ICS 29.045 CCS H 80/84 团体 标准 T/CASAS 025—2023 8英寸碳化 硅衬底片基准标记及尺寸 8-inch silicon carbide wafer reference marking and dimensions 版本： V01.00 2023-06-19发布 2023-06-19实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 全国团体标准信息平台 T/CASAS 025—2023 I 目 次 前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... III 引言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .... IV 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ .............. 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ ...................... 1 4 8英寸碳化硅基准标记说明 ................................ ................................ ................................ ............................ 1 5 规定 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ .. 1 切口相关参数 ................................ ................................ ................................ ................................ ........... 1 碳化硅标记 ................................ ................................ ................................ ................................ ............... 3 参考文献 ................................ ................................ ................................ ................................ .............................. 4 全国团体标准信息平台 T/CASAS 025—2023 III 前 言 本文件按照 GB/T 1.1 —2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别 专利的责任。 本文件由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（ CASAS） 制定发布，版权归 CASAS 所有，未经 CASAS许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASAS允许；任何 单位或个人引用本文件的内容需指明本文件的标准号。 本文件主要起草单位： 山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、 瀚天天成电子科技 (厦门)有 限公司、广东天域半导体股份有限公司 、 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、 泰科天润半导体科技 （北 京）有限公司 、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟 。 本文件主要起草人： 崔潆心、杨祥龙、陈秀芳、徐现刚、来玲玲、于国建、 冯淦、丁雄杰、 潘国卫、 秋琪、徐瑞鹏 。 全国团体标准信息平台 T/CASAS 025—2023 IV 引 言 碳化硅（这里指 4H-SiC）材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高的热 导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器 件。近年，随着单晶和外延薄膜生长技术的不断发展， SiC单极型器件 譬如肖特基二极管（ SBD）及金属 氧化物场效应晶体管（ MOSFET）已经商业化，在不同应用领域的需求急剧增加。 6英寸碳化硅 衬底片的 基准标记分为有直线定位和切口（ notch）定位两种， 本文件的制定将填补 目前我国 8英寸碳化硅 衬底 片基准标记及尺寸 的空白。 全国团体标准信息平台 T/CASAS 025—2023 1 8英寸碳化硅衬底片基准标记 及尺寸 1 范围 本文件规定了 8英寸碳化 硅衬底片基准标记及尺寸。 本文件适用于碳化硅切割片、研磨片和抛光片。 注： 碳化硅衬底片主要用于制作电力电子 器件的外延衬底。 2 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。 3 术语和定义 本文件没有需要界定的术语和定义 。 4 8英寸碳化硅 衬底片基准标记说明 8英寸碳化硅 衬底片的直径、厚度参数如表 1所示，直径为 200 mm±0.5 mm，厚度为 500 μm±25 μm。 表1 8英寸碳化硅 衬底片参数 参数 数值 直径 /mm 200 直径允许偏差 /mm ± 0.5 厚度/μm 500 厚度允许偏差 /μm ±25 5 规定 切口相关参数 8英寸碳化硅 衬底片的切口定位参数如表 2所示，切口深度为 1.00+0.25 0mm，切口角度为 90+5 -1°，切口 取向为 [1 100]± 5°。 表2 切口相关参数 参数 数值 深度/mm 1.00+0.25 0 角度/(°) 90+5 -1 全国团体标准信息平台 T/CASAS 025—2023 2 参数 数值 取向 [1 100]± 5° 图1为8英寸碳化硅 衬底片的切口位置和切口取向，图 2为切口形状，图 3为切口相关尺寸，其中标红 是切口的轮廓，介绍了切口的详细信息。 图1 8英寸碳化硅衬底片的切口及取向 ，硅面朝上 图2 切口形状 图3 切口相关尺寸（标红为切口） 全国团体标准信息平台 T/CASAS 025—2023 3 图4 切口实物图 图5 切口放大图 碳化硅标记 对硅面抛光 的碳化硅衬底片，衬底片碳面用与 OCR兼容的字体进行激光标记，类似于 SEMI M12 中 的定义和特征。 图6为激光标记位置，观察面为 碳面，缺口向下 ，激光标记 向右偏移。 图6 激光标记位置 ，碳面朝上 全国团体标准信息平台 T/CASAS 025—2023 4 参考文 献 [1] GB/T 12965 —2018 硅单晶切割片和研磨片 [2] GB/T 26067 —2010 硅片切口尺寸测试方法 [3] GB/T 30656 —2014 碳化硅单晶抛光片 全国团体标准信息平台