ICS29.045 CCSH82 NXCL 宁夏材料研究学会团体标准 T/NXCL017—2022 300mm重掺磷直拉硅单晶抛光片 300mmheavilyphosphorus-dopedsinglecrystalineCzochralskisiliconpolished wafers 2022-12-2发布 2022-12-2实施 宁夏材料研究学会  发布 全国团体标准信息平台 T/NXCL017—2022 I前言 本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件由宁夏材料研究学会提出。 本文件由宁夏材料研究学会归口。 本文件起草单位：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有 限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司。 本文件主要起草人：芮阳、倪浩然、王黎光、杨少林、马成、曹启刚、王飞、闫龙、熊欢、王忠宝、 李小红、王飞、张兴茂、刘洁、高洪涛、顾燕滨、盛之林、黄柳青、范占军。 全国团体标准信息平台 T/NXCL017—2022 1300mm重掺磷直拉硅单晶抛光片 1范围 本文件规定了300mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规格以及 标志、包装、运输、贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300mm的重掺磷硅单晶抛 光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1计数抽样检测程序第一部分：按接受质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12963—2014电子级多晶硅 GB/T14140硅片直径测量法方法 GB/T14144硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T29508300mm硅单晶切割片和磨削片 GB/T32279硅片订货单格式输入规范 GB/T32280硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 YS/T26硅片边缘轮廓检验方法 YS/T28硅片包装 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件。 4产品分类 本产品为N型直拉硅单晶抛光片，按照晶向分为常用的<100>、<111>两种规格。 5技术要求 原材料 全国团体标准信息平台 T/NXCL017—2022 2原材料多晶硅应满足GB/T12963—2014第4.2条中电子级多晶硅2级要求，具体指标见表1。 表1多晶硅主要性能要求 项目 指标要求 施主杂质浓度，10-9≤0.25 受主杂质浓度，10-9≤0.08 少数载流子寿命，μs ≥1000 碳浓度，原子数/cm3＜1.0×1016 氧浓度，原子数/cm3 — 基体金属杂质浓度，10-9Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na总金属杂质含量：≤1.5 表面金属杂质浓度，10-9Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na总金属杂质含量：≤10.5 物理性能 5.2.1硅抛光片的导电类型、掺杂元素、电阻率及其径向变化应符合表2的规定。 表2硅抛光片物理性能参数 项目 指标要求 导电类型 N 掺杂元素 P 电阻率，Ω·cm ≤0.002 电阻率径向变化，% ≤10 5.2.2硅抛光片的直径、晶向和切口的基准轴取向均应符合GB/T29508的规定。 化学成分 5.3.1氧含量 硅抛光片的间隙氧含量应不大于20ppma，氧含量的径向变化具体指标应不大于10%，或由供需双 方商定。 5.3.2碳含量 硅抛光片的碳含量应不大于0.5ppma，或由供需双方商定。 5.3.3金属含量 硅抛光片的表面金属（Cr、Fe、Ni、Cu）每种元素应不大于1×1010原子数/cm3，表面金属（Na、K、 Ca、Al、Zn）每种元素应不大于5×1010原子数/cm3，体金属（铁）含量应不大于5×1010原子数/cm3，或 由供需双方商定。 几何参数 硅抛光片的几何参数应符合表3的规定，表3未包含参数或对表3中参数有其他要求时，由供需双方 协商确定。 