(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 20221071467 7.6 (22)申请日 2022.06.22 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址 201203 上海市浦东 新区康桥 东路298 号1幢1060室 (72)发明人 李思汗　 (74)专利代理 机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 3121 1 专利代理师 戴广志 (51)Int.Cl. B08B 3/08(2006.01) B08B 3/02(2006.01) H01L 21/02(2006.01) (54)发明名称 一种改善后段刻蚀后聚合物 残留的方法 (57)摘要 本发明提供一种改善后段刻蚀后聚合物残 留的方法， 晶圆的上表面已完成后段工艺； 后段 工艺包括形成通孔的刻蚀及形成铜互连结构； 对 晶圆的上下表 面进行预清洗， 以去除晶圆上下表 面的静电； 利用uDH F溶液对晶圆的上表面进行第 一主清洗， 利用uDH F溶液对晶圆的上表面进行第 二主清洗， 以去除晶圆上表面后段刻蚀后残留的 聚合物； 利用去离子水对晶圆的上表 面进行第三 主清洗， 时间为120s， 清洗方式从晶圆的中央喷 洒； 利用去离子水对晶圆上表面进行第三主清 洗， 时间为60s， 清洗方式从晶圆的中央喷洒。 本 发明通过改进湿法刻蚀工艺来改善聚合物残留 导致的缺陷， DICO2预清洗可使电荷释放从而加 强后续UDHF的主清洗能力， 并且主清洗增强了清 洗能力， 使得聚合物更容 易去除。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 115055439 A 2022.09.16 CN 115055439 A 1.一种改善后段刻蚀后聚合物 残留的方法， 其特 征在于， 至少包括： 步骤一、 提供晶圆， 所述晶圆包含上表面和下表面， 所述晶圆的上表面已完成后段工 艺； 所述后段工艺包括形成通 孔的刻蚀以及形成铜互连 结构； 步骤二、 对所述晶圆的上表面和下表面进行预清洗， 以去 除所述晶圆上表面和下表面 的静电； 步骤三、 利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第一主清洗， 以去除所述晶圆上表面 后段刻蚀后残留的聚合物； 步骤四、 利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第二主清洗， 以去除所述晶圆上表面 后段刻蚀后残留的聚合物； 步骤五、 利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗， 清洗时间为120s， 清洗方 式从晶圆的中央喷洒； 步骤六、 利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗， 清洗时间为60s， 清洗方 式从晶圆的中央喷洒。 2.根据权利要求1所述的改善后段刻 蚀后聚合物残留的方法， 其特征在于： 步骤二中的 所述预清洗的清洗液为DICO2， 所述DICO2为混合有二氧化 碳的去离 子水。 3.根据权利要求2所述的改善后段刻 蚀后聚合物残留的方法， 其特征在于： 步骤二中的 所述预清洗的过程中， 所述清洗液从所述晶圆的边 缘喷洒。 4.根据权利要求3所述的改善后段刻 蚀后聚合物残留的方法， 其特征在于： 步骤二中的 所述预清洗的时间为5s。 5.根据权利要求1所述的改善后段刻 蚀后聚合物残留的方法， 其特征在于： 步骤三中的 所述uDHF 溶液为DHF和H2SO4的混合液。 6.根据权利要求5所述的改善后段刻 蚀后聚合物残留的方法， 其特征在于： 步骤三中的 所述第一主清洗的清洗过程中， 所述uDHF 溶液从所述晶圆上表面的边 缘喷洒。 7.根据权利要求6所述的改善后段刻 蚀后聚合物残留的方法， 其特征在于： 步骤三中的 所述第一主清洗的清洗时间为80s。 8.根据权利要求1所述的改善后段刻 蚀后聚合物残留的方法， 其特征在于： 步骤四中的 所述uDHF 溶液为DHF和H2SO4的混合液。 9.根据权利要求8所述的改善后段刻 蚀后聚合物残留的方法， 其特征在于： 步骤四中的 所述第二主清洗的清洗过程中， 所述uDHF 溶液从所述晶圆上表面的中央进行喷洒。 10.根据权利要求9所述的改善后段刻蚀后聚合物残留的方法， 其特征在于： 步骤四中 的所述第二主清洗的清洗时间为16 0s。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115055439 A 2一种改善后段刻蚀后聚合物残留 的方法 技术领域 [0001]本发明涉及半导体技术领域， 特别是涉及一种改善后段刻蚀后聚合物残留的方 法。 背景技术 [0002]在晶圆制造过程中， 在后段金属填充后的站点常出现晶圆中心分布有聚合物残留 导致的缺陷,这种缺陷是 由于第一金属层形成后的湿法清洗导致的。 若聚合物残留存在于 沟槽处可能会造成铜线缺失。 [0003]因此， 需要提出一种新的方法来 解决上述问题。 发明内容 [0004]鉴于以上所述现有技术的缺点， 本发明的目的在于提供一种改善后段刻蚀后聚合 物残留的方法， 用于解决现有技 术中由于的问题。 [0005]为实现上述目的及 其他相关目的， 本发明提供一种改善后段刻蚀后聚合物残留 的 方法， 至少包括： [0006]步骤一、 提供晶圆， 所述晶圆包含上表面和下表面， 所述晶圆的上表面已完成后段 刻蚀； [0007]步骤二、 对所述晶圆的上表面和下表面进行预清洗， 以去除所述晶圆上表面和下 表面的静电； [0008]步骤三、 利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第一主清洗， 以去除所述晶圆上 表面后段刻蚀后残留的聚合物； [0009]步骤四、 利用uDHF溶液对所述晶圆的上表面进行第二主清洗， 以去除所述晶圆上 表面后段刻蚀后残留的聚合物； [0010]步骤五、 利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗， 清洗时间为120s， 清 洗方式从晶圆的中央喷洒； [0011]步骤六、 利用去离子水对所述晶圆的上表面进行第三主清洗， 清洗时间为60s， 清 洗方式从晶圆的中央喷洒。 [0012]优选地， 步骤二中的所述预清洗的清洗液为DICO2， 所述DICO2为混合有二氧化碳 的去离子水。 [0013]优选地， 步骤二中的所述预清洗的过程中， 所述清洗液从所述晶圆的边 缘喷洒。 [0014]优选地， 步骤二中的所述预清洗的时间为5s。 [0015]优选地， 步骤三中的所述uDHF 溶液为DHF和H2SO4的混合液。 [0016]优选地， 步骤三中的所述第一主清洗的清洗过程中， 所述uDHF溶液从所述晶圆上 表面的边 缘喷洒。 [0017]优选地， 步骤三中的所述第一主清洗的清洗时间为80s。 [0018]优选地， 步骤四中的所述uDHF 溶液为DHF和H2SO4的混合液。说　明　书 1/3 页 3 CN 115055439 A 3