ICS31.200 CCSL56 T/GDCIE010—2025 车身域控制器信号采集试验方法 Testmethodsforsignalacquisitionofbodydomaincontroller 广东省电子学会发布团 体 标 准 2025-08-12发布 2025-08-19实施 全国团体标准信息平台 T/GDCIE010—2025 I目录 前  言...................................................................................I 1范围....................................................................................1 2规范性引用文件..........................................................................1 3术语和定义..............................................................................1 4缩略语..................................................................................3 5技术要求................................................................................3 6试验方法................................................................................8 7包装、标识、贮存、运输要求.............................................................14 附录A（资料性）性能及功能点检表.........................................................16 附录B（规范性）试验流程、方法和制程变更的鉴定要求.......................................17 全国团体标准信息平台 T/GDCIE010—2025 I前  言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起 草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由广东电子学会提出并归口。 本文件起草单位：比亚迪汽车工业有限公司、圣邦微电子（北京）股份有限公司、拓尔微电子股份有 限公司、上海类比半导体技术有限公司、苏州旗芯微半导体有限公司、江苏帝奥微电子股份有限公司、比 亚迪半导体股份有限公司、中山大学、杭州瑞盟科技股份有限公司、湖南芯力特电子科技有限公司、广东 省电子学会。 本文件主要起草人：吴世杰、刘九才、陈文锋、历广绪、王春龙、管锐、蒋幸福、郭建平、王远志、 张文杰、李振、戴凯琳、邝璟成。 本文件首批承诺执行单位：比亚迪汽车工业有限公司、圣邦微电子（北京）股份有限公司、拓尔微电 子股份有限公司、上海类比半导体技术有限公司、苏州旗芯微半导体有限公司、江苏帝奥微电子股份有限 公司、比亚迪半导体股份有限公司、中山大学、杭州瑞盟科技股份有限公司、湖南芯力特电子科技有限公 司。 全国团体标准信息平台 T/GDCIE010—20250 1车身域控制器信号采集试验方法 1范围 本文件规定了乘用及商用车的车身域控制器信号采集芯片技术要求、试验方法。 本文件适用于乘用及商用车的车身域控制器信号采集芯片的研发、选型和测评，车身域控制器开关检 测接口芯片可参照使用。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文 件。 GB/T191-2008包装储运图示标志 GB/T5465.2-2023电气设备用图形符号第2部分：图形符号 GB/T30512-2014汽车禁用物质要求 JEDEC组织文件JESD22-A104F-2020温度循环测试 GB/T4586-1994半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB/T29332-2012半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT） GB/T4937.3-2013半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检 GB/T28046.4-2012道路车辆电气及电子设备的环境条件和试验第4部分：气候负荷 GB/T2408-2021塑料燃烧性能的测定水平法和垂直法 IEC60747-15:2024半导体器件-分立器件-第15部分分立功率半导体器件（Semiconductor devices-Discretedevices-Part15:Isolatedpowersemiconductordevices） JESD22-A108G温度、偏压和操作寿命（Temperature,Bias,andOperatingLife） JESD22-A119A低温存储寿命（LowTemperatureStorageLife） GB/T34590.1-2022道路车辆功能安全第1部分：术语 GB/T34590.2-2022道路车辆功能安全第2部分：功能安全管理 GB/T34590.11-2022道路车辆功能安全第11部分：半导体应用指南 AEC-Q100Rev-J:FailureMechanismBasedStressTestQualificationforIntegratedCircuits (basedocument) ISO16750-2:2023道路车辆电子电气产品的环境条件和试验第4.6.4Loaddump（抛负载） 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 全国团体标准信息平台 T/GDCIE010—20250 23.1 工作电压范围operatingvoltagerange 芯片正常工作的电压范围，超出该电压范围会引发芯片失效。 3.2 工作温度范围operatingtemperaturerange 芯片正常工作的环境温度范围。 3.3 静态电流quiescentcurrent 芯片处于未激活状态（如休眠模式）且无负载时，从电源输入端口测得的电流。 3.4 润湿电流wettingcurrent 芯片提供的流过触点以突破触点处的表面膜电阻所需的电流。 3.5 清洁电流cleancurrent 芯片提供的用于清除触点表面氧化物的脉冲电流。 3.6 连续工作模式continuousmode 芯片以设置的时间间隔对设定的端口做检测，期间连续提供润湿电流。 3.7 轮询工作模式pollingmode 芯片以设置的时间间隔对设定的端口做检测，在设置的湿电流活跃时间内提供润湿电流。 3.8 欠压保护undervoltageprotection 当芯片电压低于其欠压阈值时，芯片将响应对应的保护机制。 3.9 轮询活跃时间pollingactivetime 轮询周期中，润湿电流活跃的时间。 全国团体标准信息平台 T/GDCIE010—20250 33.10 端口状态检测portstatusdetection 芯片通过ADC对端口开关状态或开关电压进行采样量化。 3.11 过温告警overtemperaturewarning（OTW） 当芯片的工作温度超过其过温告警阈值，芯片将根据配置响应对应的保护机制。 3.12 过温保护overtemperatureprotection(OTP) 当芯片的工作温度超过其过温保护阈值，芯片将根据配置响应对应的保护机制。 4缩略语 下列缩略语适用于本文件。 OTP：过温保护（OverTemperatureProtection） OVP：过压保护（OverVoltageProtection） UVLO：欠压锁定（UnderVoltageLockout） OTW:过温警告（overtemperaturewarning） CRC:循环冗余校验 SinkCurrent:灌电流 SourceCurrent:拉电流 POR:上电复位 SPI:串行外设接口(SerialPeripheralInterface) MSL:湿敏感等级 GND:接GND(Ground) VUVLO_rise:欠压阈值 VUVLO_fall:欠压恢复阈值 VOVP_rise:过压保护阈值 VOVP_fall:过压恢复阈值 5技术要求 5.1工作温度要求 根据搭载的信号采集芯片的安装位置需求选择不同的温度等级（见表1），除特殊情况外，宜支持不低 全国团体标准信息平台 T/GDCIE010—20250 4于等级1，同时要求选择的温度等级对应的最高温度不低于GB/T28046.4—2011的表A.1和表1对应 的温度要求。芯片工作环境温度等级或范围应在产品规格书中准确说明。 表1芯片工作温度等级 等级 芯片工作环境温度 0 -40℃～﹢150℃ 1 -40℃～﹢125℃ 2 -40℃～﹢105℃ 3 -40℃～﹢85℃ 5.2功能要求 5.2.1润湿电流功能 芯片应支持SinkCurrent或SourceCurrent模式的润湿电流输出能力，电流值需满足触点最小导 通需求（典型值≥5mA）。 5.2.2清洁电流功能 芯片应提供可配置的脉冲