T-CASAS 060-2025 用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片

ICS 29.045 CCS H 83 团体标准用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片 GaN on Si epitaxial wafers for HEMT power devices 2025 - 08 - 29发布 2025 - 08 - 29实施 T/CASAS 060—2025 第三代半导体产业技术创新战略联盟发布全国团体标准信息平台 T/CASAS 060 —2025 I 目次前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ ..... V 引言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... VI 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ ...................... 1 4 分类 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 5 技术要求 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 1 标称边缘去除 ................................ ................................ ................................ ................................ ........... 1 衬底材料 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 2 外延层晶体质量 ................................ ................................ ................................ ................................ ....... 2 外延层片内厚度不均匀性 ................................ ................................ ................................ ....................... 2 几何参数 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 2 电学特性 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 3 正表面质量 ................................ ................................ ................................ ................................ ............... 3 表面颗粒度 ................................ ................................ ................................ ................................ ............... 4 表面粗糙度 ................................ ................................ ................................ ................................ ............... 4 6 试验方法 ................................ ................................ ................................ ................................ .......................... 4 试验条件 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 4 衬底检测 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 4 外延层晶体质量检测 ................................ ................................ ................................ ............................... 4 外延层片内厚度不均匀性检测 ................................ ................................ ................................ ............... 5 几何参数检测 ................................ ................................ ................................ ................................ ........... 6 缓冲层漏电流检测 ................................ ................................ ................................ ................................ ... 6 二维电子气浓度检测 ................................ ......