ICS 29.045 H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T14844—2018 代替GB/T14844—1993 半导体材料牌号表示方法 Designations of semiconductor materials 2018-12-28发布 2019-11-01实施 国家市场监督管理总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T14844—2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T14844一1993《半导体材料牌号表示方法》，与GB/T14844一1993相比主要技术 变化如下： 修改了范围中本标准适用性的描述（见第1章，1993年版的第1章）； 一 将原3.1.1中生产方法和用途分成两项，并对牌号表示方法排序进行调整，名称为第一项，生 产方法为第二项（见3.1.1，1993年版的3.1）； 法”和其他生产方法表示形式参照以上方法进行”（见3.1.3，1993年版的3.1.1)； 修改了“N表示块状”为“C表示块状”，并增加了“G表示颗粒状”和“其他多晶形状表示形式 参照以上方法进行”（见3.1.4，1993年版的3.1.3）； 一增加了“E表示电子级用途”和“S表示太阳能级用途”（见3.1.6)； 一调整了单晶牌号表示方法排序（见3.2.1，1993年版的3.2）； 一增加了示例如硅单晶Si、化镓单晶GaAs、碳化硅单晶SiC、锗单晶Ge、锑化钢单晶InSb、磷 化单晶GaP和磷化铟单晶InP等"（见3.2.2)； 增加了“C表示铸锭法”（见3.2.3）； 一增加了导电类型示例“例如N型导电类型掺杂元素有磷P、Sb、砷As，P型导电类型掺杂元 素有硼B，区熔气相掺杂用FGD表示等”（见3.2.4）； 一增加了示例"例如晶向<111）、<100）和<110）等”（见3.2.5）； 一增加了示例“如硅片Si、化镓片GaAs、碳化硅片SiC、锗片Ge、锑化钢片InSb、磷化镓片GaP 和磷化钢片InP等”（见3.3.2）； 增加了“SCW表示太阳能切割片”（见3.3.4）； 一调整了外延片牌号表示方法排序（见3.4.1，1993年版的3.4）； 增加了示例“如硅外延片Si、砷化镓外延片GaAs、碳化硅外延片SiC、锗外延片Ge、锑化钢外 延片InSb、磷化镓外延片GaP和磷化钢外延片InP等"（见3.4.2)； 增加了牌号中字母表示方法（见附录A）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本标准起草单位：浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公 司、浙江海纳半导体有限公司、东莞中导体科技有限公司、南京国盛电子有限公司、江苏中能硅业科 技发展有限公司，苏州协鑫光伏科技有限公司，天津市环欧半导体材料技术有限公司 本标准主要起草人：楼春兰、毛卫中、杨素心、汪新华、邹剑秋、孙燕、潘金平、刘晓霞、马林宝、宫龙飞、 张雪窗、丁晓民、贺东江。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T14844—1993。 1 GB/T 14844—2018 半导体材料牌号表示方法 1范围 本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法 本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示，其他半导体材料牌号表示可参照 执行。 2 牌号分类 按照晶体结构和产品形状，半导体材料牌号分为多晶、单晶、晶片和外延片四类，牌号中涉及的字母 含义参见附录A。 SAC 3片 牌号表示方法 3.1多晶牌号 3.1.1 多晶的牌号表示为： L -4 -3 -2 -1 其中: 1、2、3、4、5分别代表牌号的第一项至第五项 3.1.2牌号的第一项中第1位P表示多晶，后几位用分子式表示多晶名称，如硅Si、锗Ge等。 3.1.3牌号的第二项表示多晶的生产方法，用英文第一个字母的大写形式表示，其中： T表示三氯氢硅法； a) b) S表示硅烷法； c） R表示还原法； d)2 Z表示区熔法； F表示流化床法； a f) 其他生产方法表示形式参照以上方法进行 3.1.4牌号的第三项表示多晶的形状，用英文第一个字母的大写形式表示，其中： 1表示棒状； a) b）C表示块状； c） G表示颗粒状； (P 其他多晶形状表示形式参照以上方法进行。 3.1.5牌号的第四项表示多晶产品的等级，用阿拉伯数字或英文字母表示。 1 GB/T14844—2018 3.1.6牌号的第五项表示多晶的特殊用途，用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中： a）E表示电子级用途； b) S表示太阳能级用途； c）IR表示红外光学用途； d）其他用途表示形式参照以上方法进行。 