(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210708709.1 (22)申请日 2022.06.22 (71)申请人 合肥微睿光电科技有限公司 地址 230000 安徽省合肥市新站区九顶山 路1766号 (72)发明人 刘超　刘晓刚　万俊　李小岗　 (74)专利代理 机构 安徽知问律师事务所 34134 专利代理师 侯晔 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B24C 1/08(2006.01) B24C 3/04(2006.01) B24C 5/02(2006.01) C23C 16/44(2006.01) (54)发明名称 一种气体扩散 器清洗工艺及清洗 辅助设备 (57)摘要 本发明公开了一种气体扩散器清洗工艺及 清洗辅助设备， 涉及化学气相沉积装置清洗技术 领域。 本发 明的一种气体扩散器清洗工艺及清洗 辅助设备， 包括一次剥离 →二次剥离 →研磨→喷 砂→化学抛光 →OVEN烘干→出库检查 →包装； 未 剥离干净的气体扩散器进行二次剥离， 所述二次 剥离包括湿式喷砂 →高压水洗， 通过采用湿式喷 砂去除局部残留， 减少药液浸泡， 避免孔径扩张， 以保证气体扩散器孔径扩张量<0.03mm； 另外， 采 用湿式喷砂局部作业时表面粗糙度不会明显变 大， 可满足气体扩散器表面具有一定粗糙度的要 求， 并保证 研磨的均匀性。 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 CN 115156146 A 2022.10.11 CN 115156146 A 1.一种气体扩散器清洗工艺， 其特征在于： 包括一次剥离 →二次剥离 →研磨→喷砂→ 化学抛光 →烘干→出库检查 →包装， 所述一次剥离在30～40℃下， 使用浓度为160g/l～ 200g/l的硝酸浸泡5～10H； 一次剥离后进行产品表面污染物的确认， 当气体扩散器表面有 沉积物残留或异色时进行二次剥离 。 2.根据权利要求1所述的一种气体扩散器清洗工艺， 其特征在于： 所述二 次剥离包括湿 式喷砂→高压水洗 。 3.根据权利要求1所述的一种气体扩散器清洗工艺， 其特征在于： 还包括返工清洗， 在 出库检查时发现产品外观表面异色， 或者Particle不良时进行返工清洗； 所述返工清洗包 括化学抛光 →自动高压清洗， 清洗水压力为100bar， 对气体扩散器正反面清洗3次， 清洗时 长2H。 4.根据权利要求1至3任一所述的一种气体扩散器清洗工艺， 其特征在于： 所述化学抛 光包括脱脂 →水洗→碱蚀→水洗→酸洗→水洗， 所述脱脂采用浓度为20～30g/l的三聚磷 酸钠及氢氧化钠， 在50～60℃温度下进行， 所述碱 蚀采用浓度为20～30g/l氢氧化钠及碳酸 钠， 在30～50℃温度下进行， 所述酸洗采用浓度为160～200g/l的硝酸， 在30～40℃温度下 进行。 5.根据权利要求2所述的一种气体扩散器清洗工艺， 其特征在于： 所述湿式喷砂采用 120#～400#白刚玉， 砂水比为1： 1～ 2.5。 6.根据权利要求5所述的一种气体扩散器清洗工艺， 其特征在于： 所述湿式喷砂使用手 持式湿式喷砂机， 喷砂压力为3～7kg， 喷枪距离为20 0～400mm， 喷枪角度为3 0～90°。 7.根据权利要求2所述的一种气体扩散器清洗工艺， 其特征在于： 所述高压水洗采用去 离子水， 水压为2 ～6kg。 8.根据权利要求7所述的一种气体扩散器清洗工艺， 其特征在于： 所述高压水洗使用自 动高压清洗 机， 喷枪速度为20 0～400mm/s， 喷枪距离为10 0～300mm， 喷枪步距为2～8mm。 9.