(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111650186.1 (22)申请日 2021.12.3 0 (71)申请人 江苏佰健环保科技有限公司 地址 224100 江苏省盐城市大丰区大丰 港 盐场纬三路南侧、 经二路东侧1幢厂房 2楼 (72)发明人 顾正红　卫钢　周帅　彭道远　 林典雄　 (74)专利代理 机构 盐城市苏知桥知识产权代理 事务所(普通 合伙) 32439 代理人 蔡姗 (51)Int.Cl. B08B 5/02(2006.01) B08B 7/00(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 一种去除石墨基材表面 碳化硅镀膜的方法 (57)摘要 本发明公开了一种去除石墨基材表面碳化 硅镀膜的方法包括如下步骤： 第一步： 在喷射清 洗设备内填充碳酸氢钠微晶体磨料； 第二步： 调 整喷射清洗设备喷口的喷射角度， 当涂层厚度为 正常厚度时， 喷口离需喷涂表面的角度为45度至 60度； 当涂层厚度较厚时， 喷口离需喷涂表面的 角度为70度至80度； 第三步： 喷射清洗设备内进 行压缩空气， 通过喷射清洗设备和碳酸氢钠微晶 体磨料， 精度： 清除使用的磨料兼具脆性和柔性， 不易损伤基材， 能完美修复物件， 可以避免手工 打磨对基材造成的损伤， 基材消耗不超过 0.01mm， 增加了物件的使用寿命； 基材石墨表面 无损伤可用显微照片展示； 高效性： 综合清洗成 本低、 效率高。 降低了使用成本、 时间成本、 管理 成本和人工成本 。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 114260253 A 2022.04.01 CN 114260253 A 1.一种去除石墨基材表面 碳化硅镀膜的方法， 其特 征在于： 包括如下步骤： 第一步： 在喷射清洗设备内填充碳 酸氢钠微晶体磨料； 第二步： 调整喷射清洗设备喷口的喷射角度， 当涂层厚度为正常厚度时， 喷口离 需喷涂 表面的角度为 45度至60度； 当涂层厚度较厚时， 喷口离需喷涂表面的角度为70度至80度； 第三步： 喷射清洗设备内进行压缩空气， 压缩空气为露点小于10℃的干燥压缩空气； 第四步： 喷射清洗设备逐步移动对需喷涂表面整体进行处理， 将磨料以一定的速度喷 射至待清洗材料表面， 通过高速碰撞瞬间产生的冲击、 摩 擦、 剥离、 爆破等侵 蚀力的作用， 使 碳化硅镀膜得以清除， 进 而实现基材表面的清洁； 第五步： 在第一次清除结束时， 用空气可吹净石墨表面的碳 化硅碎片及碳 酸氢钠残渣； 第六步： 若 石墨基材表面 碳化硅镀膜仍有残余， 则重复第四步和第五步。 2.根据权利要求1所述的一种 去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法， 其特征在于： 所述 的喷射清洗设备的压 差值为0.01MPa,喷射清洗设备的调定 压力为0.12 ‑0.2MPa。 3.根据权利要求2所述的一种 去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法， 其特征在于： 所述 的碳酸氢钠晶体 硬度为莫氏硬度2.0－3.0， 硬度较低且脆 性较大。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 114260253 A 2一种去除石墨 基材表面碳 化硅镀膜的方 法 技术领域 [0001]本发明涉及表面清理技术领域， 具体为一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方 法。 背景技术 [0002]碳化硅涂层能够通过如含浸法或化学气相沉积法(CVD)等沉积方法形成。 通过含 浸法形成的碳化硅层的耐久性通常较低； 化学气相沉积法(CVD)从长远的角度看来还有可 能会导致如装置的腐蚀以及空气的污染等危害现象。 碳化硅涂层虽然对石墨基材具有一定 的抗氧化作用， 但是由于涂层氧化后生成的SiO2高温环境下蒸汽压较大， 以至于在涂层抗 氧化过程中消耗过大， 不能用于长时间的抗氧化保护， 另外， 由于涂层表面不是连续致密 的， 存在缺陷空隙和微裂纹， 为氧气渗入涂层与基材的界面甚至是基材内部提供了孔道， 使 得抗氧化保护失效， 随着涂层中Si含量的增加， 涂层的脆性也随之增加此外， 而且， 因为基 材与碳化硅层的热膨胀系数不同， 因此在反复使用时可能会造成裂纹或针孔的发生并因此 导致其耐久性的下降。 因此， 为保证石墨材料的使用性能， 需要在使用一段时间后， 将石墨 基材表面的碳化硅镀膜去除后重新镀膜以达到基材的抗氧化保护， 以增加基材的使用 寿 命， 降低使用成本 。 [0003]目前现有的去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法包括人工打磨法和化学法。 专利 CN103204709A公开了 “一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法 ”， 该方法使用化学试剂去除硅 厚膜， 先用碱和酸的溶剂将表面的有机污染物去除， 然后使用混合酸溶液将 硅厚膜腐蚀、 去 除， 最后将碳 化硅基底 表面清洗 干净。 [0004]现有人工打磨法的质量和操作人员的手法密切相关， 施工效果参差不齐， 产品的 一致性难以保证， 不利于管理； 打磨划痕多， 打磨面光洁度差， 不细腻， 影响产品总体质量； 加工效率低， 人工成本高， 人工操作会 出现疲劳的问题； 现场作业做 业粉尘较多、 噪音 大， 作 业人员长期处于噪音 大、 粉尘多的工作环境中， 对 人体造成危害。 化学清除法则存在产生较 多的酸或碱废液、 工作环境恶劣以及化学清洗液在石墨介质中的渗透， 难以清洗干净等缺 点。 因此一种去除石墨基材表面 碳化硅镀膜的方法。 发明内容 [0005]本发明的目的在于提供一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜的方法， 以解决上述背 景技术中现有技 术提到的问题。 [0006]为实现上述目的， 本发明提供如下技术方案： 一种去除石墨基材表面碳化硅镀膜 的方法包括如下步骤： [0007]第一步： 在喷射清洗设备内填充碳 酸氢钠微晶体磨料； [0008]第二步： 调整喷射清洗设备喷口的喷射角度， 当涂层厚度为正常厚度时， 喷口离需 喷涂表面的角度为45度至60度； 当涂层厚度较厚时， 喷口离需喷涂表面的角度为70度至80 度；说　明　书 1/3 页 3 CN 114260253 A 3