论文标题
缩放的原子层含量氧化物氧化型纳米晶体管，最大排水电流超过2 A/mm，在排水电压为0.7 V时
Scaled Atomic-Layer-Deposited Indium Oxide Nanometer Transistors with Maximum Drain Current Exceeding 2 A/mm at Drain Voltage of 0.7 V
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论文摘要
在这项工作中，我们通过原子层沉积（ALD）（ALD）的通道厚度（TCH）为1.0-1.5 nm，通道长度（LCH）向40 nm，到40 nm，以及在2.1 Nm中的2.1 NM中的2.1 nm中的2.0 a/MM中，沿通道厚度（LCH），频道长度（LCH），频道长度（LCH），通道长度（LCH），频道长度（LCH）长度为1.0-1.5 nm，频道长度（LCH）在2.0 nm中，频道厚度（LCH）长度为2.0 nm，均为2.0 a/MM，半导体。通过控制原子层尺度下的通道厚度降低至1.0 nm，在VDS为1 V时具有ID超过1.0 A/mm的IN2O3晶体管的增强模式也可以实现。通过在HFO2/IN2O3氧化物/氧化物界面形成高密度的2D通道，高密度2D通道的形成超过4E13/cm2，可以理解相对较低的迁移率无定形氧化物半导体中这种高电流密度。
In this work, we demonstrate scaled back-end-of-line (BEOL) compatible indium oxide (In2O3) transistors by atomic layer deposition (ALD) with channel thickness (Tch) of 1.0-1.5 nm, channel length (Lch) down to 40 nm, and equivalent oxide thickness (EOT) of 2.1 nm, with record high drain current of 2.0 A/mm at VDS of 0.7 V among all oxide semiconductors. Enhancement-mode In2O3 transistors with ID over 1.0 A/mm at VDS of 1 V are also achieved by controlling the channel thickness down to 1.0 nm at atomic layer scale. Such high current density in a relatively low mobility amorphous oxide semiconductor is understood by the formation of high density 2D channel beyond 4E13 /cm2 at HfO2/In2O3 oxide/oxide interface.
