U 3