ICS 31.200 CCS L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T42835—2023 半导体集成电路 片上系统(SoC) Semiconductor integrated circuits—System on chip(SoC) 2023-12-01实施 2023-08-06发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T42835—2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、北京智芯微电子科技有限公司、北京芯可鉴科技有 限公司、杭州万高科技股份有限公司。 本文件主要起草人：罗晓羽、徐平江、钟明琛、赵扬、邵瑾、陈燕宁、朱松超、王于波、张海峰、梁路辉、 夏军虎、何杰。 1 GB/T42835—2023 半导体集成电路片上系统（SoC) 1范围 本文件规定了片上系统（SoC）的技术要求、电测试方法和检验规则。 本文件适用于片上系统（SoC)的设计、制造、采购、验收。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T4937.3半导体器件机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 GB/T4937.4半导体器件机械和气候试验方法金 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST) GB/T 4937.11 GB/T 4937.13 3半导体器件机械和气候试验方法 第13部分：盐雾 GB/T4937.14半导体器件机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固性） GB/T 4937.15 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 GB/T 4937.21 半导体器件机械和气候试验方法 第21部分：可焊性 GB/T4937.23 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命 GB/T4937.26 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试人 体模型（HBM） GB/T4937.27半导体器件机械和气候试验方法第27部分：静电放电（ESD)敏感度测试机 器模型（MM） GB/T9178集成电路术语 GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 GB/T17626.2一2018电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 GB/T17626.4—2018电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 IEC60749-6半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存（Semiconductordevices- Mechanical and climatic test methodsPart 6:Storage at high temperature) IEC6o749-8半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封（Semiconductordevices一Me- chanical and climatic test methodsPart 8:Sealing) IEC60749-9半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性（Semiconductor devicesMechanical and climatic test methodsPart 9:Permanence of marking) IEC60749-24半导体器件机械和气候试验方法第24部分：加速耐湿-无偏置强加速应力试 验(Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods—Part 24:Accelerated moisture re- sistance-Unbiased HAST) IEC60749-28半导体器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电（ESD)敏感度测试带 1 GB/T42835—2023 电器件模型（CDM）器件级[SemiconductordevicesMechanicalandclimatictestmethods—Part28： Electrostatic discharge(ESD)sensitivity testingCharged device model(CDM)device level IEC60749-36半导体器件机械和气候试验方法第36部分：稳态加速度（Semiconductorde vicesMechanical and climatic test methodsPart 36:Acceleration,steady state) IEC61967-2集成电路电磁发射测量150kHz至1GHz第2部分：辐射发射测量横电磁波 150 kHz tol GHz-Part 2: Measurement of radiated emissionsTEM cell and wideband TEM cell method) IECTS61967-3集成电路电磁发射测量第3部分：辐射发射测量表面扫描法（Integrated circuits-Measurement of electromagnetic emissionsPart 3: Measurement of radiated emissions Surface scan method) IEC61967-4集成电路电磁发射测量第4部分：传导发射测量1α2/150α直接耦合法（Inte grated circuits-Measurement of electromagnetic emissions-Part 4: Measurement of conducted emis- sions—1α /150 α direct coupling method) IEC62132-2集成电路电磁抗扰度测量第2部分：辐射抗扰度测量横电磁波传输室和宽带 横电磁波传输室法（Integrated circuits—Measurement of electromagnetic immunityPart2：Meas- urement of radiated immunityTEM cell and wideband TEM cell method) IEC62132-4集成电路电磁抗扰度测量150kHz至1GHz第4部分：射频功率直接注人法 (Integrated circuits -Measurement of electromagnetic immunity 15o kHz to 1 GHz-Part 4: Direct RF power injection method) IEC62215-3集成电路脉冲抗扰度测量第3部分：非同步瞬态注人法（Integratedcircuits- Measurement of impulse immunity-Part 3: Non-synchronous transient injection method) 3术语和定义 GB/T9178界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 片上系统system on chip;SoC 包含一个或多个处理器以及至少二个其他功能电路单元、在单一芯片上实现系统功能的集成电路 3.2 嵌入式软件embeddedsoftware 嵌人在片上系统的操作系统及完成特定功能的应用软件。 4技术要求 4.1温度 4.1.1工作温度 片上系统（SoC)工作温度宜为以下温度范围，在此温度范围内片上系统（SoC)可以正常工作： a) 0℃~70℃; b)-40℃~85℃; c) -40℃~105℃; d) -40℃~125℃; 2 GB/T42835—2023 e)-55℃~125℃; f）更宽范围。 4.1.2购存温度 贮存温度范围宜比工作温度范围更宽。片上系统（SoC）的贮存温度宜为：一65℃～150℃。 4.2供电 片上系统（SoC)的电源电压应在详细规范中规定。 4.3 3功能及电特性 片上系统（SoC)应根据特定应用实现系统功能，并应具备满足功能需求的嵌入式软件。其处理器、 存储器、接口及其他功能模块以及嵌入式软件的功能、性能应在详细规范中规定。 片上系统（SoC）宜满足以下要求 a）上电后首先处理器工作，当系统完成初始化过程后，控制其他功能模块工作。 b) 提供休眠功能。 c） 提供复位功能。 (P 提供中断机制。 e) 拥有1种或1种以上与外界的交互能力。 f) 含存储器接口或内嵌存储器：含随机存取存储器，如含非易失性存储器，正常工作时发生意外 掉电不损坏已有数据的完整性与正确性。 支持完整的指令系统，所有功能模块都能通过指令或指令的组合进行操作。 g) h) 保证程序数据和用户数据不被非法用户获取。 4.4电磁兼容性 片上系统（SoC)应具有抗电磁干扰能力，电磁抗扰度、脉冲抗扰度、静电放电抗扰度、电磁发射等应 满足应用场景要求 4.5封装 片上系统（SoC)应给出封装外形图：包括封装形式、封装尺寸、引出端定义功能符号等。 5 电测试方法 5.1一般说明 除另有规定外，试验在下列环境条件下进行： a）相对湿度：25%~75%（适用时）； b）大气压力：86kPa～106kPa。 5.2测试条件 除另有规定外，片上系