ICS31.080.99 CCSL40/49 ZOIA 中关村光电产业协会团体标准 T/ZOIA3020—2025 半导体磁阻元件技术规范 TechnicalspecificationofSemiconductorMagnetoResistive(SMR)Element 1 2025-06-16发布 2025-06-16实施 中关村光电产业协会  发布 全国团体标准信息平台 T/ZOIA3020—2025 I目  次 前  言..............................................................................1 1范围..............................................................................2 2规范性引用文件....................................................................2 3术语和定义........................................................................2 4技术要求..........................................................................4 4.1外观及尺寸..................................................................4 4.2材料与结构..................................................................4 4.3封装及材料..................................................................5 4.4电磁特性....................................................................6 4.5可靠性......................................................................6 5试验方法..........................................................................8 5.1外观及尺寸..................................................................8 5.2晶圆........................................................................8 5.3封装及材料..................................................................8 5.4电磁特性测试................................................................8 5.5可靠性测试..................................................................9 6检验规则.........................................................................11 7标志、包装、运输和贮存...........................................................12 7.1标志.......................................................................12 7.2包装.......................................................................12 7.3运输.......................................................................12 7.4贮存.......................................................................12 附录A（规范性附录）.............................................................13 全国团体标准信息平台 T/ZOIA3020—2025 1前  言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起 草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中国传感器与物联网产业联盟能源专委会提出。 本文件由中关村光电产业协会归口。 本文件起草单位：苏州矩阵光电有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、昂赛微电子（上海）有 限公司、西安中科阿尔法电子科技有限公司 本文件主要起草人：肖广顺、何渊、朱忻 全国团体标准信息平台 T/ZOIA3020—2025 2半导体磁阻元件技术规范 1范围 本标准规定了半导体磁阻元件技术规范（以下简称“SMR”）术语和定义、技术要求、试验方法、 检验规则、标志包装运输和贮存。 本标准适用于半导体磁阻元件的验收、检测及性能实验。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温 GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2423.22环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化 IEC61760-2SurfaceMountingTechnology-Part2:TransportationandStorageConditionsofSurface MountingDevices(SMD)-ApplicationGuide J-STD-020JOINTIPC/JEDECStandardMoisture/ReflowSensitivityClassificationforNon-hermetic SurfaceMountDevices(SMDs) JESD22-A101Steady-StateTemperature-HumidityBiasLifeTest JESD22-A102DAcceleratedMoistureResistance–UnbiasedAutoclave JESD22-A103HighTemperatureStorageLife JESD22-A104TemperatureCycling JESD22-A108Temperature,Bias,AndOperatingLife JESD22-A110HighlyAcceleratedTemperatureandHumidityStressTest(HAST) JESD22-A113PreconditioningOfNonhermeticSurfaceMountDevicesPriorToReliabilityTesting JESD22-A118AcceleratedMoistureResistance-UnbiasedHast JESD22-B102ESolderability JESD47StressTestDrivenQualificationOfIntegratedCircuits JS-001HumanBodyModel(HBM) JS-002ChargedDeviceModel(CDM) 3术语和定义 GB/T4475中确立的以及下列术语和定义适用于本标准。 3.1 全国团体标准信息平台 T/ZOIA3020—2025 3半导体磁阻SMR 当半导体材料处于外加磁场中时，载流子（电子或空穴）受洛伦兹力作用发生运动偏转，导致电流 路径变化或散射概率增加，从而引起电阻值的改变，这一现象称为半导体磁阻效应。磁阻效应的强弱与 半导体材料本身性质有关（物理磁阻效应），也与材料的几何形状相关（几何磁阻效应），使用半导体 材料制备的用于检测磁场的元件被称为半导体磁阻元件（SemiconductorMagnetoResistance，SMR）。 3.2 基底材料 用于承载半导体材料的基底。 3.3 功能层材料 用于产生磁阻效应作用的半导体。 3.4 金属栅格 用于分割半导体材料的金属层，通常使用多条金属层来构建金属栅格。常用于提升SMR初始电阻， 也用于构建不同长宽比来放大几何磁阻效应。 3.5 长宽比L/W 被金属栅格分割后，半导体材料单独区域的长宽比，如图1所示，即L/W。 图1.SMR结构示意图 3.6 初始电阻R(0) 在零磁感应强度下，SMR的固有电阻值R(0)，国际通用单位为欧姆（符号为Ω）。初始电阻的大 小直接影响到SMR在电路中的电流和电压特性。 3.7 磁感应电阻R(B) 在一定磁感应强度下，SMR的电阻值R(B)。 全国团体标准信息平台 T/ZOIA30