论文标题
用于子MEV暗物质检测的掺杂的半导体设备
Doped Semiconductor Devices for sub-MeV Dark Matter Detection
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论文摘要
储层计算是预测湍流的有力工具，其简单的架构具有处理大型系统的计算效率。然而，其实现通常需要完整的状态向量测量和系统非线性知识。我们使用非线性投影函数将系统测量扩展到高维空间，然后将其输入到储层中以获得预测。我们展示了这种储层计算网络在时空混沌系统上的应用，该系统模拟了湍流的若干特征。我们表明，使用径向基函数作为非线性投影器，即使只有部分观测并且不知道控制方程，也能稳健地捕捉复杂的系统非线性。最后，我们表明，当测量稀疏、不完整且带有噪声，甚至控制方程变得不准确时，我们的网络仍然可以产生相当准确的预测，从而为实际湍流系统的无模型预测铺平了道路。
Dopant atoms in semiconductors can be ionized with $\sim10$ meV energy depositions, allowing for the design of low-threshold detectors. We propose using doped semiconductor targets to search for sub-MeV dark matter scattering or sub-eV dark matter absorption on electrons. Currently unconstrained cross sections could be tested with a 1 g-day exposure in a doped detector with backgrounds at the level of existing pure semiconductor detectors, but improvements would be needed to probe the freeze-in target. We discuss the corresponding technological requirements and lay out a possible detector design.