一种气体扩散器清洗辅助设备， 用于权利要求6所述的气体扩散器清洗工艺， 其特征 在于： 包括喷砂辅助装置， 所述喷砂辅助装置包括竖向对称安装的立柱(1)， 所述立柱(1)上 端横向安装有横梁(2)， 所述立柱(1)之间中部横向活动安装有升降横杆(3)， 所述升降横杆 (3)通过其两端设置的横杆固定器(31)安装在立柱(1)上； 所述升降横杆(3)中部活动安装 有喷枪固定卡 座(5)。 10.根据权利要求9所述的一种气体扩散器清洗辅助设备， 其特征在于： 所述喷枪固定 卡座(5)通过其下方设置的滑 块(4)安装在升降横杆(3)上表 面， 所述喷枪固定卡座(5)为上 下拼合形成的环状件， 其上 下拼合后中部形成喷枪 安装孔(51)用于 夹持喷枪。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115156146 A 2一种气体扩散器清洗工艺及清洗辅助设 备 技术领域 [0001]本发明涉及 化学气相沉积装置清洗技术领域， 更具体地说是一种气体扩散器清洗 工艺及清洗 辅助设备。 背景技术 [0002]在TFT‑LCD制造工艺中， 使用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备在玻璃基板 上生成绝缘膜、 半导体膜。 该设备借助微波或者射频等使含有薄膜组成原子的气 体电离， 在 反应腔室内形成等离子体， 而等离子体化学活性很强， 易 发生化学反应， 在玻璃基板上沉积 出所期望的薄膜。 沉积薄膜膜厚的均匀度及膜层质量有气体扩散器的孔径直接决定， 需要 有通气孔孔径大小一致的气 体扩散器。 实际生产中， 薄膜在反应腔室内也会沉积。 腔室四周 的薄膜如果不及时清除， 会随着生产进行而越来越厚， 而出现膜层脱落导致Particle不良 高发。 因此， 生产过程中会周期性地清除腔室四周的薄膜， 一般使用F ‑刻蚀， 在刻蚀过程中 不可避免地对腔室内配件(包括气体扩散器， 基座， 遮覆框架)产生污染。 因此， 这些配件需 要进行周期性维护、 清洗。 另外， 反应气体从腔室的中间进入腔室内， 因此气体扩散器中间 往往比四周受污染层度要严重 。 [0003]气体扩散器 的维修流程中， 剥离工艺一般采用统一时间(反复验证的90％的气体 扩散器表面脏污能完全去除的时间)的化学药品浸泡来 实现气体扩散器表面脏污去除的目 的， 但出于控制气体扩散器孔径的目的， 也要尽可能减少化学药品浸泡的时间。 目前， 出现 在统一时间的化学药品浸泡后 气体扩散器中间未剥离干净而四周完全剥离干净的情况时， 一般采用以下流程： 一次药液剥离 →剥离喷砂 →二次药液剥离 →研磨→喷砂→化学抛光 → OVEN烘干 →出库检查 →包装。 其中， 药液剥离指的是药品浸泡去除表 面污染物， 剥离喷砂指 的是通过物理的干式喷砂， 使表面污染物松动， 方便二次药液的剥离。 上述工艺流程比较复 杂， 且生产成本升高、 作业时间长， 并且进一步延长剥离时间， 有使气体扩散器部分孔径扩 张(孔径扩张量>0.0 3mm)从而降低气体扩散器使用性能的风险。 发明内容 [0004]1.发明要解决的技 术问题 [0005]针对现有技术中气体扩散器使用化学药品浸泡后未剥离干净而采用一次药液剥 离→剥离喷砂 →二次药液剥离 →研磨→喷砂→化学抛光 →OVEN烘干 →出库检查 →包装等 工序时， 易造成孔径扩张从而降低气体扩散器使用性能的问题， 本发明提出一种气体扩散 器清洗工艺， 对未剥离干净 的气体扩散器进行二次剥离， 从而在保证气体扩散器表面完全 剥离的前提下， 减少工艺 流程， 减少作业时间， 从而控制气体扩散器孔径扩张量< 0.03mm。 [0006]2.技术方案 [0007]为达到上述目的， 本发明提供的技 术方案为： [0008]一种气体扩散器清洗工艺， 包括一次剥离 →二次剥离 →研磨→喷砂→化学抛光 → OVEN烘干 →出库检查 →包装， 所述一次剥离在温度30～40℃ 温度下， 使用浓度为160g/l～说　明　书 1/7 页 3 CN 115156146 A 3