ICS 77. 120. 10 H61 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29658—2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材 High-purity sputtering aluminium and aluminium alloy target used in electronic film 2013-09-06发布 2014-05-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29658—2013 前言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国有色金属标准化技术委员（SAC/TC243）归口。 本标准负责起草单位：有研亿金新材料股份有限公司。 本标准参加起草单位：宁波江丰电子材料有限公司、新疆众和股份有限公司。 本标准主要起草人：万小勇、罗俊锋、廖赞、尚再艳、杨华、朱晓光、孙秀霖、何金江、熊晓东、王兴权、 王学泽、钱红兵、喻洁、刘杰、洪涛、努力古、宋玉萍 I GB/T29658—2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材 1范围 本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金靶材的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运 输、存贮、订货单（或合同)等内容。 本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材（以下简称铝靶）。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本标 准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标准。 GB/T 1804 一般公差未注公差的线性和角度尺寸的公差 GB/T 6394 金属平均晶粒度测定方法 GB/T14265 金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则 GB/T 15823 无损检测氨泄漏检测方法 GB/T20975.25铝及铝合金化学分析方法 第25部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法 GJB 1580A 变形金属超声检验方法 JB/T4734 铝制焊接容器 YS/T 837 溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法 YS/T 871 高纯铝化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法 3要求 3.1产品分类 3.1.1按照应用领域分为：半导体布线用高纯溅射靶材、半导体封装用高纯溅射靶材、平板显示器用高 纯溅射靶材和太阳能电池用高纯溅射靶材。 3.1.2按照结构形式分为单体和焊接两种 3.1.3按外形分为圆形、矩形和三角形等。 3.2合金成分与纯度 3.2.1 根据合金材料不同，可分为纯铝靶、铝硅合金靶、铝铜合金靶、铝硅铜合金靶四种靶材。 3. 2. 2 高纯铝合金靶中合金元素含量应不超过规定成分的土10%。 3.2.3铝靶合金成分及杂质元素要求应符合表1规定。 表1铝靶合金成分和对应的杂质元素 成分 Al AISi AICu AISiCu AI或AI合金含量不小于 99.99 99.999 99.999599.995 99.999 99.999599.999 99.999599.999 99.9995 % 简称 4N 5N 5N5 4N5 5N 5N5 5N 5N5 5N 5N5 GB/T29658—2013 表1（续) 成分 A1 ISIV AICu AISiCu Ag 0.3 1 0.3 1 0.3 1 0. 3 As 1 0.5 1 0. 5 1 0. 5 1 0. 5 Au 1 0. 5 1 0, 5 1 0. 5 1 0.5 B 0. 5 0. 5 0. 5 0. 5 0.5 0.5 0.5 0.5 Ba 1 0. 5 1 0. 5 1 0. 5 1 0. 5 Bi 1 1 1 1 1 1 1 1 Be 0. 5 0. 5 0. 5 0. 5 0. 5 0.5 .0.5 0.5 Ca 1 0. 2 1 0. 2 1 0. 2 1 0. 2 Cd 1. 0 1. 0 1. 0 1. 0 Ce 1 1 1 1 1 1 1 CI 4 4 4 4 4 4 4 4 4 Co 0. 1 0. 1 0. 1 0. 1 一 Cr 5 2 0. 4 2 2 0. 4 2 0. 4 2 0. 4 0.5 0.5 1 0.5 一 1 1 1 0.5 Cu 50 3 1 5 3 1 一 一 一 Fe 50 3 1 5 3 1 3 1 3 1 K 0.5 0. 1 0. 5 0. 1 0. 5 0. 1 金属杂质 0.5 0. 1 含量不大 La 0. 5 0. 5 - 0. 5 0. 5 于10-6 Li 0. 5 0. 1 0. 5 0. 1 0.5 0. 1 0.5 0.1 Mg 30 2 2 1 2 1 2 3 1 Mn 10 0. 5 1 0. 5 1 1 1 0. 5 1 0. 5 Mo 1 0. 2 1 0. 2 1 0. 2 1 0. 2 EN 0. 5 0.1 0. 5 0. 1 0. 5 0. 1 0. 5 0. 1 Ni 20 1 1 1 1 1 1 1 1 P 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Pb 1 0.3 1 0. 3 1 0.3 1 0.3 Sb 1 0.5 1 0. 5 1 0. 5 1 0.5 IS 30 5 2 5 一 2 us 1 0.2 1 0. 2 1 0.2 1 0. 2 一 Ti 3 2 1 2 2 1 2 1 2 1 V 1 0. 4 1 0. 4 1 0.4 1 0. 4 Zn 5 1 0.5 1 1 0.5 1 0.5 1 0.5 Zr 0. 5 0. 5 1 1 1 0.5 1 0.5 n 0.02 0.001 0. 02 0.001 0.02 0.001 0.02 0.001 Th 0.02 0.001 0.02 0.001 0. 02 0.001 0.02 0. 001 2 GB/T29658—2013 表1(续) 成分 Al AISi AlCu AISiCu 杂质总含量不大于10-6 100 10 5 50 10 5 10 5 10 5 c 30 20 30 30 20 30 20 30 20 一 H 1 0.5 1 1 0.5 一 1 0.5 1 0.5 气体元素 含量不大 N 5 10 10 10 10 5 10 5 10 5 于10-6 0 30 30 20 30 30 20 20 30 20 s 10 1 10 10 1 10 1 10 1 注1：需方对元素有特殊要求的，由供需双方协商，并在订货单（或合同）中注明。 注2：铝靶的纯度为100%减去要求杂质总和的余量（不含C、O、N、H、S)。 3.3 晶粒尺寸 铝靶的晶粒尺寸应符合表2规定，并且晶粒分布均匀。 表 2 铝靶晶粒尺寸要求 晶粒尺寸要求 纯度 合金成分 简称 平均值 最大值 % μm μm 99.99 4N 009 ≤1000 Al 99.999 5N ≤300 000 966666 5N5 99.995 4N5 AISi 99.999 5N 99.9995 5N5 666'66 5N ≤150 ≤200 AICu 99.999 5 5N5 666°66 5N AISiCu 99.999 5 5N5 注：需方如有特殊要求时，由供需双方商定，并在订货单（或合同）中注明。 3. 4 内部质量 铝靶内部不应有分层、疏松、夹杂和气孔等缺陷，由供方生产工艺保证。需方有特殊要求时按 GJB1580A执行。 3. 5 焊接质量 铝靶的常规焊接方法为钎焊、扩散焊和电子束焊。针焊，扩散焊质量应符合表3的规定，电子束焊 质量应符合表4的规定。需方如有特殊要求时，应由供需双方协商确定，并在订货单（或合同）中具体 注明。 3