ICS25.100.70 JB J43 备案号：24641—2008 中华人民共和国机械行业标准 JB/T10891—2008 碳化硅特种制品 氮化硅结合碳化硅 電方梁 Specialproducts of siliconcarbide Silicon nitride bonded silicon carbide --- Beam 2008-06-04发布 2008-11-01实施 中华人民共和国国家发展和改革委员会发布 JB/T10891—2008 目 次 前言 范围 2规范性引用文件.. 3产品分类. 3.1代号及尺寸标记 3.2规格尺寸. 3.3标记.. 4 技术要求， 5 试验方法， 检验规则. 6.1 出厂检验.. 6.2 型式检验. 标志、包装、运输和贮存 7 JB/T10891—2008 前 言 本标准由中国机械工业联合会提出。 本标准由全国磨料磨具标准化技术委员会（SAC/TC139）归口。 本标准起草单位：沈阳星光技术陶瓷有限公司。 本标准主要起草人：李娅洁、孙洪鸣。 本标准为首次发布。 II JB/T10891--2008 碳化硅特种制品 氮化硅结合碳化硅方梁 1范围 本标准规定了氮化硅结合碳化硅方梁的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、 运输和贮存等。 本标准适用于工作温度不超过1450℃注浆成型的氮化硅结合碳化硅方梁。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的 修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 1998) GB/T65692006精细陶瓷弯曲强度试验方法（ISO14704：2000，MOD） GB/T10325—2001定形耐火制品抽样验收规则 GB/T10326—2001 定形耐火制品尺寸、外观及断面的检查方法（eqvISO12678-112678-2:1996） GB/T14390-—1993 工程陶瓷高温弯曲强度试验方法 GB/T16546—1996 定形耐火制品包装、标志、运输和储存 YB/T174.1--2000 氮化硅结合碳化硅制品化学分析方法高压溶样法测定氮化硅量 YB/T174.2-—2000 氮化硅结合碳化硅制品化学分析方法高压溶样法测定碳化硅量 YB/T174.3—2000 氮化硅结合碳化硅制品化学分析方法钼蓝光度法测定游离硅量 JB/T10614—2006 碳化硅特种制品反应烧结碳化硅方梁 3产品分类 3.1代号及尺寸标记 氮化硅结合碳化硅方梁的代号为NSiC-B，其形状及尺寸标记见图1。 图1 3.2规格尺寸（见表1） 表 1 单位： mm 宽度 高度 壁厚 长度 B H T L 20 20 . 4、 5 ≤1300 JB/T10891—2008 表1 (续) 宽度 高度 壁厚 长度 B H T L 30 20 5、6 ≤2000 40 30 5、6. ≤2000 30 40 50 40 ≤2500 50 40 60 6、7 70 50 60 50 70 ≤2800 80 6、7、8 60 60 70 80 7、8、9 80 80 注1：允许存在工艺圆角。 注2：特殊规格由供需双方商定。 3.3标记 产品标记顺序为：产品代号-BXHXLXT 示例：B=40mm、H=50mm、L=2200mm、T=6mm的氮化硅结合碳化硅方梁，标记为： NSiC-B-40×50×2200×6 技术要求 4 4.1 化学成分应符合表2规定。 表 2 (%) 项目 要求 sic ≥65 SisN4 ≥15 IS装 ≤0.2 4.2物理性能应符合表3规定。 4.3尺寸极限偏差应符合表4规定 4.4直线度极限误差：工作面直线度极限误差值为被测直线实际尺寸的0.12%。非工作面直线度极限误 差值为被测直线实际尺寸的0.15%。 4.5外观： 4.5.1棱角缺陷应符合表5的规定。 2 JB/T108912008 表3 要 求 体积密度 ≥2.75 g/cm3 显气孔率 ≤11 (%) 常温弯曲强度（20℃） ≥160 MPa 高温弯曲强度（1300℃） ≥180 MPa 表4 单位：mm 基本尺寸 极限偏差 B、H ±1.5 L ±3.0 T 表 5 单位：mm 允许值 部 长度 深度 数量 距端部100mm之内 0'S> ≤2 ≤3 其他部位 不允许 4.5.2 熔洞应符合表6的规定。 表 6 单位：mm 允许值 部位 直径 深度 数量 距端部100mm之内 ≤4.0 ≤T/3 ≤2 其他部位 不允许 4.5.3凹坑、划痕、擦伤：直径不大于5mm，深度不大于壁厚的1/4，数量不超过五个（直径小于2mm， 深度小于0.5mm的忽略不计）。 4.6产品安全载荷许用应力［。］为常温弯曲强度的1/5。 试验方法 5.1SisN4的化学成分按YB/T174.1—2000的规定。 5.2 SiC的化学成分按YB/T174.2一2000的规定。 5.3 游离Si的化学成分按YB/T174.3—2000的规定。 5.4 体积密度、显气孔率按GB/T2997—2000的规定。 5.5 常温弯曲强度按GB/T6569—2006的规定。 5.6 高温弯曲强度按GB/T143901993的规定。