(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202222283648.7 (22)申请日 2022.08.30 (73)专利权人 迈思普电子股份有限公司 地址 523000 广东省东莞 市东坑镇东坑大 道南365号 (72)发明人 王磊　罗赞兴　 (74)专利代理 机构 深圳国联专利代理事务所 (特殊普通 合伙) 44465 专利代理师 苗星星 (51)Int.Cl. H02J 7/00(2006.01) H02J 7/34(2006.01) H02H 7/16(2006.01) H02H 9/04(2006.01) (54)实用新型名称 一种超级电容充放电的保护电路 (57)摘要 本实用新型公开了一种超级电容充放电的 保护电路， 稳压芯片431与三极管Q1的发射极连 接， 三极管Q1的集电极通过二 极管D1与三极管Q2 的发射极连接， 三 极管Q2的集电极通过二 极管D2 与稳压芯片431连接， 三极管Q1的基极与二极管 D1之间接有稳压二 极管U1， 三极管Q2的基极与二 极管D2之间接有稳压二 极管U2， 稳压二 极管U1与 电阻R1之间接有电阻R2， 稳压二 极管U2与电阻R4 之间接有电阻R5， 电阻R5通过电阻R3与电阻R2连 接， 电阻R5 上串联接有电阻R6， 电阻R2、 R3、 R5、 R6 上并联接有电容C1和电容C3， 稳压芯片432上并 联接有电容C2和电容C4， 电容C4上并联接有C8。 本实用新型的优点在于： 有效做到每颗超级电容 不受到过压， 延长超 级电容寿 命。 权利要求书1页 说明书2页 附图1页 CN 218040882 U 2022.12.13 CN 218040882 U 1.一种超级电容充放电的保护电路， 其特征在于： 包括稳压芯片431和432， 所述稳压芯 片431与三极管Q1的发射极连接， 所述三极管Q1的集电极通过二极管D1与三极管Q2的发射 极连接， 所述三极管Q2的集电极通过二极管D2与稳压 芯片431连接， 所述三极管Q1的基 极与 发射极之间接有电阻R1， 所述三极管Q1的基极与二极管D1之间接有稳压二极管U1， 所述三 极管Q2的基极与发射极之间接有电阻R4， 所述三极管Q2的基 极与二极管D2之间接有 稳压二 极管U2， 所述电阻R4与稳压二极管U1连接， 所述稳压二极管U1与电阻R1之间接有电阻R2， 所 述稳压二极管U2与电阻R4之间接有电阻R5， 所述电阻R5通过电阻R3与电阻R2连接， 所述电 阻R5上串联接有电阻R6， 所述电阻R2、 R3、 R5、 R6上并联接有电容C1和电容C3， 所述稳压芯片 432上并联接有电容C2和电容C4， 所述电容C4上并联接有C8， 所述电容C2和电容C4与电容C1 和电容C3并联。 2.根据权利要求1所述的一种超级电容充放电的保护电路， 其特征在于： 所述电容C3接 地。 3.根据权利要求1所述的一种超级电容充放电的保护电路， 其特征在于： 所述电容C1和 电容C3串联。 4.根据权利要求1所述的一种超级电容充放电的保护电路， 其特征在于： 所述电容C2和 电容C4串联。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 218040882 U 2一种超级电容充放电的保护电路 技术领域 [0001]本实用新型 涉及电路技 术领域， 具体是指一种超级电容充放电的保护电路。 背景技术 [0002]现有技术需要采用电阻分压来保护超级电容防止过压， 不能有效的抑制超级电容 过电压/均流保护， 导 致超级电容寿命 缩短， 目前常用做法以下两种： [0003]1.电阻分压保户超级电容； [0004]2.稳压管保户超级电容。 实用新型内容 [0005]本实用新型要解决的技术问题是， 针对上述问题， 提供一种有效做到每颗超级电 容不受到过压， 延长超级电容寿命的超级电容充放电的保护电路。 [0006]为解决上述技术问题， 本实用新型提供的技术方案为： 一种超级电容充放电的保 护电路， 包括稳压芯片431和432， 所述稳压芯片431与三极管Q1的发射极连接， 所述三极管 Q1的集电极通过二极管D1与三极管Q2的发射极连接， 所述三极管Q2的集电极通过二极管D2 与稳压芯片431连接， 所述三极管Q 1的基极与发射极之间接有电阻R1， 所述三极管Q1的基极 与二极管D1之间接有稳压二极管U1， 所述三极管Q2的基极与发射极之间接有电阻R4， 所述 三极管Q2的基极与二极管D2之间接有稳压二极管U2， 所述电阻R4与稳压二极管U1连接， 所 述稳压二极管U1与电阻R1之间接有电阻R2， 所述稳压二极管U2与电阻R4之间接有电阻R5， 所述电阻R5通过电阻R3与电阻R2连接， 所述电阻R5上串 联接有电阻R6， 所述电阻R2、 R3、 R5、 R6上并联接有电容C1和电容C3， 所述稳压芯片432上并联接有电容C2和电容C4， 所述电容C4 上并联接有C8， 所述电容C2和电容C4与电容C1和电容C 3并联。 [0007]作为改进， 所述电容C 3接地。 [0008]作为改进， 所述电容C1和电容C 3串联。 [0009]作为改进， 所述电容C2和电容C4串联。 [0010]本实用新型与现有技 术相比的优点在于： [0011]1、 采用43 1/432高精度稳压芯片， 经IC内部基准电压分压原理， 设定电容能够承受 最大安全电压， 当电容电压超出设定电压时， 稳压 芯片能够把超出有效钳位， 有效控制每颗 超级电容 不受过压； [0012]2、 当超级电容两端电压输出高电平时， 三极管Q1导通， 通过D1续流二极管导通给 电容C1均流。 附图说明 [0013]图1为本实用新型的电路示 意图。说　明　书 1/2 页 3 CN 218040882 U 3