表3硅抛光片几何参数 项目 指标要求 硅片直径，mm 301 直径允许偏差，mm ±0.2 切口（Notch）深度，mm 1.2 切口（Notch）深度偏差，mm ±0.1 硅片厚度，中心点，μm 875 厚度允许偏差，μm ±15 总厚度变化（TTV），μm ≤20 弯曲度（WARP），μm≤30 ≤60（背面为多晶加背封） 全国团体标准信息平台 T/NXCL017—2022 3项目 指标要求 翘曲度（BOW），μm≤40 ≤60（背面为多晶加背封） 总平整度（TIR），μm ≤2 局部平整度（SFQR，边缘扩展，PUA100%），μm （25mm×25mm）≤0.25 氧化诱生缺陷 氧化诱生缺陷不大于10个/cm2。 表面质量 硅抛光片表面质量应符合表4的规定，其中对颗粒的要求可由供需双方协商确定。 表4抛光片表面质量目检要求 序号 项目 指标要求 正表面1 划伤 无 2 蚀坑 无 3 雾 无 4局部光散射体（颗 粒）个/片局部光散射直径≥0.16μm ≤100 ≥0.2μm ≤15 ≥0.3μm ≤7 ≥0.5μm ≤1 5 区域沾污 无 6 崩边 无 7 裂纹，鸦爪 无 8 凹坑 无 9 沟（槽） 无 10 小丘 无 11 桔皮，波纹 无 12 线痕 无 背表面13 崩边 无 14 裂纹，鸦爪 无 15 区域沾污 无 16 线痕 无 17 背表面处理酸或碱腐蚀，外吸 除、背封等处理或由 供需双方商定 边缘轮廓 硅片经边缘倒角及边缘抛光，抛光处理后的边缘轮廓应符合YS/T26的要求，特殊要求可由供需双 方协商确定。 其他 硅抛光片的激光刻号、边缘抛光等其它要求，由供需双方协商确定 6试验方法 硅抛光片导电类型测量按照GB/T1550进行。 硅抛光片电阻率测量按照GB/T6616进行。 硅抛光片径向电阻率变化的测量按照GB/T11073进行。 硅抛光片间隙氧含量测量按照GB/T1557进行。 硅抛光片径向氧含量变化的测量按照GB/T14144进行。 硅抛光片碳含量测量按GB/T1558进行。 硅抛光片表面金属含量测量按GB/T24578进行，或按供需双方协商的方法进行。 全国团体标准信息平台 T/NXCL017—2022 4 硅抛光片体内金属（铁）含量测量按YS/T679进行，或按供需双方协商的方法进行。 硅抛光片直径的测量按照GB/T14140进行。 硅抛光片晶向及晶向偏离度的测量按照GB/T1555进行。 硅抛光片厚度和总厚度变化的测量按照GB/T29507进行。 硅抛光片弯曲度测量按照GB/T6619进行。 硅抛光片翘曲度测量按照GB/T32280进行。 硅抛光片平整度和局部平整度测量按照GB/T29507进行。 硅抛光片氧化诱生缺陷检验按照GB/T4058进行。 硅抛光片表面质量检验按照GB/T6624进行。 硅抛光片局部光散射体（微小颗粒沾污）检验按照GB/T19921进行。 硅抛光片边缘轮廓测量按YS/T26进行。 7检验规则 检验分类 检验分为出厂检验和型式检验。 出厂检验 7.2.1组批 产品以呈批的形式提交验收，每批应由同一批号、相同规格的硅抛光片组成，每批硅抛光片应不少 于25片。 7.2.2检验项目 7.2.2.1每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、表面质量（除局部 光散射体外）进行检验。 7.2.2.2导电类型、径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺陷、表面金属、边缘轮廓、局部光散 射体（颗粒）是否检验有供需双方协商确定。 7.2.3取样 7.2.3.1非破坏性检验项目的检验取样按GB/T2828.1一般检查水平Ⅱ、正常检查一次抽样方案进行， 或由供需双方协商确定抽样方案。 7.2.3.2破坏性检验项目的检验取样按GB/T2828.1特殊检查水平S-2、正常检查一次抽样方案进行， 或由供需双方协商确定抽样方案。 7.2.4检验结果的判定 7.2.4.1导电类型检验若有一片不合格，则该批产品为不合格，其它检验项目的接受质量限（AQL） 见表5。 表5接收质量限 序号 项目 接受质量限（AQL） 1 电阻率 1.0 2 径向电阻率变化 1.0 3 厚度 1.0 4 总厚度变化 1.0 5 弯曲度 1.0 6 翘曲度 1.0 7 总平整度 1.0 8 局部平整度 1.0 9 表面质量区域沾污 1.0 划伤，蚀坑 1.0 全国团体标准信息平台 T/NXCL017—2022 5序号 项目