ICS 31.200 CCS L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 42836—2023 微波半导体集成电路 混频器 Microwave semiconductor integrated circuits- Frequency mixer 2023-08-06发布 2023-12-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T42836—2023 前言 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、广讯检测（广东）有限公司、安徽西玛科电器有限公 司、成都亚光电子股份有限公司、三旗（惠州）电子科技有限公司、青岛智腾微电子有限公司、广东力德诺 电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、中 国电子科技集团公司第三十八研究所、中国航天科工集团第三十五研究所。 本文件主要起草人：周俊、黄永忠、蒋富强、杨晓瑜、刘欣、陈积敢、李海龙、霍玉柱、周树豪、吴维丽、 汪邦金、赵岩、刘芳。 GB/T42836—2023 微波半导体集成电路 混频器 1范围 本文件规定了混频器的分类、技术要求、电特性测试方法和检验规则等。 本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造混频器的设计、制造、采购和验收。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件。 GB/T 4589.1 半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 4937.3 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 GB/T 4937.4 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） GB/T 4937.11 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化双液槽法 GB/T 4937.13 3半导体器件机械和气候试验方法 第13部分：盐雾 GB/T 4937.14 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固性） GB/T 4937.15 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 GB/T 4937.21 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性 GB/T 4937.23 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命 GB/T4937.24 半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分：加速耐湿-无偏HAST GB/T 4937.26 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试人 体模型(HBM) GB/T 4937.27 半导体器件 机械和气候试验方法第27部分：静电放电（ESD)敏感度测试机 器模型（MM） GB/T9178集成电路术语 GB/T17573一1998半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则 GB/T19403.1半导体器件集成电路第11部分：第1篇：半导体集成电路内部目检（不包 括混合电路） QB/T3811塑料打包带 SJ/T10147集成电路防静电包装管 SJ/T11587电子产品防静电包装技术要求 IEC60749-6半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存（Semiconductordevices Mechanical and climatic test methodsPart 6: Storage at high temperature) IEC60749-8半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封（Semiconductordevices一Me- chanical and climatic test methods—Part 8: Sealing) IEC60749-9半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性（Semiconductor devicesMechanical and climatictest methodsPart 9:Permanenceof marking) 1 GB/T42836—2023 IEC60749-24半导体器件机械和气候试验方法第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试 验(Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methods-Part 24: Accelerated moisture re- sistance-Unbiased HAST) IEC60749-28半导体器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电（ESD)敏感度测试带 电模型(CDM)[Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 28:Electrostatic discharge(ESD) sensitivity testingCharged device model(CDM) IEC60749-36半导体器件机械和气候试验方法第36部分：稳态加速度（Semiconductorde- vicesMechanical and climatic test methods-Part 36: Acceleration, steady state) 3术语和定义 GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。 4分类 根据变频方式，混频器可分为上变频器和下变频器。上变频器是将输入信号转换成具有更高频率 输出信号的器件；下变频器是将输入信号转换成具有更低频率输出信号的器件。 5技术要求 5.1电特性 5.1.1静态特性 适用时，混频器至少应规定电源电流静态特性参数。 5.1.2动态特性 各类混频器至少应规定的动态特性参数见表1。 表 1 动态特性参数 动态特性参数 最小值 最大值 变频损耗 本振/中频隔离度 X 射频/中频隔离度 中频/射频隔离度 X 输人1dB压缩功率电平 电压驻波比 X 噪声系数 x 双音三阶交调截点 X 镜像频率抑制度（适用时） 射频泄露 X 抗烧毁功率 注：“×”表示必备要求，“一”表示不要求。 2 GB/T42836—2023 5.2 封装特性 混频器应给出封装外形图：包括封装形式、外形尺寸、引出端定义功能符号等。 5.3 3其他指标 为了方便使用，还应规定以下适用的特性： 输人或输出电路功能框图； a) b) 静电放电敏感度（ESD)（人体模型、机械模型、带电模型等）； c） 推荐工作条件； d）工作温度。 6 电特性测试方法 6.1 一般说明 除另有规定外，试验在下列环境条件下进行： 相对湿度：25%~75%（适用时）； b) 大气压力：86kPa~106kPa； c） 试验温度：25℃±3℃。 6.2 静态特性测试 在有源混频器上施加规定的工作电压，使用电流表读取电源电流。 6.3 动态特性测试 6.3.1 变频损耗 6.3.1.1 目的 测试规定条件下的变频损耗。 6.3.1.2 方法一 6.3.1.2.1 测试原理 由公式(1)计算变频损耗： Lc=PR-PI .(1) 式中： Lc 变频损耗，单位为分贝（dB）； PR—射频端口所施加的功率，单位为分贝毫瓦（dBm）； P1一一中频端口输出功率，单位为分贝毫瓦（dBm）。 测试原理框图见图1。 3 GB/T 42836—2023 被测 木振信号源 衰减器1 衰减器2 射频信号源 混频器 P1 衰减器3 频谱分析仪 标引符号说明： L 本振端口； R 射频端口； 1 中频端口； PL——本振输人功率； PR——射频输入功率； P,——中频输出功率； Po 输出功率。 图1变频损耗测试原理框图 6.3.1.2.2测试程序 应按以下程序进行测试： 给被测混频器施加规定的本振频率和功率； a) b) 将射频信号源的频率调到规定值： c) 改变射频信号源的输出功率，给被测混频器射频端口施加规定的射频输人功率（PR）； d) 从频谱分析仪读出输出功率（Po），从而得出中频端口的中频输出功率（P,）； e) 由公式(1)计算变频损耗(Lc）。 6.3.1.2.3 测试设备要求 如果信号源自带衰减器并且满足测量要求，频谱分析仪的测试动态范围满足要求，可以省掉衰减 器。测试设备满足下列要求： 测试仪器应经计量并在有效期内，准确度应满足测试要求； a) b) 测试仪器的频率范围应满足测试要求； c) 测试仪器的量程应满足测试要求； 测试时按测试框图连接测试仪器后，应按仪器要求预热： e) 测试时仪器、设备应良好接地； 当操作静电敏感器件时，应遵循GB/T17573—1998中第X篇中的操作注意事项； g) 测试期间，环境条件应无影响结果准确性的机械振动和电磁干扰。 6.3.1.2.4 注意事项 应调整射频输入功率，使被测混频器工作在线性区。 6.3.1.2.5 规定条件 应规定下列条件： a）环境温度； 4 GB/T42836—2023 b）本振频率和功率； c） 射频频率和功率。 6.3.1.3 3方法二 6.3.1.3.1 测试原理 测试原理框图见图2。 被测 混频器 网络分析仪 标引符号说明： L 本振端口； 一射频端口； I 中频端口。 图2 变频损耗测试原理框图（网络分析仪法） 6.3.1.3.2测试程序 应按以下程序进行测试： a) 对网络分析仪进行校准； b) 按图2连接好测试系统； c) 给被