ICS 29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30856—2014 LED外延芯片用砷化镓衬底 GaAs substrates for LED epitaxial chips 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30856—2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 203/SC2)共同提出并归口。 本标准主要起草单位：中国科学院半导体研究所、有研光电新材料有限公司、云南中科鑫圆晶体材 料有限公司。 本标准要起草人：赵有文、提刘旺、林泉、干洪国、惠峰、赵坚强， I GB/T 30856—2014 LED外延芯片用砷化衬底 1范围 本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法和规则以及标 志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。 规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 8760 砷化单晶位错密度的测量方法 GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 SEMIM9.7-0200 直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范 3 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4要求 4.1分类 砷化镓衬底按导电类型分为n型和P型两种类型。 4.2 2牌号 砷化衬底牌号表示按GB/T14844的规定。 GB/T30856—2014 4.3 3规格 砷化镓衬底按直径分为@50.8mm，Φ76.2mm，Φ100mm、Φ150mm4种规格，或由供需双方商定。 4.4 电学性能 砷化衬底的电学性能应符合表1的规定。 表 1 要求 序号 项目 n p 1 电阻率/（Q·cm） 0.01~1X10-3 0.1~3X10-3 2 迁移率/[cm²/(V.s)］ ≥1 000 ≥40 载流子浓度/cm-3 1×1017~4×10185 3 5X1017~5×1019 4.5 表面晶向及晶向偏离 砷化镓衬底的表面晶向为<100>，晶向偏离不大于0.5°（当客户对晶向参数有特殊要求时由供需 双方在合同中确定)。 4.6 位错密度 砷化傢衬底的位错密度应符合表2的规定。 表 2 要求 项目 Φ50.8 mm Φ76.2 mm Φ100mm Φ150 mm 位错密度/（个/cm²） ≤2×103 ≤4×103 ≤5×103 ≤1X10 注：当客户对晶体位错密度参数和位错类型及分布有特殊要求时由供需双方在合同中确定。 4.7 表面质量 在砷化镓衬底表面边缘2mm范围内无划痕、崩边、桔皮和裂缝。在整个表面无沾污、溶剂残留物、 蜡残留物或按合同规定。 4.8 参考面的取向，形状和尺寸 4.8.1 Φ50.8mm（@2"）、Φ76.2mm（Φ3"）、Φ100mm（Φ4"）砷化镓衬底参考面的取向、形状和长度应符 合表3的规定。 2 GB/T30856—2014 表3 参数项目 要求 参考面选择 V型槽 燕尾槽 [01］±0.5°属于1个砷面， [01］]士0.5°属于1个镓面， 主参考面取向 主参考面垂直于V型槽 主参考面垂直于燕尾槽 副参考面取向 从主参考面逆时针转90°土5° 从主参考面顺时针转90°士5° 规格 50.8 mm(Φ2") @76.2mm(Φ3") Φ100 mm(@4") 主参考面长度 16mm±1mm 22mm±1mm 32mm±1mm 副参考面长度 8 mm±1mm 11 mm±1 mm 18 mm±1 mm 4.8.2 Φ150mm（Φ6"）砷化镓衬底参考面的取向、形状和尺寸应符合表4的规定 表 4 项目 要求 取向 深度/mm 开角/°) 参考面切口位置取向、形状和尺寸 1 +9-25 [010]±2° 90 4.9 外形几何尺寸 砷化镓衬底的外形几何尺寸应符合表5的规定。 表 5 要求 序号 项目 @50.8 mm(@2") @76.2 mm(@3) Φ100mm(@Φ4) @150mm(@6") 1 直径及允许偏差/mm 50.8±0.2 76.2±0.2 100.0±0.2 150.0±0.2 厚度及允许偏差/μm (280～500)±15 (400～600)±20 （400650)±25 (400～700)±25 2 总厚度变化TTV/μm ≤12 ≤15 ≤18 ≤20 3 平整度 TIR/μm 9V <8 ≤10 ≤10 翘曲度Warp/um 12 ≤15 <20 ≤25 4 注：如客户对外形几何尺寸有其他特殊要求时，双方商议后在合同中签订。 5 检验方法 5.1 电学性能 5.1.1 电阻率 5.1.1.1 砷化镓衬底的电阻率检测按GB/T4326规定的测量方法进行。 3