ICS 31.080.30 L42 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T14802016 代替SJ/T1480-1979 半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detail specificationfortype3CG130highfrequencylowpowerPNP silicon transistor 2016-04-05发布 2016-09-01实施 发布 中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T1480—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替SJ/T1480—1979。与SJ/T1480—1979相比，主要技术内容变化如下： 本标准依据GB/T4589.1-2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》。 本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。 原标准3CG130型PNP硅外延平面二极管规范表中共基极输出电容测试条件5MHz，本标准表2 电特性5.15中共基极输出电容测试务件改VNIH7 （新版见5.7， 日片 测试条件由VcB=-10V改为 VcB=VcBO, 新版见5.7，旧版见3CG130型PNP硅外延 VcE=-10V 数KP（见N白版3CG130型PNP硅外延平 表）测试条件由 删掉了交流 VER 面三极管规范 点安利的责任。 请注意本文 作的买 内容蒙能 涉及专利。 本文件的发布机锈承担识别匙 本标准由 体器件糕准化技大家员会归口。 本标准起 济南市 平导体元件实验所 本标准主 侯秀萍、 下岩。 本标准于 979 道 次发布 次为第一 S IIN 1 SJ/T1480—2016 引言 本标准适用于3CG130型硅PNP高频小功率晶体管。本标准按照GB/T6217一1998《半导体器件分 立器件第7部分：双极型晶体管 第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》制定， 符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》IⅡI类和GB/T12560- 1999《半导体器件分立器件分规范》的要求。 II SJ/T1480—2016 半导体分立器件3 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 中华人民共和国工业和信息化部 评定器件质量的根据： GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分：分立器件 SJ/T1480-2016 和集成电路总规范》， GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范） 半导体分立器件3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范 外形尺寸 外形符合GB/T7581—1987 中A3-02B型的要求。 封装：金属封装 al 商频放大与振荡用。 质量评定类别 3 FO Ⅱ类 工程数据 Ptor=700m A=25℃) 300m B0=-20 80V 75V hrE:25~270 ZHN08 Cob≤10pF S 发射极2. 1. 集电机 RD 单位光米 尺寸数值 符号 最小 标称 最大 A 6. 10 6. 60 da 5. 08 db 1. 01 bb 0. 40 0. 51 OD 8. 64 9. 39 D 8. 01 一 8.50 0. 71 0. 79 ji 0. 87 K 0. 74 1. 14 7 12.5 25.0 L - 1. 27 SJ/T1480—2016 4 规范性引用文件 下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标准。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标准。 GB/T4587-1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937-1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T6217-1998半导体器件分立器件第7部分：双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境 额定的双极型晶体管空白详细规范 GB/T75811987半导体分立器件外形尺寸 GB/T12560-1999半导体器件分立器件分规范 极限值（绝对最大额定值） 极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。 表1 极限值 数 值 章号 数 符号 单位 最小值 最大值 环境温度 Tra 55 4.1 150 ℃ 4.2 贮存温度 55 175 ℃ 4. 3 最大集电极-基极直流电压 Voo V 3CG130A 20 3CG130B 35 3CG130C 0S -65 3CG130D 3CG130E 80 4. 4 最大集电极-发射极直流电压 Vao V 3CG130A 15 3CG130B 30 3CG130C -45 3CG130D 60 3CG130E 75 4.5 最大发射极-基极直流电压 Kiso -4 V 4. 6 最大直流集电极电流 Ia 300 mA 4.7 T=25C，不加散热片时的最大额定功率 Pros 700 mw 一 4. 8 最高结温 T 175 ℃ 2 SJ/T1480——2016 6电特性 电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。 表2电特性 特性和条件 数值 章号 除非另有规定，Tm=25℃ 符号 单位 试验分组 最小值 最大值 （见GB/T4589.1—2006的4.1) 5. 1 正向电流传输比 ht Va=-10 V, I=50 mA A2b、C2b 25 40 AND 40 55 80 蓝 120 紫 180 270 5.5 特征券 80 A4、C2a ff Ke= mA, f CHNOI 5.7 集 我止电流 极 A2b 集 极截止电流 A2b 5.8 高温 的餐 极一基极 C2b 发射 Tm=15 发射极 电流 5.9 lao μA 6.5 A2b 集电极一 基极-发射板饱和电压 Ve(st) 1. 0 A2b V I=10 mA, 集电极-发射极饱和电压 0. 6 A2b I=10 mA, I=100 mA 5. 15 共基极输出电容 pF 10 C2a Ve=-10 V, I=0, f=1 MHz 7标志 7.1 器件上的标志 器件上的标志包括以下几部分： 产品型号和分档标志，如3CG130A； he分档色标； 一质量评定类别标志I，如3CG130AII： 制造厂商标； 3 SJ/T1480—2016 一检验批的识别代号。 7.2包装盒上的标志 包装盒上的标志包括： 制造厂商标； 一制造厂联系方式。 订货资料 8 订货单上应有下列内容： 产品型号和分档标志； h分档色标； 一质量评定类别标志Ⅱ，如3CG130AⅡ； 一本标准编号； 一其他。 试验条件和检验要求 试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560一1999。 4