ICS31.200 L55 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T117042018 微电子封装的数字信号传输特性测试方法 Digital signal transmission test method for microelectronic packages 2018-02-09发布 2018-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 bl ack SJ/T117042018 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国集成电路标准化分技术委员会（SAC/TC78/SC2）归口。 本标准主要起草单位：中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第十三研究所、清华大 学、中国电子科技集团公司第五十八研究所 本标准主要起草人：王琪、 本标准为首次发布 S D bl ack SJ/T117042018 微电子封装的数字信号传输特性测试方法 1范围 本标准规定了高频数字微电子封装中传输线的特性阻抗、传输延迟时间、负载电容、负载电感、直 流串联电阻的测试方法。 本标准适用于高频数字微电子封装 AND 2规范性引用文件 口期的版木适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件 其最新版本（包括所有的修改单）适用于 GJB548 暑件试验然和程屏 及符 3 术语和定 下列术店 及符号 3.1 术语利 3.1.1 特性阻抗 acteristicimpedance 某一段传输线重 其电阻和电感对电容的比值所呈现的阻抗。 3.1.2 传输延迟时间 tr nsmission delay time 3.2 符号 RD R：电阻： L：电感； C：电容； Tpd：传输延迟时间； Zo：特性阻抗； l：引线长度。 4一般要求 4.1 测试环境 除另有规定外，测试环境（温度、气压等）应符合GJB548的相关规定。 bl ack SJ/T117042018 4.2测试设备 测量和试验设备应满足测量和试验的使用要求。仪器设备的基本要求规定如下： a) 时域反射计：对于测试所使用的时域反射计（TDR），其用于产生反射的系统上升时间应至少 是不大于待测封装电路上升时间的1/5，最好是不大于1/10。互.连线和固定装置应按此要求设 计，使这一比值不会因为测试装置的反射和振铃而衰减。 直流电阻测试设备：直流电阻测试设备和探针固定装置应具有测试封装引线电阻和芯片到封 装互连介质电阻的能力，在包含探针机械接触电阻的情况下，测试误差不应超过实际值的10%。 测试设备引起的测试误差应满足所测参数准确度的要求。 5特性测试 5.1 封装传输特性 5.1.1目的 测试典型配置下的特性阻抗、传输延迟时间、负载电容、负载电感。 5.1.2测试框图 使用TDR的测试设备配置如图1所示。应测试所有典型配置下的特性阻抗、传输延迟时间、负载电 容、负载电感，这些典型配置应根据封装图纸和预定应用情况进行确定。 典型按地线路 同轴或带状线 阿地平 时域反 射计 图1 基于时域反射计的测试配置 5.1.3测试条件 测试期间，应规定以下测试条件： a) 环境温度范围； 特征阻抗（ZRef），单位为欧（2）。 5.1.4测试程序 测试程序规定如下： 使用一段特征阻抗（ZRef）已知并经过校准的同轴线作为参考，测试TDR上所显示的被测封装 a) 引出端（采用零长度短接线路定位）的阻抗最小值Zmin、最大值Zmax和平均值Z，同时得到反射 系数p。 b) 通过公式(1)，计算每种情况下的特性阻抗： (d + D) Zo ZRef ..(1) (d - I) 式中： 2 bl ack SJ/T117042018 特性阻抗，单位为欧（2）； ZRef - 特征电阻，单位为欧（2）； 一反射系数。 p 通过TDR测试从外部封装引出端（t）到芯片上键合点（t2）的时间差(△t=ti-t2)。从封装设计 图纸上，确定封装中被测线的物理长度（1）。根据公式(2)计算单位长度传输延迟时间： At ..(2) tpdl 式中： 单位长度传输延迟时间，单位为秒（s）； Ipdl 外部封装引出端到芯片上键合点的时间差，单位为秒（s）； 引线长度，单位为毫米（mm）。 根据公式(3)计算单位长度负载电容： ..(3) Zo 式中： Ci 单位长度负载电容，单位为法（F）； 单位长度传输延迟时间，单位为秒（s）； Ipdl Zo 特性阻抗，单位为欧（Q）。 根据公式(4)计算单位长度负载电感： (tpan )2 ..(4) L C, 式中： L, 单位长度负载电感，单位为亨（H）： 单位长度传输延迟时间，单位为秒（s）： tpl 5.1.5注意事项 应注意以下事项： 使用TDR的测试：使用TDR进行封装传输特性的精确测试，需要仔细设计并安装恰当的固定装 置，以避免由于同轴线及TDR与被测封装之间接头处的不连续性带来的反射。如果用于与封装 接口的同轴线和封装的特性阻抗尽可能的接近，测试精确度将会提高。同轴线和待测试封装的 端口应焊接在一起，同时应将同轴线和封装之间阻抗不受控部分的长度最小化。对表面安装封 装类型最好使用带状线。 测试配置要求：一个好的高频地平面也很重要。封装地平面（若有）和测试装置地平面的相连 应通过与封装实际使用时类似的引出端配置来完成。测试引出端的选择会因封装的复杂度而发 生变化。对于具有高对称性引出端配置的封装，只需要对部分引出端进行测试，但是被测引出 端必须包含与地相邻和不相邻的引出端。具有复杂连线和互连介质的封装，除另有规定外，应 该进行100%测试。 3 bl ack SJ/T11704—2018 5.2直流串联电阻 5.2.1目的 测试芯片到封装的互连介质电阻(RM)和封装引线直流电阻(RL)。 5.2.2测试框图和测试程序 使用图2的测试装置，分别测试芯片到封装的互连介质电阻(RM)和封装引线直流电阻(RL)。 二线探针夹到显微探针的针 类上 显微探针 探针 毫欧表 图2基于毫欧表测试直流电阻的测试配置 有关订购文件应规定的内 6 S 适用时， 有关的订购文件应规定以下内容： Zmax Zo(min); a) b) tpdl(max) c) Ci(max) C(m d) L(max) L(min); e) f) 被测封装引出端； 封装的地线布图。 g) bl ack SJ/T 11704—2018 中华人民共和国 电子行 业标准 微电子封装的数字信号传输特性测试方法 SJ/T11704—2018 * 中国电子技术标准化研究院 编制 中国电子技术标准化研究院 发行 电话：（ (010）64102612 传真：（010）64102617 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址：www.cesi.cn * 1/16 印张:3 开本：880×1230 字数：18千字 1 2018年4月第一版 2018年4月第一次印刷 印数：200册 定价：30.00元 版权专有 不得翻印 举报电话：（010）64102613 bl ack