ICS 31.080.30 L42 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1833—2016 代替SJ1833-1981 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范 Semiconductordiscretedevices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK103 2016-04-05发布 2016-09-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T18332016 前言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本规范代替SJ/T1833一1981。与SJ/T1833一1981相比，本规范主要技术变化如下： 一本规范外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。 原标准开关参数t，（载流子贮存时间）和t（下降时间）在本规范中合并为tofr（关断时间）， 即toff=ts+tfo 机构不承担识别这些专利的责任。 本规范由全国半导体器件标准化技木秀员会归口 本规范起草单位： 本规范主要起草 人宋凤领、吕瑞芹。 一次修订。 本规范于198 本次为第 S RD SJ/T1833—2016 引言 本规范适用于3DK103型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体 管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规 II SJ/T1833—2016 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 中华人民共和国工业和信息化部 评定器件质量的根据： GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分： 分立器件和集成电路总规范》 SJ/T1833—2016 GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开 外形尺寸 RY 外形符合GB/T7581 198 导体分立器件外形尺 寸》中A3-01B型的规定 半导体材料： 封装：金厦 装 中a 应用：各 电路 预放大与振荡用。 质量评定类另 IⅡI类 考数据 Pao0.mw c-50mA VCB0=20V（3DK103A VcBO=40V（3DK103B） VcBO=60 V (3DK103C) VCE0=15V(3DK103) 30V 3DK103B 45V(3DK103C) =4V 1.发射极2.基极 3.集电极 JT=200MH 单位为毫米 尺寸数值 hFE:25~180 符号 最小 标称 最大 A 4. 32 5. 33 da 一 2. 54 db 1. 01 @b 0. 40 0. 51 OD 5. 31 5. 84 OD 4. 53 4. 95 j 0. 92 1. 04 1. 16 K 0. 51 1. 21 7 12.5 25. 0 一 Li 1. 27 SJ/T1833—2016 4规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T2423.23一2013环境试验第2部分：试验方法试验Q：密封 GB/T4587一1994半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937—1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T6218一1996开关用双极型晶体管空白详细规范 GB/T7581一1987半导体分立器件外形尺寸 GB/T12560-1999半导体器件分立器件分规范 极限值（绝对最大额定值） 5 极限值见表1。除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。 表 1 极限值 数值 章条号 参 数 符号 单位 最小值 最大值 Tab 55 125 4. 1 工作环境温度 ℃ 4.2 贮存温度 Tsts -55 175 ℃ 4.3 最大集电极一基极直流电压 Veco V 3DK103A 20 3DK103B 40 3DK103C 60 4. 4 最大集电极一发射极直流电压 Veo ^ 3DK103A 15 3DK103B 30 3DK103C 45 4. 5 最大发射极一基极直流电压 VEeso 4 V 4. 6 最大直流集电极电流 一 50 mA 4. 9 T=25℃，不加散热片时的最大额定功率 Prot 一 300 mw 4. 10 最高结温 Ti 175 ℃ 6电特性 电特性见表2。检验要求见本标准的第9章。 2 SJ/T1833—2016 表2 电特性 特性和条件 数值 章条号 除非另有规定，Tm=25℃ 符号 单位 试验分组 最小值 最大值 (见GB/T4589.1—2006的4.1) 5. 1 正向电流传输比 hee A2b Ve=1 V, I=30 mA 色标：橙 25 40 黄 40 55 绿 55 80 蓝 80 120 120 180 5.2 集电极-发射极饱和电压 AND 0. 3 A2b I=3 mA, I=30 5. 4 基极-发射极胞利 VeEsat 0. 9 A2b I=3 mA, 5.5 集电极 基极截止 电流 Cco1 0. 1 A2b I:=0, 集电 寸极截止电 Iceo A2b I- 截止电汽 Leso A2b 5. 6 电极-基极 电流 C2b 5℃, 特往 5. 7 200 A4、C2a Ve= mA,f=100MHz 导通时 50 A4 ns I=3 mA, 关断时间 65 A4 torf I=3 mA, I=30 5. 8 共基极输出电容 4 C2a Vs=10 V, I=0, 7标志 7. 1 器件上的标志 器件上的标志包括以下几部分： 产品型号和分档标志，如3DK103A； hre分档色标； 质量评定类别标志II，如3DK103AIⅡI； 制造厂商标； 检验批的识别代号。 3 SJ/T1833—2016 7. 2 包装盒上的标志 包装盒上的标志包括： 制造厂商标； 制造厂联系方式。 订货资料 订货单上应有下列内容： 一产品型号和分档标志，如3DK103A； -he分档色标； 一质量评定类别标志IⅡI，如3DK103AⅡ； 本标准编号； 一其他。 试验条件和检验要求 试验条件和检验要求按表3～表5的规定。本章中，LTPD抽样引自GB/T12560一1999。 4