3.1.7若多晶产品不强调生产方法、用途或形状等，其牌号相应部分可省略，省略部分用N/A表示。 3.1.8多晶的牌号表示见示例1~示例4。 示例1:PSi-T-I-1-E表示三氯氢硅法生产的一级棒状电子级多晶硅 示例2:PSi-N/A-C-1-N/A表示一级块状多晶硅。 示例3PGe-Z-N/A-1-N/A表示一级区熔锗锭。 示例4：PGe-R-N/A-1-N/A表示一级还原锗锭 3.2 单晶牌号 3.2.1单晶的牌号表示为： 交-00-0-0 -4 3 -2 -1 其中： 1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项。 注：太阳能铸锭法多晶或类单晶参照单晶的牌号表示方法 SAC 3.2.2牌号的第一项用分子式表示单晶的名称，如硅单晶Si、砷化镓单晶GaAs、碳化硅单晶SiC、锗单 晶Ge、化钢单晶InSb、磷化镓单晶GaP和磷化钢单晶InP等 3.2.3牌号的第二项表示单晶的生产方法，用英文的第一个字母或其字母组合的大写形式表示，其中： a）CZ表示直拉法； b) FZ表示悬浮区熔法； c) HB表示水平法； d）LEC表示液封直拉法； MCZ表示磁场拉晶法； f) C表示铸锭法； 其他生产方法表示形式参照以上方法进行。 g） 3.2.4牌号的第三项中用N或P表示导电类型，括号内元素符号表示杂剂。例如N型导电类型掺 杂元素有磷P、锑Sb、砷As，P型导电类型掺杂元素有硼B，中子嫂变掺杂法用NTD表示，区熔气相掺 杂用FGD表示等。 3.2.5牌号的第四项用密勒指数表示晶向，如晶向<111）、《100）和<110）等。 3.2.7单晶的牌号表示见示例1～示例4。 示例1：Si-CZ-P（B)-（100）表示晶向为（100）的P型掺硼直拉硅单晶 示例2:Si-FZ-N(N/A)-<111>表示晶向为<111>的N型悬浮区熔硅单晶。 示例3：GaAs-HB-N（Si)-<100表示晶向为<100>的N型掺硅水平碑化镓单晶 示例4：GaAs-LEC-（N/A)（Cr十O）-(100）表示晶向为（100）掺铬和氧的液封直拉砷化单晶。 2 GB/T 14844—2018 3.3晶片牌号 3.3.1晶片的牌号表示为： 4 -3 2 其中： 1、2、3、4、5分别代表牌号的第一项至第五项 3.3.2牌号的第一项用分子式表示晶片的名称，如硅片Si、砷化镓片GaAs、碳化硅片SiC、锗片Ge、锑 化钢片InSb、磷化片GaP和磷化钢片InP等。 3.3.3牌号的第二项表示晶片的生产方法，其表示方法同3.2.3。 3.3.4牌号的第三项表示晶片种类，用英文第一个字母组合的大写形式表示，其中： CW表示切割片； a） b) LW表示单面研磨片； c) DLW表示双面研磨片； d) EtW表示腐蚀片； e) PW表示单面抛光片； f) DPW表示双面抛光片； DW表示扩散片； g) h) AW表示退火片； i) SCW表示太阳能切割片； i 其他晶片种类表示形式参照以上方法进行。 3.3.5牌号的第四项中用N或P表示导电类型，括号内元素符号表示掺杂剂。例如N型导电类型掺 用FGD表示等。 3.3.6牌号的第五项用密勒指数表示晶向，如晶向<111）、<100）和<110）等。 3.3.7若晶片不强调晶体生产方法，或晶体不掺杂时，其牌号的相应部分可省略，省略部分用N/A 表示。 3.3.8晶片的牌号表示见示例1～示例2。 示例1:Si-CZ-PW-N(Sb)-<111)表示晶向为<111>的N型掺锑直拉硅单晶单面抛光片。 3.4外延片牌号 3.4.1外延片的牌号表示为： 口- 口-0 -<) 4 3 -2 3 GB/T14844—2018 其中： 1、2、3、4分别代表牌号的第一项至第四项。 3.4.2牌号的第一项用分子式表示外延片的名称，如硅外延片Si、砷化镓外延片GaAs、碳化硅外延片 SiC、锗外延片Ge、锑化钢外延片InSb、磷化镓外延片GaP和磷化铟外延片InP等。 3.4.3牌号第二项表示外延片的生产方法，用英文第一个字母组合的大写形式表示，其中： a）VPE表示气相外延； b）LPE表示液相外延； MBE表示分子束外延； d) MOCVD表示金属有机化合物化学气相沉积。 3.4.4牌号的第三项表示外延片的结构，括号内用元素符号表示衬底掺杂剂，如掺磷P、掺Sb、掺砷 As、掺硼B等。其中： a） n/n+表示在n+型衬底上生长N型外延层； b）p/p+表示在p+型衬底上生长P型外延层； d）n/I(或p/I)表示在绝缘衬底上生产N型（或P型）外延层； e）n/p/n表示在N型衬底上先生长P型外延层，再生长N型外延层，其他多层外延片结构的表 示方法以此类推； f）n/SI表示在半绝缘衬底上生产N型外延层。 3.4.5牌号的第四项用密勒指数表示晶向