ICS43.040.10 CCST36 QC 中华人民共和国汽车行业标准 QC/TXXXXX—XXXX 汽车安全芯片技术要求及试验方法 Technicalrequirementsandtestmethodsforvehiclesecuritychip （报批稿） （本草案完成时间：2024年12月30日） XXXX-XX-XX发布 XXXX-XX-XX实施 中华人民共和国工业和信息化部  发布XX/TXXXXX—XXXX I目次 前言..................................................................................II 1范围................................................................................1 2规范性引用文件......................................................................1 3术语和定义..........................................................................1 4缩略语..............................................................................2 5技术要求............................................................................2 6试验方法...........................................................................10 附录A（资料性）汽车安全芯片应用场景及关键参数.......................................16 附录B（资料性）汽车安全芯片功能安全相关文档及评估方法...............................17 附录C（规范性）环境及可靠性试验方法.................................................21 附录D（资料性）研发及生产保障.......................................................39 参考文献..............................................................................40QC/TXXXXX—XXXX II前言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国汽车标准化技术委员会（SAC/TC114）提出并归口。 本文件起草单位：中国汽车技术研究中心有限公司、北京中电华大电子设计有限责任公司、中国第 一汽车股份有限公司、重庆长安汽车股份有限公司、华为技术有限公司、比亚迪汽车工业有限公司、武 汉二进制半导体技术有限公司、东风商用车有限公司、吉利汽车研究院（宁波）有限公司、北京国家新 能源汽车技术创新中心有限公司、天津国芯科技有限公司、紫光同芯微电子有限公司、华润微电子有限 公司、北京汽车研究总院有限公司、上海芯钛信息科技有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司、 厦门金龙联合汽车工业有限公司、小米汽车科技有限公司、郑州信大捷安信息技术股份有限公司、长城 汽车股份有限公司、中汽院（江苏）汽车工程研究院有限公司、大众汽车(中国)投资有限公司、恩智浦 （中国）管理有限公司、上海季丰电子股份有限公司、苏试宜特(上海)检测技术股份有限公司。 本文件主要起草人：夏显召、吴含冰、孙航、李雨冉、崔文文、李予佳、王睿、王程、谢先立、潘 凯、张立雄、田垚磊、陈帅、翟瑞卿、高铭霞、闫明凯、高岩、温家宝、张文江、乔瑛、包斯刚、赵熠、 李澜涛、单伟君、王兰、黄常军、何时雨、刘为华、郭阳、刘冲、孙琬、张俊江、倪卫华、曹俊。 本文件所代替标准的历次版本发布情况为：首次发布。QC/TXXXXX—XXXX 1汽车安全芯片技术要求及试验方法 1范围 本文件规定了汽车安全芯片的功能要求、电特性要求、性能要求、电磁兼容要求、功能安全要求、 信息安全要求、环境及可靠性要求、研发及生产保障要求，描述了相应的试验方法。 本文件适用于汽车安全芯片的设计开发、测试、评估和应用。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T4937.4—2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） GB/T4937.14—2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度（引线牢固性） GB/T4937.26半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试人体模 型（HBM） GB/T32915—2016信息安全技术二元序列随机性检测方法 GB/T35003—2018非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 GB/T36479—2018集成电路焊柱阵列试验方法 GB/TXXXXX—XXXX车辆集成电路电磁兼容试验通用规范 GM/T0008—2012安全芯片密码检测准则 IEC60749-3半导体器件机械和气候试验方法第3部分外观检查（Semiconductordevices- Mechanicalandclimatictestmethods-Part3:Externalvisualexamination） IEC62373-1半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第 1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验（Semiconductordevices-Bias-temperaturestability testformetal-oxide,semiconductor,field-effecttransistors(MOSFET)-Part1:FastBTItest forMOSFET） IEC62374半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验（Semiconductordevices-Time dependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms） IEC62374-1半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验（Semiconductordevices -Part1:Time-dependentdielectricbreakdown(TDDB)testforinter-metallayers） IEC62415半导体器件恒流电迁移试验（Semiconductordevices-Constantcurrent electromigrationtest） IEC62416半导体器件金属氧化物半导体（MOS）晶体管的热载流子试验（Semiconductordevices -HotcarriertestonMOStransistors） IEC62880-1半导体器件应力迁移试验第1部分：铜应力迁移试验（Semiconductordevices- Stressmigrationteststandard-Part1:Copperstressmigrationteststandard） 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 汽车安全芯片vehiclesecuritychip 具备密码算法、密钥管理和敏感数据管理等安全功能，以独立形式存在，仅为汽车提供信息安全服 务的集成电路芯片。QC/TXXXXX—XXXX 23.2 标识identification 汽车安全芯片内部所固化的一组数据，用以识别不同的汽车安全芯片。 [来源：GM/T0008—2012,3.1.12，有修改] 3.3 敏感数据sensitivedata 泄露、修改、破坏或丢失后会产生损害的数据。 3.4 访问控制accesscontrol 一种确保被访问资源只能由经授权实体以授权方式进行访问的手段。 [来源：GB/T25069—2022，3.147，有修改] 3.5 签名signature 附加在数据单元上的一些数据,或是对数据单元做密码变换,这种附加数据或密码变换被数据单元 的接收者用以确认数据单元的来源和完整性,达到保护数据,防止被人(例如接收者)伪造的目的。 [来源：GB/T15843—2017，3.11] 3.6 最大工作电压maximumoperatingvoltage 符合器件规范或数据手册中规定的器件工作时的最大电源电压。 3.7 绝对最大额定电压absolutemaximumratedvoltage 器件上可施加的最大电压，超出该值可能发生（潜在的或其他形式）损坏。 注：对于特定器件和/或工艺，绝对最大额定电压一般由器件制造商规定。 3.8 绝对最高额定结温absolutemaximumratedjunctiontemperature 器件工作时所允许的最高结温，超出该值可能发生（潜在或其他形式）损坏。 注1：对于特定器件和/或工艺，绝对最